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集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 永田 真 (神戸大)
副委員長 高橋 真史 (キオクシア)
幹事 柘植 政利 (ソシオネクスト), 廣瀬 哲也 (阪大)
幹事補佐 新居 浩二 (TSMCデザインテクノロジージャパン), 宮地 幸祐 (信州大), 久保木 猛 (九大)

日時 2021年 4月12日(月) 13:15 - 16:35
2021年 4月13日(火) 10:00 - 16:00
議題 メモリ技術と集積回路技術一般 
会場名 オンライン開催に変更 [2021/03/27更新] 
住所 〒212-0013 神奈川県川崎市幸区堀川町66番地20
交通案内 https://kawasaki-sanshinkaikan.jp/access.html
他の共催 ◆IEEE SSCS Japan Chapter;IEEE SSCS Kansai Chapter共催
お知らせ ◎参加登録いただいた皆様に,オンライン会議WebExのアクセス先をお送りしております.4月9日までに受け取られていない方は担当幹事の廣瀬(eeieng-u)までご連絡ください.
◎[2021/03/27更新] 現在の状況を鑑み,本研究会はオンライン(WebEx)での開催に変更します.
◎研究会参加申し込みにつきましては,Googleフォーム( https://forms.gle/shVV9RRYFxBG5ypm7 )からお申し込みください.
◎研究会の参加費は3,000円です.
◎Googleフォームにアクセスできない場合には,氏名,所属,参加方法(現地参加 or オンライン参加)を幹事の廣瀬( eeieng-u )までご連絡いただけますようよろしくお願いいたします.

4月12日(月) 午後  セッション(1)
座長: 三輪 達(ウェスタンデジタル)
13:15 - 14:50
(1) 13:15-14:00 [招待講演] 大メモリアレイのWL遅延を最小化するプリエンファシスパルス:回路理論と最適パルス発生回路の提案
○丹沢 徹, 松山 和樹(静岡大学)
(2) 14:00-14:25 [依頼講演] Understanding of Tunable Selector Performance in Si-Ge-As-Se OTS Devices by Extended Percolation Cluster Model Considering Operation Scheme and Material Design
○S. Kabuyanagi(キオクシア株式会社), D. Garbin, A. Fantini, S. Clima, R. Degraeve, G. L. Donadio, W. Devulder, R. Delhougne, D. Cellier, A. Cockburn, W. G. Kim, M. Pakala, M. Suzuki, L. Goux and G. S. Kar
(3) 14:25-14:50 [依頼講演] Breakdown Lifetime Analysis of HfO2-based Ferroelectric Tunnel Junction (FTJ) Memory for In-Memory Reinforcement Learning
○山口 まりな, 藤井 章輔, 太田 健介, 齋藤 真澄(キオクシア株式会社)
  14:50-15:05 休憩 ( 15分 )
4月12日(月) 午後  セッション(2)
座長: 滋賀 秀裕(キオクシア株式会社)
15:05 - 16:35
(4) 15:05-15:50 [招待講演] Via-Switch FPGA: 65nm CMOS Implementation and Architecture Extension for AI Applications
○M. Hashimoto (阪大), X. Bai (NBS), N. Banno (NBS), M. Tada (NBS), T. Sakamoto (NBS), J. Yu (東工大), R. Doi (阪大), Y. Araki (京大), H. Onodera (京大), T. Imagawa (立命館大), H. Ochi (立命館大), K. Wakabayashi (東大), Y. Mitsuyama (高知工科大), and T. Sugibayashi (NBS)
(5) 15:50-16:35 [招待講演] CASE時代における自動車向けJISSO技術
○神谷 有弘(株式会社デンソー)
4月13日(火) 午前  セッション(3)
座長: 丹沢 徹(静岡大学)
10:00 - 11:55
(6) 10:00-10:45 [招待講演] Materials and process technology driven 3D NAND Scaling beyond 200 pairs
○北島 知彦(Applied Materials)
(7) 10:45-11:30 [招待講演] 多値・超多値NAND型フラッシュメモリの歴史
○柴田 昇(キオクシア株式会社)
(8) 11:30-11:55 [依頼講演] A 1Tb 3b/Cell 3D-Flash Memory in a 170+ Word-Line-Layer Technology
○樋口 勉(キオクシア株式会社)
  11:55-13:00 昼食 ( 65分 )
4月13日(火) 午後  セッション(4)
座長: 渡邊 大輔(アドバンテスト)
13:00 - 14:55
(9) 13:00-13:45 [招待講演] メモリ向けパッケージング技術
○右田 達夫(キオクシア株式会社)
(10) 13:45-14:30 [招待講演] 超高信頼性STT-MRAMと超高速SOT-MRAMの開発
~150℃データ保持とサブナノ秒動作への挑戦~
○遠藤 哲郎(東北大学)
(11) 14:30-14:55 [依頼講演] Scalability of Quad Interface p-MTJ for 1X nm STT-MRAM with 10ns Low Power Write Operation, 10 years Retention and Endurance > 1011
○三浦 貞彦(東北大学)
  14:55-15:10 休憩 ( 15分 )
4月13日(火) 午後  セッション(5)
座長: 野口 英和(マイクロンメモリージャパン合同会社)
15:10 - 16:00
(12) 15:10-15:35 [依頼講演] Dual-Port Field-Free SOT-MRAM Achieving 90MHz Read and 60MHz Write Operations Under 55nm CMOS Technology and 1.2V Supply Voltage
○夏井 雅典(東北大学)
(13) 15:35-16:00 [依頼講演] Circuit and Systems Based on Advanced MRAM for Near Future Computing Applications
○藤田 忍(キオクシア株式会社)

講演時間
招待講演発表 40 分 + 質疑応答 5 分
依頼講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 柘植 政利 (ソシオネクスト)
E-: gecioxt 


Last modified: 2021-04-19 09:05:27


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