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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 前澤 宏一 (富山大)
副委員長 津田 邦男 (東芝)
幹事 松永 高治 (NEC), 鈴木 寿一 (北陸先端大)
幹事補佐 新井 学 (新日本無線), 東脇 正高 (NICT)

日時 2016年 7月23日(土) 14:00 - 16:20
2016年 7月24日(日) 09:30 - 11:50
議題 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 
会場名 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 
住所 〒192-0397 東京都八王子市南大沢1-1
交通案内 http://www.tmu.ac.jp/university/campus_guide/map.html
会場世話人
連絡先
理工学研究科 電気電子工学専攻 須原理彦教授
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

7月23日(土) 午後 
14:00 - 14:50
(1) 14:00-14:25 水蒸気を用いた表面酸化制御InAlN/GaN MOS-HEMT ED2016-27 尾崎史朗牧山剛三多木俊裕鎌田陽一佐藤 優新井田佳孝岡本直哉常信和清富士通研
(2) 14:25-14:50 AlTiO/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体デバイスにおけるローレンツ型低周波ノイズ ED2016-28 鈴木寿一Son Phuong Le宇井利昌Tuan Quy NguyenHong-An Shih北陸先端大
  14:50-15:05 休憩 ( 15分 )
7月23日(土) 午後 
15:05 - 16:20
(3) 15:05-15:30 Ga2O3上に堆積したSiO2膜におけるポストアニールの影響 ED2016-29 小西敬太上村崇史ワン マンホイNICT)・佐々木公平倉又朗人山腰茂伸タムラ製作所)・東脇正高NICT
(4) 15:30-15:55 p-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si構造の不揮発性pnメモリダイオードと低電圧動作 ED2016-30 土屋充沙塚本貴広須田良幸東京農工大
(5) 15:55-16:20 Ge(111)基板上へのInSb薄膜のエピタキシャル成長 ED2016-31 三枝孝彰森 雅之前澤宏一富山大
7月24日(日) 午前 
09:30 - 11:50
(6) 09:30-09:55 非線形メタマテリアル線路における共鳴相互作用 ED2016-32 楢原浩一神奈川工科大
(7) 09:55-10:20 高い共鳴トンネル電流の正孔トンネル型Si1-xGex/Si系2重量子井戸共鳴トンネルダイオード ED2016-33 新川綾佳脇谷 実前田裕貴塚本貴広須田良幸東京農工大
(8) 10:20-10:45 CaF2/Si/CaF2共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性 ED2016-34 田辺直之島中智史須田慶太渡辺正裕東工大
  10:45-11:00 休憩 ( 15分 )
(9) 11:00-11:25 円偏波放射が可能なラジアルラインスロットアンテナ集積共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器 ED2016-35 堀川大輔鈴木左文浅田雅洋東工大
(10) 11:25-11:50 半導体メサ集積レクテナのテラヘルツ帯検波特性の解析 ED2016-36 徳岡岳海須原理彦首都大東京

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 松永 高治(日本電気)
TEL:044-435-8348 Fax :044-455-8253
E--mail: k-fpc
鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学)
TEL : 0761-51-1441 Fax : 0761-51-1455
E--mail : sijaist 


Last modified: 2016-07-06 11:16:01


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