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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2013年度)
「from:2014-01-29 to:2014-01-29」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2014-01-29 09:35 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］2層グラフェンにおけるギャップ内のキャリア応答と高電界でのサブバンド散乱 ○長汐晃輔・金山 薫・西村知紀・鳥海 明（東大）  SDM2013-135 |
[more] | SDM2013-135 pp.1-4 |
| SDM | 2014-01-29 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］基板からみたGe n-MOSFETsにおける電子移動度の考察 ○李 忠賢・西村知紀・田畑俊行・魯 辞莽・張 文峰・長汐晃輔・鳥海 明（東大） SDM2013-136 |
本研究ではGe基板に由来するGe nMOSFETsにおける電子移動度の劣化機構について議論する． Ge nMOSFETs... [more] | SDM2013-136 pp.5-8 |
| SDM | 2014-01-29 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs ○入沢寿史・小田 穣・池田圭司・守山佳彦・三枝栄子・W Jevasuwan・前田辰郎（産総研）・市川 麿・長田剛規・秦 雅彦（住友化学）・宮本恭幸（東工大）・手塚 勉（産総研） SDM2013-137 |
(111)B面をチャネルとする底辺30 nmの三角形状In0.53Ga0.47As-OI nMOSFETsをSi基板上に... [more] | SDM2013-137 pp.9-12 |
| SDM | 2014-01-29 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］高信頼メタル/high-k CMOS SOI FinFETsのための高温イオン注入技術 ○水林 亘（産総研）・おの田 博・中島良樹（日新イオン機器）・石川由紀・松川 貴・遠藤和彦・Yongxun Liu・大内真一・塚田順一・山内洋美・右田真司・森田行則・太田裕之・昌原明植（産総研） SDM2013-138 |
高温イオン注入がメタルゲート/high-k CMOS SOI FinFETsの性能及び信頼性に及ぼす影響について調べた。... [more] | SDM2013-138 pp.13-16 |
| SDM | 2014-01-29 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Si上III-V族半導体ナノワイヤの集積：高性能縦型FETと低電圧トランジスタ応用 ○冨岡克広（北大/JST）・福井孝志（北大） SDM2013-139 |
[more] | SDM2013-139 pp.17-22 |
| SDM | 2014-01-29 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］不揮発性メモリMRAMの現状と将来展望 ○湯浅新治・福島章雄・薬師寺 啓・野崎隆行・甲野藤真・前原大樹・久保田 均・谷口知大・荒井礼子・今村裕志・安藤功兒（産総研）・塩田陽一・Frederic Bonnel・鈴木義茂（阪大）・下村尚治（東芝） SDM2013-140 |
[more] | SDM2013-140 pp.23-28 |
| SDM | 2014-01-29 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］適応的コンピューティングシステムのための容量可変不揮発メモリアレイ 野口紘希・武田 進・野村久美子・安部恵子・池上一隆・北川英二・下村尚治・伊藤順一・○藤田 忍（東芝） SDM2013-141 |
[more] | SDM2013-141 p.29 |
| SDM | 2014-01-29 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］110 億トランジスタの特性分布における±5.4σより外れたトランジスタの解析 ○水谷朋子・クマール アニール・平本俊郎（東大） SDM2013-142 |
110億個のトランジスタの特性分布のテール部分にあるトランジスタの特性を詳細に解析した．その結果，定電流法で定義された ... [more] | SDM2013-142 pp.31-34 |
| SDM | 2014-01-29 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御による超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつき抑制 ○槇山秀樹・山本芳樹・篠原博文・岩松俊明・尾田秀一・杉井信之（超低電圧デバイス技研組合）・石橋孝一郎（電通大）・水谷朋子・平本俊郎（東大）・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合） SDM2013-143 |
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧低減に有効である。しかし、超低電圧領域で... [more] | SDM2013-143 pp.35-38 |
| SDM | 2014-01-29 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強い短チャネル効果耐性と閾値変調性を持つ極薄膜InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFET ○金 相賢・横山正史・中根了昌（東大）・市川 磨・長田剛規・秦 雅彦（住友化学）・竹中 充・高木信一（東大） SDM2013-144 |
[more] | SDM2013-144 pp.39-42 |
| SDM | 2014-01-29 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］ウェハ積層とVia-last型TSVを用いた三次元集積化CMOSデバイスの開発 ○青木真由・古田 太・朴澤一幸・花岡裕子・武田健一（日立） SDM2013-145 |
今回、Via-last型TSV(シリコン貫通電極)技術を用い、CMOSデバイスウェハを含むウェハの3層積層を世界で初めて... [more] | SDM2013-145 pp.43-46 |
| SDM | 2014-01-29 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］1.2μm裏面照射型イメージセンサにおける飽和信号増大と混色抑制のための三次元構造 篠原武一・○渡辺一史（ソニーセミコンダクタ）・太田和伸（ソニー）・中山 創（ソニーセミコンダクタ）・森川隆史（ソニー）・大野圭一・杉本 大（ソニーセミコンダクタ）・門村新吾・平山照峰（ソニー） SDM2013-146 |
1.20μm裏面照射型CMOSイメージセンサに適用した二つの三次元画素構造、縦型転送ゲート(VTG)と埋め込み遮光メタル... [more] | SDM2013-146 pp.47-50 |
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