研究会開催プログラム

お知らせ 2023年度・2024年度学生員会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ技術研究報告と和文論文誌Ｃの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について

電子情報通信学会研究会発表申込システム
研究会開催プログラム

技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ

トップ

戻る

前のSDM研究会 / 次のSDM研究会

[HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]

[Japanese] / [English]

シリコン材料・デバイス研究会（SDM）

[schedule] [select]

専門委員長		浅野種正 (九大)
副委員長		杉井寿博 (富士通)
幹事		川中繁 (東芝)，安斎久浩 (ソニー)
幹事補佐		大見俊一郎 (東工大)

日時	2007年12月14日(金)　10:00 - 18:00
議題	シリコン関連材料の作製と評価
会場名	奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
住所	奈良県生駒市高山町8916-5
交通案内	地下鉄中央線「学研北生駒」駅下車バス8分または近鉄京都線高の原駅下車バス20分 http://mswebs.naist.jp/access/index.html
会場世話人連絡先	奈良先端科学技術大学院大学冬木隆
著作権について	以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

12月14日(金) 午前 10:00 - 18:00
(1)	10:00-10:20	パルス急速熱処理によるNi内包フェリチンを用いた結晶成長速度の向上 SDM2007-222	○越知誠弘・菅原祐太・三浦篤志・浦岡行治・冬木　隆（奈良先端大）・山下一郎（奈良先端大/松下電器）
(2)	10:20-10:40	半導体レーザ加熱処理による浅い接合形成 SDM2007-223	○鮫島俊之（東京農工大）・佐野直樹（ハイテックシステムズ）・内藤勝男（日新イオン機器）
(3)	10:40-11:00	レーザプラズマ軟X線照射がエキシマ・レーザによるa-Si膜の結晶化に与える効果 SDM2007-224	高梨泰幸・○松尾直人・上拾石和也・部家　彰・天野　壮・宮本修治・望月孝晏（兵庫県立大）
(4)	11:00-11:20	Poly-Si TFTにおける容量-電圧特性のシミュレーションによる解析 SDM2007-225	○葛岡　毅・辻　博史・桐原正治・鎌倉良成・谷口研二（阪大）
(5)	11:20-11:40	抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気伝導特性 SDM2007-226	○鈴木亮太・須田　淳・木本恒暢（京大）
(6)	11:40-12:00	極薄トンネル酸化膜を用いたバイオナノドットフローティングゲートMOSデバイスの充放電特性（講演なし）	○梅田朋季・矢野裕司・三浦篤志・浦岡行治・冬木　隆（奈良先端大）・山下一郎（奈良先端大/松下電器）
	12:00-13:00	昼食　（ 60分）
(7)	13:00-13:30	Effective Activation of Phosphorus atom in Si film using ELA SDM2007-227	○Takashi Noguchi（Univ. of Ryukyus）
(8)	13:30-13:50	ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測 SDM2007-228	○古川弘和・東　清一郎・岡田竜弥・加久博隆・村上秀樹・宮崎誠一（広島大）
(9)	13:50-14:10	光散乱法を利用した薄膜Si1-xGex/Siの転位運動の観測 SDM2007-229	○原　明人（東北学院大）・田村直義・中村友二（富士通研）
(10)	14:10-14:30	Fe3Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル成長の軸配向性の評価 SDM2007-230	○平岩佑介（京大）・安藤裕一郎・熊野　守・上田公二・佐道泰造・宮尾正信（九大）・鳴海一雅（原子力機構）・前田佳均（京大）
(11)	14:30-14:50	Xe＋プレアモルファス化注入を用いたGe n+/p接合形成	○福永哲也・芝原健太郎（広島大）
(12)	14:50-15:10	共役反転格子フォトニック結晶での導波解析 SDM2007-231	○國松俊佑（京大）・寺井慶和（阪大）・前田佳均（京大）
(13)	15:10-15:30	シリコン太陽電池用SiNxパッシベーション膜におけるNH3プラズマ界面改質効果 SDM2007-232	○岸山友紀・高橋　優・大鐘章義・Athapol Kitiyanan・浦岡行治・冬木　隆（奈良先端大）
	15:30-15:50	休憩　（ 20分）
(14)	15:50-16:20	［招待講演］シリコンナノ結晶の物性と応用	○藤井　稔（神戸大）
(15)	16:20-16:40	傾斜メサ構造とJTE領域を有する10 kV SiC PiNダイオード SDM2007-233	○日吉　透（京大）・堀　勉（日立）・須田　淳・木本恒暢（京大）
(16)	16:40-17:00	4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定 SDM2007-234	○岡本　大・矢野裕司・畑山智亮・浦岡行治・冬木　隆（奈良先端大）
(17)	17:00-17:20	Poly-Si TFTを用いたデバイスレベルのニューラルネットワーク SDM2007-235	○小野寺　亮・笠川知洋・小嶋明樹・木村　睦（龍谷大）・原　弘幸・井上　聡（セイコーエプソン）
(18)	17:20-17:40	アルコール系溶液による強誘電体薄膜特性の焼成条件依存性 SDM2007-236	○山口正樹（芝浦工大）・増田陽一郎（八戸工大）
(19)	17:40-18:00	磁気光学空間光変調器のPoly-Si TFTによるアクティブマトリクス駆動の動作検討 SDM2007-237	○大井秀夫・木村　睦（龍谷大）・鈴木洋一・石川省吾・梅澤浩光（FDK）・高木宏幸・金　周映・内田裕久・井上光輝（豊橋技科大）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [今後の予定はこちら]
	問合先	西岡泰城（日本大学理工学部精密機械工学科） TEL047-469-6482,FAX047-467-9504 E-:etn-u,acmsk