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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)  (検索条件: 2015年度)

「from:2016-01-28 to:2016-01-28」による検索結果

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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2016-01-28
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]極薄膜Ge-On-Insulator(GOI) p-MOSFETのキャリア輸送特性
ユウ シャオ亢 健竹中 充高木信一東大SDM2015-120
 [more] SDM2015-120
pp.1-4
SDM 2016-01-28
10:30
東京 機械振興会館 [招待講演]Advanced SPCプロセスにより形成された高移動度poly-Siナノワイヤトランジスタにおける電気輸送特性
小田 穣佐久間 究上牟田雄一齋藤真澄東芝SDM2015-121
固相成長(SPC)法におけるpoly-Si膜形成プロセスを最適化したAdvanced SPCプロセスを適用し、高性能ポリ... [more] SDM2015-121
pp.5-8
SDM 2016-01-28
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]トンネルトランジスタにおけるBTIの理解
水林 亘森 貴洋福田浩一石川由紀森田行則右田真司太田裕之柳 永勛大内真一塚田順一山内洋美松川 貴昌原明植遠藤和彦産総研SDM2015-122
Siチャネルp型トンネルFETs(pTFETs)のNBTIを系統的に調べた。pTFETsのNBTI劣化機構はpFETsと... [more] SDM2015-122
pp.9-12
SDM 2016-01-28
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]ファンデルワールス接合の作製と量子輸送現象
町田友樹守谷 頼佐田洋太山口健洋荒井美穂矢吹直人森川 生増渕 覚東大)・上野啓司埼玉大SDM2015-123
グラフェンや二次元層状物質をファンデルワールス力で積層した、ファンデルワールス接合を用いた新機能素子実現の試みについて述... [more] SDM2015-123
pp.13-16
SDM 2016-01-28
14:00
東京 機械振興会館 [招待講演]Si上異種半導体集積によるCMOSフォトニクス
竹中 充金 栄現韓 在勲亢 健一宮佑希程 勇鵬朴 珍權金 相賢高木信一東大SDM2015-124
本論文では,Siプラットフォーム上にSiGeやGe,III-V族半導体を集積することで光電子集積回路を実現するCMOSフ... [more] SDM2015-124
pp.17-20
SDM 2016-01-28
14:30
東京 機械振興会館 [招待講演]最先端テクノロジノードにおける2RWデュアルポートSRAM設計事例
新居浩二薮内 誠ルネサス エレクトロニクス)・横山佳巧ルネサス システムデザイン)・石井雄一郎岡垣 健森本薫夫塚本康正ルネサス エレクトロニクス)・田中浩司田中美紀ルネサス システムデザイン)・田中信二ルネサス エレクトロニクスSDM2015-125
 [more] SDM2015-125
pp.21-25
SDM 2016-01-28
15:20
東京 機械振興会館 [招待講演]次世代垂直磁化MTJを用いた高速・低消費電力のキャッシュメモリ階層技術を持つノーマリーオフプロセッサ
池上一隆野口紘希高谷 聡鎌田親義天野 実安部恵子櫛田桂一北川英二落合隆夫下村尚治才田大輔川澄 篤原 浩幸伊藤順一藤田 忍東芝SDM2015-126
MTJをキャッシュメモリに応用することで、プロセッサの消費電力を大幅に低減することが期待されている。しかし、10 ns以... [more] SDM2015-126
pp.27-30
SDM 2016-01-28
15:50
東京 機械振興会館 [招待講演]極低ドレイン電圧で急峻なS値を持つPN Body Tied SOI FET
井田次郎金沢工大SDM2015-127
極低ドレイン電圧で非常に急峻なS値を持つPN-Body Tied SOI FET構造を提案しシミュレーションと試作で検討... [more] SDM2015-127
pp.31-34
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