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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 浅野 種正
副委員長 杉井 寿博
幹事 大野 守史, 川中 繁
幹事補佐 松井 裕一

信頼性研究会(R) [schedule] [select]
専門委員長 福田 収一
副委員長 柳 繁
幹事 若井 一顕, 弓削 哲史
幹事補佐 井原 惇行, 深井 佳乃

電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 和保 孝夫
副委員長 葛原 正明
幹事 田中 毅, 新井 学
幹事補佐 高谷 信一郎, 村田 浩一

日時 2006年11月24日(金) 13:00 - 16:55
議題 半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性 
会場名 (社)中央電気倶楽部 
住所 大阪市北区堂島浜2-1-25
交通案内 大阪駅より徒歩12分,JR北新地駅より徒歩6分
http://www.chuodenki- club.or.jp/map/annai.html
会場世話人
連絡先
06-6345-6351

11月24日(金) 午後 
13:00 - 16:55
(1) 13:00-13:45 [招待講演]トランジスタの動作点解析による故障箇所の特定 真田 克高知工科大
(2) 13:45-14:10 Fe系シリサイドによるフォトニック結晶の作製 國松俊佑今井章文京大)・秋山賢輔神奈川県産技センター)・前田佳均京大
(3) 14:10-14:35 β-FeSi2のイオンビーム合成:アニールによるSi空孔の変化 上西隆文安藤裕一郎前田佳均京大
(4) 14:35-15:00 トレンチ横型パワーMOSFETのホットキャリア耐性 澤田睦美松永慎一郎富士電機アドバンストテクノロジー)・山路将晴北村明夫富士電機デバイステクノロジー)・藤島直人富士電機アドバンストテクノロジー
  15:00-15:15 休憩 ( 15分 )
(5) 15:15-15:40 InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 ~ (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制 ~ 渡邊一世NICT)・篠原啓介Rockwell)・北田貴弘徳島大)・下村 哲愛媛大)・遠藤 聡山下良美三村高志富士通研)・冷水佐壽奈良高専)・松井敏明NICT
(6) 15:40-16:05 AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性 松島孝典中嶋正裕野本一貴佐藤政孝中村 徹法政大
(7) 16:05-16:30 ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討 葛西誠也Alberto F. Basile橋詰 保北大
(8) 16:30-16:55 AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果 上野弘明村田智洋石田秀俊上田哲三上本康裕田中 毅井上 薫松下電器

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 西岡泰城(日本大学理工学部 精密機械工学科)
TEL047-469-6482,FAX047-467-9504
E--mail:etn-u,acmsk 
R 信頼性研究会(R)   [今後の予定はこちら]
問合先 若井一顕(NHK 技術局 送信技術センター 菖蒲久喜放送所)
TEL0480-85-1118,FAX0480-85-1508
E--mail: ik-dm 
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 田中 毅(松下電器)
TEL: 075-956-9083, FAX: 075-956-9110
E--mail: erlci
新井 学(新日無)
TEL: 049-278-1477、FAX: 049-278-1419
E--mail: injr
高谷 信一郎(日立中研)
TEL: 0423-23-1111(内線3048)、FAX: 0423-27-7738
E--mail: crl
村田 浩一(NTT)
TEL:046-240-2871、FAX:046-270-2872
E--mailaecl 


Last modified: 2006-09-26 11:48:38


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