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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 津田 邦男 (東芝インフラシステムズ)
副委員長 須原 理彦 (首都大)
幹事 東脇 正高 (NICT), 大石 敏之 (佐賀大)
幹事補佐 岩田 達哉 (豊橋技科大), 小谷 淳二 (富士通研)

日時 2018年10月24日(水) 14:00 - 16:50
議題 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 
会場名 機械振興会館 地下3階1号室 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 東京メトロ日比谷線 神谷町駅下車 徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(ED研究会)についてはこちらをご覧ください.

10月24日(水) 午後 
14:00 - 16:50
(1) 14:00-14:25 ボルケーノ構造スピント型エミッタアレイの動作チップ数の向上 ED2018-26 新谷英世・○村田英一池田貴大六田英治下山 宏名城大)・長尾昌善村上勝久産総研
(2) 14:25-14:50 大電力パルススパッタ法によるスピント型陰極作製における放電ガス(アルゴン、クリプトン)の効果 ED2018-27 谷口日向大家 溪中野武雄成蹊大)・長尾昌善大崎 壽村上勝久産総研
(3) 14:50-15:15 Pd酸化物を貴金属供給源に持つ貴金属被覆ナノ電子源の作製 ~ Pd酸化物の還元処理の検討 ~ ED2018-28 浅井泰尊川合亮太松原史弥田中崇之村田英一六田英治名城大
  15:15-15:35 休憩 ( 20分 )
(4) 15:35-16:00 Graphene形成によって誘起されたNi針先端の構造変化 ED2018-29 川合亮太浅井泰尊松原史弥田中崇之村田英一六田英治名城大
(5) 16:00-16:25 アルカリ光電面を用いた超高速変調ビーム形成に関する基礎実験 ED2018-30 高橋隼斗根尾陽一郎細田 誠三村秀典静岡大
(6) 16:25-16:50 時間依存密度汎関数によるカーボンナノチューブのエミッションパターンの計算 ED2018-31 樋口敏春山田洋一佐々木正洋筑波大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 新井 学(新日本無線(株))
TEL:049-278-1441 Fax :049-278-1269
E-injr
東脇 正高(情報通信研究機構)
TEL : 042-327-6092 Fax : 042-327-5527
E- : m 


Last modified: 2018-08-27 11:17:37


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