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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 大見 俊一郎 (東工大)
副委員長 宇佐美 達矢 (日本エーエスエム)
幹事 諏訪 智之 (東北大), 野田 泰史 (パナソニック)
幹事補佐 細井 卓治 (関西学院大), 二瀬 卓也 (サンディスク)

日時 2023年 1月30日(月) 13:10 - 16:55
議題 先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集) 
会場名 機会振興会館(B3-1) 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3丁目5−8
交通案内 東京メトロ日比谷線 神谷町駅下車 徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/
他の共催 ◆応用物理学会シリコンテクノロジー分科会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(SDM研究会)についてはこちらをご覧ください.

1月30日(月) 午後 
13:00 - 16:55
  13:00-13:10 研究会担当者からのアナウンスなど ( 10分 )
(1) 13:10-13:40 [招待講演]セル面積極小化に向けたIGZO/Ge/2Si異種チャネル3次元集積型6T SRAMの開発 SDM2022-79 張 文馨産総研
(2) 13:40-14:10 [招待講演]高耐圧CAAC-IGZO FETと0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いたデータ書き換え時間が10n秒のFeRAM SDM2022-80 大嶋和晃遠藤正己沼田至優恵木勇司井坂史人大野敏和手塚祐朗濱田俊樹古谷一馬津田一樹松嵜隆徳大貫達也村川 努國武寛司半導体エネルギー研)・小林正治東大)・山﨑舜平半導体エネルギー研
(3) 14:10-14:40 [招待講演]10^7以上の書き換え耐性のあるはんだリフロー工程対応のeFlash用25nmiPMA型Hexa-MTJ SDM2022-81 永沼 博東北大
  14:40-14:55 休憩 ( 15分 )
(4) 14:55-15:25 [招待講演]RonAと逆導通信頼性のトレードオフ改善を実現する、SiC-MOSFETにおける効果的なSBD内蔵構造 SDM2022-82 朝羽俊介古川 大楠本雄司東芝D&S)・飯島良介東芝)・河野洋志東芝D&S
(5) 15:25-15:55 [招待講演]Ge2Sb2Te3S2を用いた不揮発性相変化中赤外光位相シフタ SDM2022-83 宮武悠人東大)・牧野孝太郎富永淳二宮田典幸中野隆志岡野 誠産総研)・トープラサートポン カシディット高木信一竹中 充東大
(6) 15:55-16:25 [招待講演]未来のテラヘルツ応用のための共鳴トンネルダイオード発振器 SDM2022-84 鈴木左文東工大
(7) 16:25-16:55 [招待講演]IEDM2022を振り返って
○黒田理人(東北大)

講演時間
招待講演発表 25 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 1月研究会担当:高橋芳浩(日大理工)
n-u 


Last modified: 2023-01-10 15:30:19


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