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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター)
副委員長 大野 裕三 (筑波大)
幹事 野村 晋太郎 (筑波大), 笹子 佳孝 (日立)

日時 2012年11月15日(木) 10:00 - 15:45
2012年11月16日(金) 10:00 - 16:10
議題 プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
会場名 機械振興会館 地下3階 研修―2 
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

11月15日(木) 午前 
座長: 国清辰也 (ルネサスエレクトロニクス)
10:00 - 11:45
  10:00-10:05 オープニング トーク ( 5分 )
(1) 10:05-10:55 [招待講演]2012 SISPAD レビュー ~ 量子輸送,新材料,原子・分子モデリング,その他 ~ SDM2012-98 鎌倉良成阪大
(2) 10:55-11:45 [招待講演]2012 SISPAD レビュー ~ コンパクトモデル、デバイス(ばらつき、信頼性) ~ SDM2012-99 飯塚貴弘広島大
  11:45-13:00 昼食 ( 75分 )
11月15日(木) 午後 
座長: 安斎久浩 (ソニー)
13:00 - 14:15
(3) 13:00-13:50 [招待講演]SiCパワーデバイス・モジュールの高性能化 ~ 低抵抗,高耐熱によるシステムの小型化 ~ SDM2012-100 中村 孝明田正俊中野佑紀大塚拓一花田俊雄ローム
(4) 13:50-14:15 随伴変数法に基づくトポロジー最適化によるパワーデバイスの新設計手法 SDM2012-101 野村勝也近藤継男石川 剛川本敦史松森唯益杉山隆英豊田中研
  14:15-14:30 休憩 ( 15分 )
11月15日(木) 午後 
座長: 大倉康幸 (STARC)
14:30 - 15:45
(5) 14:30-15:20 [招待講演]高周波帯域雑音計測プローブによるMOSFETの時間揺らぎ特性評価 ~ 1/f(低周波)から熱雑音(100 MHz超)まで ~ SDM2012-102 大毛利健治筑波大
(6) 15:20-15:45 ランダム・テレグラフ・ノイズを引き起こす欠陥の種類とその特性 SDM2012-103 陳 杰智平野 泉辰村光介三谷祐一郎東芝
11月16日(金) 午前 
座長: 石川清志 (ルネサスエレクトロニクス)
10:00 - 11:40
(7) 10:00-10:25 20nm以細MOSFETの実効移動度モデルの反転層電荷閉じ込めを考慮した評価 SDM2012-104 山本真大廣木 彰尹 鍾鐵京都工繊大
(8) 10:25-10:50 低エネルギーLSI応用に向けたXCT-SOI-CMOSの微細化指針に関する検討 SDM2012-105 佐藤大貴大村泰久関西大
(9) 10:50-11:15 経験的擬ポテンシャル法による4H-SiC MOS反転層の2次元電子状態の計算 SDM2012-106 渡辺龍太鎌倉良成阪大
(10) 11:15-11:40 離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧特性に及ぼす影響 ~ KMCとNEGFによる研究 ~ SDM2012-107 森 伸也阪大)・植松真司慶大)・三成英樹ミリニコフ ゲナディ阪大)・伊藤公平慶大
  11:40-13:00 昼食 ( 80分 )
11月16日(金) 午後 
座長: 森 伸也 (大阪大学)
13:00 - 14:40
(11) 13:00-13:25 立体構造シリコン中の熱輸送に関する分子動力学シミュレーション SDM2012-108 図師知文早大/JST)・大毛利健治山田啓作筑波大/JST)・渡邉孝信早大/JST
(12) 13:25-13:50 現実的分散モデルを用いたSi薄膜中のフォノン輸送モンテカルロシミュレーション SDM2012-109 久木田健太郎阪大)・鎌倉良成阪大/JST
(13) 13:50-14:15 カーボンナノチューブやグラフェンシートの電子バンド構造に及ぼす三次元ひずみ場の影響解析 SDM2012-110 鈴木 研大西正人三浦英生東北大
(14) 14:15-14:40 Tunnel FETの非局所モデリング ~ デバイスモデルと回路モデル ~ SDM2012-111 福田浩一森 貴洋水林 亘森田行則田邊顕人昌原明植安田哲二右田真司太田裕之産総研
  14:40-14:55 休憩 ( 15分 )
11月16日(金) 午後 
座長: 林 洋一 (ラピスセミコンダクタ)
14:55 - 16:10
(15) 14:55-15:20 弾道・準弾道輸送円筒形GAA-MOSFETの回路コンパクトモデルとシミュレーション SDM2012-112 程 賀名大)・宇野重康立命館大)・沼田達宏中里和郎名大
(16) 15:20-15:45 トンネル型トランジスタを用いたシステムLSIとSEAセル型DRAMの設計法 SDM2012-113 鈴木良輔渡辺重佳湘南工科大
(17) 15:45-16:10 積層型Chain構造PRAM SDM2012-114 加藤 翔渡辺重佳湘南工科大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 国清辰也
ルネサスエレクトロニクス
E--mail address : tatsuya.kunikiyo.zn [Atmark] renesas.com 


Last modified: 2012-09-19 16:24:53


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