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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2010年度)
「from:2011-02-23 to:2011-02-23」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-23 13:30 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | ［招待講演］シリサイド系太陽電池及びスピントロニクスを目指して ○末益 崇（筑波大/JST）・齋藤隆允・岡田淳史・藤 克昭・M. Ajmal Khan・Du Weijie・眞壁健司・伊藤啓太・原田一範（筑波大）・宇佐美徳隆（東北大/JST）  ED2010-192 SDM2010-227 |
[more] | ED2010-192 SDM2010-227 pp.1-5 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-23 14:10 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 単電子ポンプ動作を利用した半導体冷却デバイスの研究 ○池田浩也・ファイズ サレ（静岡大） ED2010-193 SDM2010-228 |
単電子箱と単電子ポンプを組み合わせた構造を持つ,新しい単電子冷却デハ&#... [more] | ED2010-193 SDM2010-228 pp.7-12 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-23 14:35 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | Pドープ極薄Siにおけるゼーベック係数の理論的評価 ファイズ サレ・○池田浩也（静岡大） ED2010-194 SDM2010-229 |
[more] | ED2010-194 SDM2010-229 pp.13-17 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-23 15:15 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 分割型電圧フィードバックエレクトロマイグレーション法を用いた室温動作可能なプレナー型強磁性トンネル接合素子の作製 ○安武龍太朗・渡邉敬登・上野俊介・北川 潤・白樫淳一（東京農工大） ED2010-195 SDM2010-230 |
[more] | ED2010-195 SDM2010-230 pp.19-23 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-23 15:40 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | マイクロサイズの電子線筺筒の開発とその応用 ○根尾陽一郎・高木康男・藤野高弘・小池昭史（静岡大）・長尾昌善・吉田知也・西 孝（産総研）・村田英一・酒井健太郎（名城大）・青木 徹・三村秀典（静岡大） ED2010-196 SDM2010-231 |
[more] | ED2010-196 SDM2010-231 pp.25-29 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-23 16:05 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析 ○沖川侑揮・大野雄高・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2010-197 SDM2010-232 |
プラズマCVD法を用いて作製したカーボンナノチューブ(CNT)薄膜トランジスタの電気伝導特性を走査型プローブ顕微鏡により... [more] | ED2010-197 SDM2010-232 pp.31-36 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-23 16:30 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | FinFET高周波特性の高精度評価に関する研究 ○坂井秀男（慶大）・大内真一・松川 貴・遠藤和彦・柳 永勲・塚田順一・石川由紀・中川 格・関川敏弘・小池帆平・坂本邦博・昌原明植（産総研）・石黒仁揮（慶大） ED2010-198 SDM2010-233 |
近年、FinFETがMOSFETに代わる優秀なトランジスタとして、各研究機関で研究されている。しかし、FinFETを搭載... [more] | ED2010-198 SDM2010-233 pp.37-42 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-23 16:55 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | SQUID共振を利用したサブミクロンAl接合容量の測定 ○菊池健人・守屋雅隆・島田 宏・水柿義直（電通大） ED2010-199 SDM2010-234 |
サブミクロンAl 接合をもつデバイス作製にあたっては、接合容量をはじめ、抵抗やインダクタンスのデバイスパラメータを正確に... [more] | ED2010-199 SDM2010-234 pp.43-48 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-24 09:30 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤCCDの試作と電荷転送動作の検討 ○中野雄紀・三浦健輔・白鳥悠太（北大）・葛西誠也（北大/JST） ED2010-200 SDM2010-235 |
同期型ナノワイヤ集積回路の構成要素として，GaAs系ナノワイヤをショットキーラップゲートで制御した電荷結合素子（Char... [more] | ED2010-200 SDM2010-235 pp.49-52 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-24 09:55 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 共鳴トンネルダイオードペアを装荷した右手/左手系複合伝送線路における信号増幅 ○前澤宏一・笠原康司・潘 杰・森 雅之（富山大） ED2010-201 SDM2010-236 |
共鳴トンネル素子を装荷した伝送線路におけるTHz帯域増幅器の可能性について検討した．共鳴トンネルダイオードは直列ペア構成... [more] | ED2010-201 SDM2010-236 pp.53-56 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-24 10:20 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | Single-Electron Transfer between Two Donors in Thin Nanoscale Silicon Transistors ○Daniel Moraru・Earfan Hamid・Juli Cha Tarido・Sakito Miki・Ryusuke Nakamura・Takeshi Mizuno・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） ED2010-202 SDM2010-237 |
[more] | ED2010-202 SDM2010-237 pp.57-62 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-24 10:45 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性 ○篠原迪人・加藤勇樹・三上 圭・有田正志（北大）・藤原 聡（NTT）・高橋庸夫（北大） ED2010-203 SDM2010-238 |
強い縦方向電界を印加した単電子トランジスタ(SET)では、光照射により単電子島で単一電子・正孔対が生成・消滅することで電... [more] | ED2010-203 SDM2010-238 pp.63-66 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-24 11:10 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | Current Intermittency in SOI-FETs under Light Illumination ○Arief Udhiarto・Daniel Moraru・Ryusuke Nakamura・Takeshi Mizuno・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） ED2010-204 SDM2010-239 |
あらまし 私たちは連続光照射がSOI電界効果トランジスタ(SOI-FETs)における量子ドットを介した単電子輸送に与え... [more] | ED2010-204 SDM2010-239 pp.67-72 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-24 11:35 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 単一電子を利用した確率共鳴 ○西口克彦・藤原 聡（NTT） ED2010-205 SDM2010-240 |
シリコンMOSFETに流れる単一電子を利用した確率共鳴について報告する．ナノ・スケールMOSFETに微小信号を入力すると... [more] | ED2010-205 SDM2010-240 pp.73-77 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-24 12:00 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 量子ドットと並列ネットワークにおける単電子確率共鳴 ○葛西誠也（北大/JST）・白鳥悠太・三浦健輔・中野雄紀（北大） ED2010-206 SDM2010-241 |
熱ゆらぎによって駆動される量子ドット並列加算ネットワークにおける単電子確率共鳴に関し，ドットばらつきの効果についてシミュ... [more] | ED2010-206 SDM2010-241 pp.79-82 |
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