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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2021-08-18 11:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］低電圧動作・低温プロセス・高エンデュランスの極薄膜HfO2系強誘電体の実証 ～ 微細技術ノードの混載メモリへの展開 ～ ○トープラサートポン カシディット・田原建人（東大）・彦坂幸信・中村 亘・齋藤 仁（富士通セミコンダクターメモリソリューション）・竹中 充・高木信一（東大）  SDM2021-38 ICD2021-9 |
本研究は、厚さ2.8～9.5 nmをもつHf0.5Zr0.5O2の強誘電体キャパシタの作製プロセス、強誘電特性、およびメ... [more] | SDM2021-38 ICD2021-9 pp.42-47 |
| ICD | 2017-04-21 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］A 55nm Ultra Low Leakage Deeply Depleted Channel Technology Optimized for Energy Minimization in Subthreshold SRAM and Logic ○Harsh N. Patel・Abhishek Roy・Farah B. Yahya・Ningxi Liu・Benton Calhoun（UVA）・Akihiko Harada（FEA）・Kazuyuki Kumeno・Makoto Yasuda・Taiji Ema（MIFS） ICD2017-11 |
本稿では55nm超低リークDDC技術によるULL(Ultra-Low Leakage)トランジスタを用いた回路特性の評価... [more] | ICD2017-11 pp.57-61 |
| ICD | 2016-04-14 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］A Triple-Protection Structured COB FRAM with 1.2-V Operation and 1E17-Cycle Endurance ○齋藤 仁・中村 亘・小澤聡一郎・佐次田直也・三原 智・彦坂幸信・王 文生・堀 智之・高井一章・中澤光晴・小杉 騰・濱田 誠・川嶋将一郎・恵下 隆・松宮正人（FSL） ICD2016-9 |
我々は低電圧1.2 V動作, 書き換え回数1E17 サイクルの強誘電体RAM(FRAM)を開発した。我々が新たに開発した... [more] | ICD2016-9 pp.45-49 |
| SDM | 2016-01-22 10:40 |
東京 | 東京大学 山上会館 | ［招待講演］常温12年応力変動の結果から銅配線のストレスマイグレーションメカニズムの再考 ○松山英也（ソシオネクスト）・鈴木貴志・中村友二（富士通研）・塩津基樹・江原英郎（三重富士通セミコンダクター） SDM2015-109 |
[more] | SDM2015-109 pp.5-8 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-02 14:25 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | ［招待講演］ミッションクリティカルUNIXサーバ向け第10世代16コアSPARC64プロセッサ ○菅 竜二・田中智浩・杉崎 剛・西山龍一・酒林聰太（富士通）・小柳洋一（富士通研）・岩月竜二・早坂和美（富士通）・上村大樹（富士通セミコンダクター）・伊藤 学・小関由知・安達裕幸・古谷和弘・本車田 強（富士通） SDM2013-83 ICD2013-65 |
28nm CMOSプロセスを用いて16コア、24MB共有2次キャッシュ、システム/DDR3/PCIeインターフェースを搭... [more] | SDM2013-83 ICD2013-65 pp.95-98 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2013-07-04 10:55 |
北海道 | サン・リフレ函館 | ［招待講演］データ補間回路を用いた2-tap DFE付32Gb/sデータ受信器 ○土肥義康・柴崎崇之・檀上 匠・ウィン チャイヴィパース・橋田拓志（富士通研）・宮岡弘樹（富士通セミコンダクター）・星野正格（富士通マイクロソリューションズ）・小柳洋一（富士通研）・山本拓司（富士通米国研）・塚本三六・田村泰孝（富士通研） ICD2013-27 |
本論文では，プリント回路基板(PCB)上チップ間電気通信において，非同期サンプリングクロックを用いてサンプリングした電圧... [more] | ICD2013-27 pp.19-24 |
| CAS | 2013-01-29 10:15 |
大分 | 別府国際コンベンションセンター | タイムインタリーブ型A/D変換器の高速オールデジタル補正 ○野崎 剛（富士通マイクロソリューションズ）・吉岡正人（富士通研）・薛 宗陽（富士通マイクロソリューションズ）・梅田定美（富士通セミコンダクター）・塚本三六（富士通研） CAS2012-81 |
イムインタリーブ型A/D変換器は、複数のA/D変換器が交互に動作することで、容易に高速変換を実現できる方式である。しかし... [more] | CAS2012-81 pp.89-94 |
| ICD | 2012-12-18 10:55 |
東京 | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール | ［招待講演］ソフトエラー評価技術と対策技術 ○上村大樹（富士通セミコンダクター） ICD2012-116 |
ソフトエラーとは一過性のエラーのことで、宇宙線起因の中性子線、IC材料中の放射性不純物起因のα線により発生する。近年微細... [more] | ICD2012-116 pp.103-108 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2012-07-27 11:40 |
山形 | 山形大学米沢キャンパス | ［招待講演］90nm CMOSテクノロジを用いた3バンド対応W-CDMA用電力増幅器IC ○神田浩一（富士通研）・川野陽一・佐々木孝朗・白井徳明・田村哲朗・川井重明・工藤真大・村上智敏（富士通セミコンダクター）・中本裕之（富士通研）・長谷川延正・加納英樹（富士通セミコンダクター）・峰山亜希子・大石和明（富士通研）・島 昌司・田村直義（富士通セミコンダクター） ICD2012-28 |
[more] | ICD2012-28 pp.65-70 |
| SDM | 2011-11-10 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］STMによるキャリア分布測定のデバイスシミュレーション ○福田浩一・西澤正泰・多田哲也（産総研）・Leonid Bolotov（筑波大）・鈴木 腕・佐藤成生（富士通セミコンダクター）・有本 宏・金山敏彦（産総研） SDM2011-119 |
[more] | SDM2011-119 pp.21-26 |
| MW, AP (併催) |
2011-09-09 16:50 |
大阪 | 大阪大学 (豊中キャンパス) | 給電線付折返しダイポールアンテナのWiMAX用小型端末への適用 ○永利美緒・伊藤 敦（防衛大）・作間允力雄（富士通セミコンダクター）・森下 久（防衛大） AP2011-76 |
折返しダイポールアンテナに4分の1波長の給電線を付加することで，入力インピーダンスを変換し，2共振特性が得られることが既... [more] | AP2011-76 pp.65-70 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-25 11:15 |
富山 | 富山県民会館 | ［招待講演］強誘電体メモリ（FeRAM）の技術動向 ～ 2010とこれから ～ ○川嶋将一郎（富士通セミコンダクター） SDM2011-76 ICD2011-44 |
強誘電体は自発分極をもちこの方向を０と１の記憶に用いた不揮発性メモリが ＦｅＲＡＭである。強誘電体の例としてＰＺＴ（チ... [more] |
SDM2011-76 ICD2011-44 pp.29-34 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 10:15 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | ［招待講演］実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発 ○前田展秀・金 永ソク（東大）・彦坂幸信・恵下 隆（富士通セミコンダクター）・北田秀樹・藤本興治（東大）・水島賢子（富士通研）・鈴木浩助（大日本印刷）・中村友二（富士通研）・川合章仁・荒井一尚（ディスコ）・大場隆之（東大） SDM2010-141 ICD2010-56 |
200mmおよび300mmのデバイスウェハーを10μm以下のレベルまで薄化した．裏面研削後にできる200nmの非結晶層は... [more] | SDM2010-141 ICD2010-56 pp.95-97 |
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