お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2022年6月開催~)
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集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 高橋 真史 (キオクシア)
副委員長 池田 誠 (東大)
幹事 廣瀬 哲也 (阪大), 新居 浩二 (TSMCデザインテクノロジージャパン)
幹事補佐 宮地 幸祐 (信州大), 吉原 義昭 (キオクシア), 久保木 猛 (ソニーセミコンダクタソリューションズ)

日時 2022年 4月11日(月) 09:30 - 16:45
2022年 4月12日(火) 09:30 - 16:20
議題 メモリ技術と集積回路技術一般 
会場名 川崎市産業振興会館9F第2研修室 
住所 〒212-0013 神奈川県川崎市幸区堀川町66番地20
交通案内 https://kawasaki-sanshinkaikan.jp/access.html
他の共催 ◆IEEE SSCS Japan Chapter;IEEE SSCS Kansai Chapter共催
お知らせ ◎研究会参加はGoogleフォーム(https://forms.gle/jqUpw5MmAfF5MkHq5)からお申し込みください。参加費は3,000円(消費税込)です。
◎Googleフォームにアクセスできない場合には、氏名、所属、参加方法(現地参加 or オンライン参加)を担当幹事の新居(igまたはkiatsmc)までご連絡ください。
◎参加登録いただいた皆様には、オンライン会議WebExのアクセス先をお送り致します。4月10日までに受け取られていない方は担当幹事までご連絡ください。

