研究会開催プログラム

お知らせ 2023年度・2024年度学生員会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ技術研究報告と和文論文誌Ｃの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について

電子情報通信学会研究会発表申込システム
研究会開催プログラム

技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ

トップ

戻る

前のED研究会 / 次のED研究会

[HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]

[Japanese] / [English]

電子デバイス研究会（ED）

[schedule] [select]

専門委員長		橋詰保 (北大)
副委員長		加地徹 (豊田中研)
幹事		原直紀 (富士通研)，津田邦男 (東芝)
幹事補佐		須原理彦 (首都大東京)，上田哲三 (パナソニック)

日時	2010年12月16日(木)　13:30 - 17:15 2010年12月17日(金)　09:30 - 16:05
議題	ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム
会場名	東北大学電気通信研究所片平北キャンパス
住所	〒980-8577 仙台市青葉区片平２－１－１
交通案内	JR仙台駅より約20分、東北大正門前バス停より徒歩約7分、地下鉄五橋駅より徒歩約8分 http://www.riec.tohoku.ac.jp/access/index-j.shtml
会場世話人連絡先	尾辻泰一 022-217-6104
お知らせ	◎・会場 ●ナノ・スピン総合研究棟４階カンファレンスルーム・会場までの道順: ●徒歩の場合仙台駅より約20分。 ●仙台市営バスご利用の場合駅前西口バスプール11番・霊屋橋経由に乗車。片平丁小学校前の次、東北大正門前で下車。徒歩約7分。 ●宮城交通バスご利用の場合駅前西口バスプール12番・動物公園経由長町ターミナル行に乗車。片平丁小学校前の次、東北大正門前で下車。徒歩約7分。 ●地下鉄ご利用の場合五橋駅下車。北2番の出入口より地上へ、徒歩約8分。・1日目(12/16)研究会終了後、懇親会を予定していますので御参加ください。
著作権について	以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

12月16日(木) 午後 13:30 - 17:15
(1)	13:30-14:10	［招待講演］共鳴トンネルダイオードの室温テラヘルツ発振 ED2010-158	○鈴木左文・浅田雅洋（東工大）
(2)	14:10-14:35	グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮 ED2010-159	○寺西豊志・鈴木左文・静野　薫・浅田雅洋（東工大）・杉山弘樹・横山春喜（NTT）
(3)	14:35-15:15	［招待講演］テラヘルツ無線通信の現状と将来展望 ED2010-160	○永妻忠夫（阪大）
	15:15-15:35	休憩　（ 20分）
(4)	15:35-16:00	局部発振器用THz-QCLの開発 ED2010-161	○入交芳久（NICT）・芝　祥一（東大）・関根徳彦・寶迫　巌（NICT）・小山知記・前澤裕之（名大）・山本　智（東大）
(5)	16:00-16:25	利得媒質と電場増強効果を用いたテラヘルツ増幅器 ED2010-162	○高塚裕也（北大）・佐野栄一（北大/JST）・リズィーヴィクトール（会津大/JST）・尾辻泰一（東北大/JST）
(6)	16:25-16:50	光励起グラフェンの非平衡キャリア緩和過程とテラヘルツ帯における反転分布 ED2010-163	○佐藤　昭（東北大）・ヴィクトールリズィー（会津大）・ステファンボウバンガ-トムベット・尾辻泰一（東北大）
(7)	16:50-17:15	Coherent and Tunable Terahertz Emission from Nano-metric Field Effect Transistor at Room Temperature ED2010-164	○Stephane Boubanga Tombet・Akira Satou（Tohoku Univ.）・Victor Ryzhii（Univ. of Aizu）・Taiichi Otsuji（Tohoku Univ.）
12月17日(金) 午前 09:30 - 16:05
(8)	09:30-10:10	［招待講演］InP-HEMT MMICを用いたミリ波インパルス無線の検討 ED2010-165	○原　直紀・中舍安宏・牧山剛三・高橋　剛（富士通/富士通研）
(9)	10:10-10:35	近傍界イメージング用77GHz帯モノスタティックレーダモジュール ED2010-166	○望月章志・都甲浩芳・久々津直哉（NTT）
(10)	10:35-11:15	［招待講演］準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス ED2010-167	○酒井啓之・黒田正行・根来　昇・村田智洋・永井秀一・西嶋将明・按田義治・上田哲三・田中　毅（パナソニック）
(11)	11:15-11:40	ナノゲートIn0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 ED2010-168	○遠藤　聡（NICT/富士通研）・渡邊一世（NICT）・三村高志（富士通研/NICT）
	11:40-13:00	昼食　（ 80分）
(12)	13:00-13:25	層状半導体GaSe結晶による1.2μm励起超広帯域連続周波数掃引テラヘルツ波発生 ED2010-169	○出崎　光・田邉匡生・小山　裕（東北大）
(13)	13:25-13:50	テラヘルツ偏光分光の一軸変形高分子材料その場評価への応用 ED2010-170	○渡邉健太・田邉匡生・小山　裕（東北大）
(14)	13:50-14:15	有機物分子性伝導体TTF-TCNQ単結晶のテラヘルツ物性とその応用 ED2010-171	○大橋隆宏・田邉匡生・小山　裕（東北大）
	14:15-14:35	休憩　（ 20分）
(15)	14:35-15:15	［招待講演］Key components of terahertz remote sensing system ED2010-172	○Juraj Darmo・Michael Martl・Daniel Dietze・Gottfried Strasser・Karl Unterrainer（Vienna Univ. of Tech.）
(16)	15:15-15:40	超平坦光コム発生器を用いたミリ波帯ビート信号の生成 ED2010-173	○諸橋　功・坂本高秀（NICT）・外林秀之（NICT/青学大）・川西哲也・寳迫　巌（NICT）
(17)	15:40-16:05	ポンプ-プローブ・レーザーテラヘルツ放射顕微鏡による低温成長ガリウム砒素（LT-GaAs）光伝導スイッチのキャリアダイナミクスに関する研究 ED2010-174	○藤原昌悟・川山　巌・村上博成・斗内政吉（阪大）

講演時間
一般講演	発表 20 分＋質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED） [今後の予定はこちら]
	問合先	原直紀（富士通研究所） TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168 E- : o 津田邦男（東芝） TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501 E- : oba 須原理彦（首都大） TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756 E- : t 上田哲三（パナソニック) TEL：075-956-8273、FAX：075-956-9110 E-： zopac