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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)  (検索条件: 2022年度)

「from:2023-01-30 to:2023-01-30」による検索結果

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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2023-01-30
13:10
東京 機械振興会館(B3-1) [招待講演]セル面積極小化に向けたIGZO/Ge/2Si異種チャネル3次元集積型6T SRAMの開発
張 文馨産総研)・余 心仁洪 子杰李 耀仁台湾半導体研究中心)・趙 天生台湾陽明交通大)・王 永和台湾成功大)・前田辰郎産総研SDM2022-79
 [more] SDM2022-79
pp.1-4
SDM 2023-01-30
13:40
東京 機械振興会館(B3-1) [招待講演]高耐圧CAAC-IGZO FETと0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いたデータ書き換え時間が10n秒のFeRAM
大嶋和晃遠藤正己沼田至優恵木勇司井坂史人大野敏和手塚祐朗濱田俊樹古谷一馬津田一樹松嵜隆徳大貫達也村川 努國武寛司半導体エネルギー研)・小林正治東大)・山﨑舜平半導体エネルギー研SDM2022-80
酸化物半導体電界効果トランジスタとHfO2 系キャパシタを用いて強誘電体メモリを試作した。
HfO2系キャパシタの下部... [more]
SDM2022-80
pp.5-8
SDM 2023-01-30
14:10
東京 機械振興会館(B3-1) [招待講演]10^7以上の書き換え耐性のあるはんだリフロー工程対応のeFlash用25nmiPMA型Hexa-MTJ
本庄弘明西岡浩一三浦貞彦・○永沼 博渡辺俊成那須野 孝谷川高穂野口靖夫井上博文安平光雄池田正二遠藤哲郎東北大SDM2022-81
A solder reflow capable eflash-type MRAM was realized by int... [more] SDM2022-81
pp.9-12
SDM 2023-01-30
14:55
東京 機械振興会館(B3-1) [招待講演]RonAと逆導通信頼性のトレードオフ改善を実現する、SiC-MOSFETにおける効果的なSBD内蔵構造
朝羽俊介古川 大楠本雄司東芝デバイス&ストレージ)・飯島良介東芝)・河野洋志東芝デバイス&ストレージSDM2022-82
逆導通動作時のバイポーラ電流によって特性劣化するSiC-MOSFETの信頼性課題は、Schottky Barrier D... [more] SDM2022-82
pp.13-16
SDM 2023-01-30
15:25
東京 機械振興会館(B3-1) [招待講演]Ge2Sb2Te3S2を用いた不揮発性相変化中赤外光位相シフタ
宮武悠人東大)・牧野孝太郎富永淳二宮田典幸中野隆志岡野 誠産総研)・トープラサートポン カシディット高木信一竹中 充東大SDM2022-83
相変化材料に基づく光位相シフタは, シリコンフォトニクスプラットフォームにおいて中赤外領域で動作する量子光回路の有望な構... [more] SDM2022-83
pp.17-20
SDM 2023-01-30
15:55
東京 機械振興会館(B3-1) [招待講演]未来のテラヘルツ応用に向けた共鳴トンネルダイオード技術
鈴木左文東工大SDM2022-84
 [more] SDM2022-84
pp.21-24
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