お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2022年6月開催~)
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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 平野 博茂 (タワー パートナーズ セミコンダクター)
副委員長 大見 俊一郎 (東工大)
幹事 森 貴洋 (産総研), 小林 伸彰 (日大)
幹事補佐 野田 泰史 (パナソニック), 諏訪 智之 (東北大)

日時 2022年 6月21日(火) 13:00 - 18:00
議題 MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
会場名 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー(VBL)3F ベンチャーホール 
交通案内 http://www.vbl.nagoya-u.ac.jp/access.html
会場世話人
連絡先
細井 卓治 (関学大)
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(SDM研究会)についてはこちらをご覧ください.

6月21日(火) 午後 
13:00 - 18:00
(1) 13:00-13:40 [招待講演]酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性 SDM2022-24 柴山茂久土井拓馬坂下満男田岡紀之名大)・清水三聡産総研)・中塚 理名大
(2) 13:40-14:00 多層量子ドット構造実現に向けた絶縁体上へのGe1-xSnxナノドットの自己形成 SDM2022-25 橋本 薫柴山茂久安坂幸師中塚 理名大
(3) 14:00-14:20 金属Hfの酸化によって形成した酸化物の結晶構造および化学組成にSi基板面方位が与える影響 SDM2022-26 安田 航田岡紀之大田晃生牧原克典宮﨑誠一名大
  14:20-14:30 休憩 ( 10分 )
(4) 14:30-15:10 [依頼講演]オペランド・ナノX線分光を活用した次世代高周波デバイス研究 SDM2022-27 吹留博一東北大
(5) 15:10-15:50 [依頼講演]TMD混晶の物性と新規低温CVD原料の探索 SDM2022-28 小椋厚志横川 凌明大/MREL)・若林 整東工大
(6) 15:50-16:30 [依頼講演]遷移金属カルコゲン化合物ヘテロ構造体の電子物性 SDM2022-29 丸山実那筑波大
  16:30-16:40 休憩 ( 10分 )
(7) 16:40-17:20 [招待講演]WSe2 n/p FETsを用いた低電圧動作CMOSインバータ SDM2022-30 川那子高暢松﨑貴広梶川亮介宗田伊理也星井拓也角嶋邦之筒井一生若林 整東工大
(8) 17:20-17:40 SiO2上へのニッケルシリサイド薄膜形成とその表面形態・結晶相制御 SDM2022-31 木村圭佑田岡紀之西村駿介大田晃生牧原克典宮﨑誠一名大
(9) 17:40-18:00 Si(111)上のAl(111)薄膜形成と熱処理によるSi原子の表面偏析制御 SDM2022-32 酒井大希松下圭吾大田晃生田岡紀之牧原克典宮﨑誠一名大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 35 分 + 質疑応答 5 分
依頼講演発表 35 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 SDM幹事:森 貴洋(産業技術総合研究所)
電話 029-849-1149
E-Mail -aist 


Last modified: 2022-05-09 12:05:56


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