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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 大見 俊一郎 (東工大)
副委員長 宇佐美 達矢 (ラピダス)
幹事 諏訪 智之 (東北大), 野田 泰史 (パナソニック)
幹事補佐 細井 卓治 (関西学院大), 二瀬 卓也 (ウエスタンデジタル)

日時 2024年 2月21日(水) 10:00 - 16:35
議題 配線・実装時術と関連材料技術 
会場名 東京大学 本郷 工4号館 
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(SDM研究会)についてはこちらをご覧ください

2月21日(水) 午後  本郷キャンパス 工学部4号館
10:00 - 16:35
  10:00-10:05 開会挨拶 ( 5分 )
(1) 10:05-10:45 [招待講演]Pre-treatment Study for Barrier-less Ruthenium Filling into Single Damascene via of Sub 20nm Hole Size SDM2023-81 Ryota YonezawaKai-Hung YuHirokazu AizawaHidenao SuzukiCory WajdaGert LeusinkTTCA
(2) 10:45-11:25 [招待講演]量子ビット制御用低温SoC向け、超伝導Nb配線の開発 SDM2023-82 沼田秀昭井口憲幸NBS)・田中雅光名大)・岡本浩一郎三浦貞彦NBS)・内田 建東大)・石黒仁揮慶大)・阪本利司多田宗弘NBS
(3) 11:25-12:05 [招待講演]3次元集積回路の電源品質改善のための裏面埋設配線技術の開発 SDM2023-83 渡辺直也荒賀佑樹島本晴夫産総研)・永田 真神戸大)・菊地克弥産総研
  12:05-13:30 昼食 ( 85分 )
(4) 13:30-14:10 [招待講演]材料・デバイス局所領域の電磁場直接観察 SDM2023-84 柴田直哉東大
(5) 14:10-14:50 [招待講演]Cu/SiCNハイブリッド接合の接合前表面最適化技術 SDM2023-85 中山航平端山健太神谷佑哲・○井上史大横浜国大
  14:50-15:10 休憩 ( 20分 )
(6) 15:10-15:50 [招待講演]3D flash memoryにおけるメタライゼーションと CMOS Directly Bonded to Array (CBA)技術 SDM2023-86 田上政由キオクシア
(7) 15:50-16:30 [招待講演]Recent Studies of WoW and CoW Cu-Cu Hybrid Bonding SDM2023-87 Yoshihisa KagawaYukako IkegamiTakahiro KameiHayato IwamotoSSS
  16:30-16:35 閉会挨拶 ( 5分 )

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社 平野 博茂 getpco 


Last modified: 2023-12-27 16:14:06


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