日時	2013年 4月11日(木)　09:00 - 18:00 2013年 4月12日(金)　08:30 - 16:45
議題	メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術
会場名	産業技術総合研究所 つくばセンター中央第2事業所 第6会議室 (2‐12棟)
住所	〒305-8561 茨城県つくば市東1-1-1 中央第1
交通案内	つくばエクスプレス つくば駅より産総研送迎バスで本部情報棟前下車。徒歩3分 http://www.aist.go.jp/aist_j/guidemap/tsukuba/tsukuba_map_main.html
会場世話人 連絡先	産業技術総合研究所 大内 真一 029-861-5068
お知らせ	◎事前参加登録は締めきりました。 当日参加ご希望の方は、直接会場までお越しください。 照会先：029-861-5068, ouaist (産総研 大内)
著作権に ついて	以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

4月11日(木) 午前  09:00 - 18:00
(1)	09:00-09:50	［招待講演］低熱伝導のナノ結晶材料を用いた低電力相変化デバイス ICD2013-1	○森川貴博・秋田憲一・大柳孝純・北村匡史・木下勝治・田井光春・高浦則克（超低電圧デバイス技研組合）
(2)	09:50-10:40	［招待講演］STT-MRAMの特性改善に向けたダミーフリー層と2重トンネル接合を有する新しいMTJ ICD2013-2	○角田浩司・能代英之・吉田親子・山崎裕一・高橋　厚・射場義久・畑田明良・中林正明・長永隆志・青木正樹・杉井寿博（超低電圧デバイス技研組合）
	10:40-10:50	休憩　（ 10分 ）
(3)	10:50-11:40	［招待講演］非接触メモリーカードの待機電力削減のための誘導結合型ウェイクアップトランシーバ ICD2013-3	○三浦典之（神戸大）・齋藤美都子・田口眞男・黒田忠広（慶大）
(4)	11:40-12:30	［招待講演］書き換え1000万回超のReRAMを実現する微細フィラメント形成技術及びレベルベリファイ書込み方式 ICD2013-4	○川原昭文・河合　賢・池田雄一郎・加藤佳一・東　亮太郎・吉本裕平・田邊浩平・魏　志強・二宮健生・片山幸治・村岡俊作・姫野敦史・島川一彦・高木　剛・青野邦年（パナソニック）
	12:40-13:30	昼休み　（ 50分 ）
(5)	13:30-14:20	［招待講演］Restructuring of Memory Hierarchy in Computing System with Spintronics-Based Technologies ICD2013-5	○Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.）
(6)	14:20-14:45	［依頼講演］32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM ～ 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成 ～ ICD2013-6	○遠藤哲郎・大澤　隆・小池洋紀（東北大）・三浦貞彦・本庄弘明・徳留圭一（NEC）・池田正二・羽生貴弘・大野英男（東北大）
(7)	14:45-15:10	［依頼講演］4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現 ICD2013-7	○松永翔雲（東北大）・三浦貞彦・本庄弘明（NEC）・木下啓蔵・池田正二・遠藤哲郎・大野英男・羽生貴弘（東北大）
	15:10-15:30	休憩　（ 20分 ）
(8)	15:30-16:20	［招待講演］高性能モバイルCPUの低消費電力化を実現する垂直磁化STT-MRAMメモリテクノロジ ICD2013-8	○藤田　忍・安部恵子・野口紘希・野村久美子・北川英二・下村尚治・伊藤順一・與田博明（東芝）
(9)	16:20-16:45	スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術 ICD2013-9	○辻　幸秀・根橋竜介・崎村　昇・森岡あゆ香・本庄弘明・徳留圭一・三浦貞彦（NEC）・鈴木哲広（ルネサス エレクトロニクス）・深見俊輔・木下啓藏・羽生貴弘・遠藤哲郎・笠井直記・大野英男（東北大）・杉林直彦（NEC）
(10)	16:45-17:10	ゼロデータフラグを用いた低エネルギーSTT-RAMキャッシュ ICD2013-10	○木美雄太・鄭　晋旭・中田洋平・吉本雅彦・川口　博（神戸大）
	17:10-17:30	休憩　（ 20分 ）
