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電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 廣瀬 文彦 (山形大)
副委員長 武山 真弓 (北見工大)
幹事 岩田 展幸 (日大), 中村 雄一 (豊橋技科大)
幹事補佐 赤毛 勇一 (NTTデバイスイノベーションセンタ)

日時 2017年 7月21日(金) 13:30 - 17:40
2017年 7月22日(土) 09:30 - 12:13
議題 電子部品・材料、一般 
会場名 北見工業大学第一総合研究棟2F多目的講義室 
住所 〒090-8507 北海道北見市公園町165番地
交通案内 http://www.kitami-it.ac.jp/about/access/
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

7月21日(金) 午後  北見工業大学第一総合研究棟2F多目的講義室
13:30 - 17:40
(1) 13:30-13:48 オホーツク地域の食肉に関する電気的特性評価 CPM2017-21 山下貴央武山真弓佐藤 勝北見工大
(2) 13:48-14:06 反応性スパッタ法によるTiNx膜の低温作製 CPM2017-22 佐藤 勝武山真弓北見工大
(3) 14:06-14:24 sol-gel法によるZnO薄膜作製に関する研究 CPM2017-23 菅沼幸雄高野 泰静岡大
  14:24-14:39 休憩 ( 15分 )
(4) 14:39-14:57 光変調を目指したPZT-Bi:RIGマルチフェロイック複合膜の作製と評価 CPM2017-24 秋山直紀後藤太一高木宏幸中村雄一林 攀梅内田裕久井上光輝豊橋技科大
(5) 14:57-15:15 第一原理計算を用いたCa3Co4O9の電子状態に及ぼす元素置換の影響 CPM2017-25 小林大悟豊橋技科大)・谷林 慧一関高専)・中村雄一内田裕久井上光輝豊橋技科大
(6) 15:15-15:33 溶液成長法を用いたSnS膜形成法に関する基礎検討 CPM2017-26 野毛 悟沼津高専
(7) 15:33-15:51 集積型光アイソレータ実現のための磁気光学薄膜形成条件の検討 CPM2017-27 白鳥大毅野毛 悟沼津高専
  15:51-16:06 休憩 ( 15分 )
(8) 16:06-16:24 電子型強誘電体YbFe2O4薄膜の作製と化学当量性の評価 CPM2017-28 永田知子小野寺 巧山本 寛岩田展幸日大
(9) 16:24-16:42 CaFeOx/LaFeO3人工超格子界面に現れる誘起強磁性とその起源 CPM2017-29 大橋祥平松山祐貴赤澤孝徳宋 華平小山知之岡本卓也舘野友優永田知子山本 寛・○岩田展幸日大
(10) 16:42-17:00 BiFe1-xMnxO3単相膜及び[CaFeOx/BiFe1-xMnxO3]人工超格子の面直方向に関する電気特性 CPM2017-30 松山裕貴大橋祥平小山智之赤澤孝徳宋 華平館野友優岡本卓也永田知子山本 寛・○岩田展幸日大
(11) 17:00-17:40 [招待講演]電子材料研究に関わる私的40年史 CPM2017-31 山本 寛日大
7月22日(土) 午前  北見工業大学第一総合研究棟2F多目的講義室
09:30 - 12:13
(12) 09:30-09:48 触媒反応支援CVD法におけるパルスガス供給によるZnO結晶膜の単分子層成長制御 CPM2017-32 斎藤太朗小野翔太郎伊庭竜太・○安井寛治長岡技科大
(13) 09:48-10:06 SOI基板上へのフォトニック結晶共振器の形成と量子ドットの発光特性 CPM2017-33 松冨俊貴林 武司渡邊航大玉山泰宏加藤有行安井寛治長岡技科大
(14) 10:06-10:24 Fe支援化学溶液析出法によるCu2O薄膜の成長と表面モフォロジー CPM2017-34 寺迫智昭岡田英之小原翔平愛媛大
(15) 10:24-10:42 交互原料供給法による酸化スズおよびβ酸化ガリウムナノワイヤーのVLS成長とフォトルミネッセンス特性 CPM2017-35 寺迫智昭河野幸輝愛媛大)・矢木正和香川高専
  10:42-10:57 休憩 ( 15分 )
(16) 10:57-11:15 Al添加ZnOターゲットとスパッタ法により作製される薄膜の関係性の検討 CPM2017-36 清水英彦岩野春男川上貴浩福嶋康夫永田向太郎新潟大
(17) 11:15-11:33 室温原子層堆積法を用いた酸化ニオブの試作と評価 CPM2017-37 野老健太郎鹿又健作三浦正範有馬 ボシール アハンマド久保田 繁廣瀬文彦山形大
(18) 11:33-12:13 [招待講演]薄膜電子材料開発のための低ダメージスパッタ成膜技術開発の歩み CPM2017-38 星 陽一東京工芸大

講演時間
一般講演発表 12 分 + 質疑応答 6 分
招待講演発表 30 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
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問合先  


Last modified: 2019-07-22 14:51:05


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