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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)  (検索条件: 2021年度)

「from:2021-11-11 to:2021-11-11」による検索結果

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講演検索結果
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 15件中 1~15件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2021-11-11
10:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]シリコンIGBTの新展開 ~ スケーリングIGBTと両面ゲートIGBT ~
平本俊郎更屋拓哉東大SDM2021-53
パワーエレクトロニクス分野では,シリコンIGBT (insulated gate bipolar transistors... [more] SDM2021-53
pp.1-6
SDM 2021-11-11
11:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]統計的回路シミュレーションのための非正規分布モデルパラメータの生成
佐藤高史塚本裕貴辺 松京大)・新谷道広奈良先端大SDM2021-54
 [more] SDM2021-54
pp.7-12
SDM 2021-11-11
13:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]極低消費電力メモリ・ロジック・AI応用に向けたHfZrO2系FeFETへの期待
高木信一トープラサートポン カシディット羅 璇名幸瑛心王 澤宇李 宗恩田原建人竹中 充中根了昌東大SDM2021-55
2011年に、HfO2系絶縁膜において強誘電性が発見されて以来、HfO2系薄膜をゲート絶縁膜に用いたFeFETは、極めて... [more] SDM2021-55
pp.13-18
SDM 2021-11-11
14:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]三次元積層構造に向けた強誘電体HfO2 FeFETの消去動作の効率化に関する研究
小林正治Mo, FeiXiang, JiawenMei, Xiaoran沢辺慶起更屋拓哉平本俊郎東大)・Su, Chun-JungTSRI)・Hu, Vita Pi-HoNTUSDM2021-56
ビッグデータの利活用のためにはIoTエッジデバイスにおけるストレージメモリの大容量化が欠かせない.特に消費電力性能が重要... [more] SDM2021-56
pp.19-22
SDM 2021-11-11
15:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]プラズマからのイオン衝撃により形成される欠陥構造の解析技術
江利口浩二京大SDM2021-57
電子デバイス製造においてプラズマプロセスは重要な役割を担っている.プラズマエッチングでは,イオン照射と表面反応最適化によ... [more] SDM2021-57
pp.23-28
SDM 2021-11-11
16:15
ONLINE オンライン開催 標準化された電荷密度対電圧特性に基づく新しいしきい値定義の提案
竹内 潔水谷朋子更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2021-58
基板でのフェルミレベルと真性レベルの差の2倍だけバンドが曲がった状態をMOSFETのしきい状態とするしきい値の定義方法が... [more] SDM2021-58
pp.29-32
SDM 2021-11-11
16:40
ONLINE オンライン開催 [招待講演]SISPAD2021レビュー
三成英樹ソニーセミコンダクタソリューションズSDM2021-59
2021 International Conference on Simulation of Semiconductor... [more] SDM2021-59
pp.33-37
SDM 2021-11-12
09:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]炭素欠陥制御に基づくSiC/SiO2界面の高品質化
小林拓真京大/東工大)・奥田貴史立木馨大伊藤滉二京大)・松下雄一郎東工大)・木本恒暢京大SDM2021-60
SiC MOSFETは電力変換用のパワーデバイスとして有望である。しかしSiC/SiO$_2$界面の高密度欠陥に起因した... [more] SDM2021-60
pp.38-42
SDM 2021-11-12
10:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]4H-SiCの高エネルギー輸送における一軸性応力の影響に関するフルバンドモンテカルロ解析
西村智也永久克己園田賢一郎緒方 完ルネサス エレクトロニクスSDM2021-61
SiCは、パワーデバイス向けの次世代半導体材料として期待されており、一部はすでに実用化されている。しかし、その応力応答は... [more] SDM2021-61
pp.43-46
SDM 2021-11-12
11:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]セルオートマトン法によるGaN HEMTの移動度の温度依存のモデリング
福田浩一服部淳一浅井栄大産総研)・矢板潤也小谷淳二富士通SDM2021-62
GaN HEMTの移動度の温度依存モデリングにセルオートマトン法を適用した。分布関数をテーブルで持ち微小時間ステップごと... [more] SDM2021-62
pp.47-52
SDM 2021-11-12
13:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]乱層構造を持つ多層グラフェンナノリボンの合成およびキャリア輸送現象
根岸良太東洋大SDM2021-63
 [more] SDM2021-63
pp.53-59
SDM 2021-11-12
14:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]高感度ひずみセンサー用のダンベル型グラフェンナノリボンのショットキーエネルギー障壁のひずみ誘起変化に関する理論的研究
張 秦強鈴木 研三浦英生東北大SDM2021-64
提案されたダンベル型のグラフェンナノリボン(DS-GNR)構造における電子特性のひずみ誘起変化 は,第一原理計算を使用し... [more] SDM2021-64
pp.60-65
SDM 2021-11-12
15:45
ONLINE オンライン開催 [招待講演]非平衡グリーン関数法に基づくナノスケールデバイスシミュレーションの機械学習を用いた高速化
相馬聡文神戸大SDM2021-65
非平衡グリーン関数法に基づくデバイスシミュレーションでは行列演算を要する非平衡空間電荷分布の計算がボトルネックとなるが,... [more] SDM2021-65
pp.66-71
SDM 2021-11-12
16:45
ONLINE オンライン開催 Physics Informed Neural Networksを用いたシリコンナノワイヤ中のフォノン輸送解析
藤田悠摩鈴木悠平鎌倉良成阪工大SDM2021-66
偏微分方程式の近似解を求めることができるPhysics Informed Neural Networks (PINNs)... [more] SDM2021-66
pp.72-76
SDM 2021-11-12
17:10
ONLINE オンライン開催 機械学習を用いた極微細MOSFETの電気特性およびパラメータの推定
赤澤光平中西唯吾鈴木悠平鎌倉良成阪工大SDM2021-67
機械学習を用いたMOSFETのSPICEパラメータ推定手法について検討を行った.BSIM4で用いられるパラメータをランダ... [more] SDM2021-67
pp.77-80
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