(11)	17:30-18:00	［パネル討論］スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 ～ 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える？ ～ ICD2013-11	○新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・遠藤哲郎（東北大）・加藤佳一（パナソニック）・半澤　悟（日立）・梶谷一彦（エルピーダメモリ）・川澄　篤（東芝）・三輪　達（サンディスク）
4月12日(金) 午前  08:30 - 16:45
(12)	08:30-09:20	［招待講演］相補型原子スイッチを用いたプログラマブルロジックでのRTL記述からの回路マッピング ICD2013-12	○宮村　信・多田宗弘・阪本利司・伴野直樹・岡本浩一郎・井口憲幸・波田博光（超低電圧デバイス技研組合）
(13)	09:20-10:10	［招待講演］車載向け高速、高信頼性40nm混載SG-MONOSフラッシュマクロの開発 ～ 160MHzランダムアクセス可能コード領域と10M回書き換え可能データ領域の実現 ～ ICD2013-13	○小川大也・河野隆司・伊藤　孝・鶴田　環・西山崇之・長澤　勉・川嶋祥之・日高秀人・山内忠昭（ルネサス エレクトロニクス）
	10:10-10:20	休憩　（ 10分 ）
(14)	10:20-11:10	［招待講演］高信頼ビッグデータ向けフラッシュメモリ/ReRAM統合ソリッド・ステート・ストレージシステム ICD2013-14	○田中丸周平（中大/東大）・土井雅史・竹内　健（中大）
(15)	11:10-11:35	［依頼講演］SCM及びMLC NANDフラッシュメモリを用いたハイブリッドSSDと断片化防止アルゴリズムによる性能向上 ICD2013-15	○宮地幸祐（中大）・藤井裕大（東大）・上口　光（中大）・樋口和英・孫　超（東大）・竹内　健（中大）
(16)	11:35-12:00	［依頼講演］3次元積層ReRAM/NANDフラッシュメモリハイブリッドソリッド・ステート・ドライブ向けVset/reset(3V)、Vpgm(20V)生成回路の設計 ICD2013-16	○畑中輝義（中大/東大）・上口　光・蜂谷尚悟・竹内　健（中大）
(17)	12:00-12:25	［依頼講演］MLC相変化メモリとNANDフラッシュメモリを用いた三次元ハイブリッドSSDのための正負温度係数を有する読み出し参照源 ICD2013-17	○宮地幸祐・上口　光（中大）・樋口和英（東大）・竹内　健（中大）
	12:25-13:30	昼休み　（ 65分 ）
(18)	13:30-14:20	［招待講演］統計手法を利用した極低電圧SRAM向けセンスアンプタイミング生成回路 ICD2013-18	○川澄　篤・武山泰久・平林　修・櫛田桂一・橘　文彦・仁木祐介・佐々木慎一・矢部友章（東芝）
(19)	14:20-14:45	［依頼講演］ビット線電力計算回路とデジタルLDOを使用した2電源SRAMの消費電力削減スキーム ICD2013-19	○静野観椰子・橘　文彦・平林　修・武山泰久・川澄　篤・櫛田桂一・鈴木　東・仁木祐介・佐々木慎一・矢部友章・畝川康夫（東芝）
(20)	14:45-15:10	［依頼講演］非選択カラムのビット線電荷を有効利用するためのチャージコレクタ回路を搭載した13.8pJ/Access/Mbit SRAM ICD2013-20	○森脇真一・山本安衛・鈴 木 利 一（半導体理工学研究センター）・川澄　篤（東芝）・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター）・桜井貴康（東大）
	15:10-15:30	休憩　（ 20分 ）
(21)	15:30-15:55	［依頼講演］デジタル電流比較器制御によるSRAM待機電力の削減 ICD2013-21	○前田徳章・小松成亘・森本薫夫・田中浩二・塚本康正・新居浩二・島崎靖久（ルネサス エレクトロニクス）
(22)	15:55-16:20	［依頼講演］0.3Vマッチ線センスアンプを用いた65nm CMOS 250MHz動作18Mb TCAM ICD2013-22	○林　勇・天野照彦・渡邊直也・矢野祐二・黒田泰人・白田真也・堂阪勝己・新居浩二・野田英行・河合浩行（ルネサス エレクトロニクス）
(23)	16:20-16:45	マルチビットアップセット耐性を有するNMOS内側レイアウトを用いた6T SRAM ICD2013-23	○吉本秀輔・和泉慎太郎・川口　博・吉本雅彦（神戸大）

問合先と今後の予定
ICD	集積回路研究会（ICD）   [今後の予定はこちら]
	問合先	新居 浩二 (ルネサスエレクトロニクス?) TEL 0727-84-7423,FAX 0727-84-7439 E-:iujs

Last modified: 2013-04-10 06:07:57