4月11日(月) 午前 
座長: 野口 英和(マイクロンメモリージャパン)
09:30 - 12:00
(1) 09:30-10:15 [招待講演] A 1-Tb 4b/Cell 4-Plane 162-Layer 3D Flash Memory with a 2.4-Gb/s I/O Speed Interface
Jong Yuh, Jason Li, Heguang Li, Yoshihiro Oyama, Cynthia Hsu, Pradeep Anantula, Stanley Jeong, Anirudh Amarnath, Siddhesh Darne, Sneha Bhatia, Tianyu Tang, Aditya Arya, Naman Rastogi, 大熊 直樹, 水越 裕之, Alex Yap, Demin Wang, Steve Kim, Yonggang Wu, Min Peng, Jason Lu, Tommy Ip, Seema Malhotra, David Han, Masatoshi Okumura, Jiwen Liu, John Sohn, Hardwell Chibvongodze, Muralikrishna Balaga, Aki Matsuda, Chakshu Puri, Chen Chen, Indra K V, Chaitanya G, Venky Ramachandra, 〇加藤 洋介, Ravi Kumar, Huijuan Wang, Farookh Moogat, In-Soo Yoon (ウエスタンデジタル), 神田 和重, 清水 孝洋, 柴田 昇, 栁平 康輔, 児玉 択洋, 福田 良, 平嶋 康伯, 阿部 光弘(キオクシア)
(2) 10:15-10:40 [依頼講演] 3Dフラッシュメモリの極低温動作によるストレージパフォーマンスの向上
〇饗場 悠太, 高瀬 覚, 藤澤 俊雄, 佐貫 朋也(キオクシア)
  10:40-10:50 休憩 ( 10分 )
(3) 10:50-11:35 [招待講演] 3D不揮発メモリの主要デバイス技術と課題
〇齋藤 真澄(キオクシア)
(4) 11:35-12:00 [一般講演] インターフェースの変更なしにアレイアクセスの消費電力を30%低減するNANDフラッシュ用センス回路設計
〇牧野 耀, 丹沢 徹(静岡大)
  12:00-13:30 昼食 ( 90分 )
4月11日(月) 午後 
座長: 三輪 達 (ウエスタンデジタル)
13:30 - 15:05
(5) 13:30-14:15 [招待講演] Status and outlook of embedded MRAM technology
〇KyungTae Nam, S. M. Noh, T. Y. Lee, J. M. Lee, M. K. Kim, K. S. Suh, M. K. Cho, B. Y. Seo, S. H. Han, K. H. Lee, D. S. Kim, J. H. Bak, S. P. Ko, D.E Jeong, T. Kai, H. Sato, Y. J. Song, and K. H. Lee(Samsung Electronics)
(6) 14:15-14:40 [依頼講演] 16nm Fin FETプロセス混載STT-MRAM における72%の書込みエネルギー低減を達成したセルフターミネーション書込み方式
〇橋本 康平, 伊藤 孝, 斉藤 朋也, 帯刀 恭彦, 園田 賢一郎, 渡辺 源太, 松原 謙, 神田 明彦, 下井 貴裕, 武田 晃一, 河野 隆司(ルネサス)
(7) 14:40-15:05 [依頼講演] 高信頼、小セル面積、高速スイッチングを狙った16Mb NRAMの開発
〇齋藤 仁, 渡邉 純一, 清野 淳司, 田村 哲朗, 佐次田 直也, 原 浩太, 川畑 邦範, 藤井 淳, 大野 潤, 中久保 敦, 児島 学(富士通セミコンダクターメモリソリューション), L. Cleveland, H. Luan, R. Sen, N. Leong, T. Gallagher, T. Rueckes(Nantero)
  15:05-15:15 休憩 ( 10分 )
4月11日(月) 午後 
座長: 渡邊 大輔(アドバンテスト)
15:15 - 16:45
(8) 15:15-16:00 [招待講演] 大規模SRAM搭載FPGAを利用したデータフロー型新型計算機の設計技術
〇若林 一敏(東大)
(9) 16:00-16:45 [招待講演] 三次元積層SRAMと近接場無線接続技術
〇柴 康太, 小菅 敦丈, 濱田 基嗣, 黒田 忠広(東大)
4月12日(火) 午前 
座長: 滋賀 秀裕(キオクシア)
09:30 - 12:00
(10) 09:30-10:15 [招待講演] HfO2系強誘電体を用いた三次元集積メモリデバイスの展望
〇小林 正治(東大)
(11) 10:15-11:00 [招待講演] DRAM: Challenges and Opportunities
〇濵田 耕治(マイクロン)
  11:00-11:10 休憩 ( 10分 )
(12) 11:10-11:35 [依頼講演] 電荷アシスト・オフセットキャンセル型センスアンプによる
200MHzランダムリード動作と7.91Mb/mm2のビット密度を実現したMCU向け40nm プロセス混載SG-MONOSフラッシュメモリ
〇岡山 昌太, 中野 全也, 金田 義宣, 武田 晃一, 下井 貴裕, 青木 康伸, 中西 悟, 田代 洋介, 帯刀 恭彦, 松原 謙, 中川 宗克, 小川 大也, 倉藤 崇, 三谷 秀徳, 伊藤 孝, 河野 隆司(ルネサス)
(13) 11:35-12:00 [依頼講演] 超低電圧リテンションSRAMのエネルギー最小点動作とそのBNNアクセラレータへの応用
〇塩津 勇作, 原 拓実, 菅原 聡(東工大)
  12:00-13:30 昼食 ( 90分 )
4月12日(火) 午後 
座長: 川嶋 将一郎(富士通セミコンダクターメモリソリューション)
13:30 - 16:20
(14) 13:30-14:15 [招待講演] AI向けComputation-in-Memory(CiM)
〇竹内 健(東大)
(15) 14:15-15:00 [招待講演] SONOS不揮発性メモリを用いたアナログComputing in Memory(CiM)技術の開発
〇山口 正登志, 川嶋 泰彦, 田松 毅, 大和田 福夫, 下里 健, 小堀 弘晶, 柳沢一正, 野田 敏, 吉田 省史, 小林 孝, 谷口 泰弘, 奥山 幸祐(フローディア), 池谷 大樹(帝人)
  15:00-15:10 休憩 ( 10分 )
(16) 15:10-15:35 [依頼講演] A 5-nm 254-TOPS/W 221-TOPS/mm2 Fully-Digital Computing-in-Memory Macro Supporting Wide-Range Dynamic-Voltage-Frequency Scaling and Simultaneous MAC and Write Operations
〇Haruki Mori, Hidehiro Fujiwara, Wei-Chang Zhao, Mei-Chen Chuang, Rawan Naous, Chao-Kai Chuang, Takeshi Hashizume, Dar Sun, Chia-Fu Lee, Kerem Akarvardar, Saman Adham, Tan-Li Chou, Mahmut Ersin Sinangil,Yih Wang, Yu-Der Chih, Yen-Huei Chen, Hung-Jen Liao, Tsung-Yung Jonathan Chang(TSMC)
(17) 15:35-16:20 [招待講演] SRAM Design Challenges and Solutions in FinFET technology
〇Hidehiro Fujiwara, Yen-Huei Chen, Hung-Jen Liao, Tsung-Yung Jonathan Chang(TSMC)

講演時間
招待講演発表 40 分 + 質疑応答 5 分
依頼講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 新居浩二(TSMCデザインテクノロジージャパン)
E-: ig, kiatsmc 


Last modified: 2022-04-09 16:53:05


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