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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 13:55 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価 ○横井駿一・古岡啓太・久保俊晴・江川孝志（名工大）  ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84 |
SiO2はバンドギャップが約9 eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成す... [more] | ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84 pp.37-40 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 14:55 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長 ○山中瑞樹・三好実人・江川孝志（名工大）・岡田成仁・只友一行（山口大）・竹内哲也（名城大） ED2019-44 CPM2019-63 LQE2019-87 |
[more] | ED2019-44 CPM2019-63 LQE2019-87 pp.49-52 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 15:30 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価 ○原田紘希・三好実人・江川孝志（名工大）・竹内哲也（名城大） ED2019-45 CPM2019-64 LQE2019-88 |
可視光GaN系LDのクラッド層としての応用を目指し、有機金属化学気相成長法(MOCVD)により、c面GaN/サファイアテ... [more] | ED2019-45 CPM2019-64 LQE2019-88 pp.53-56 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-29 13:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | c面GaN上へのエピタキシャルAlInN膜の成長ならびにその混晶組成と微細構造の関係 ○山中瑞樹・三好実人・江川孝志（名工大）・竹内哲也（名城大） ED2018-33 CPM2018-67 LQE2018-87 |
[more] | ED2018-33 CPM2018-67 LQE2018-87 pp.5-8 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 09:00 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET ○細見大樹・古岡啓太・陳 珩・斉藤早紀・久保俊晴・江川孝志・三好実人（名工大） ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95 |
新規AlGaNチャネルHFET構造として，バリア層に四元混晶AlGaInNを採用したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造... [more] | ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95 pp.41-44 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 09:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果 ○古岡啓太・久保俊晴・三好実人・江川孝志（名工大） ED2018-42 CPM2018-76 LQE2018-96 |
AlGaN/GaN HEMT構造表面に界面準位等の電子捕獲準位の少ない絶縁膜を成膜することは難しく、ゲートリーク電流や閾... [more] | ED2018-42 CPM2018-76 LQE2018-96 pp.45-48 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 09:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | サファイア基板ならびにAlN/サファイアテンプレート上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池の特性比較 ○森 拓磨・太田美希・原田紘希・加藤慎也・三好実人・江川孝志（名工大） ED2017-57 CPM2017-100 LQE2017-70 |
有機金属気相成長法によってサファイア基板とAlN/サファイアテンプレート（AlNテンプレート）の2種類の基板上にInGa... [more] | ED2017-57 CPM2017-100 LQE2017-70 pp.39-44 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 13:45 |
愛知 | 名古屋工業大学 | XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al2O3膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価 ○久保俊晴・三好実人・江川孝志（名工大） ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77 |
GaN系パワーデバイスのMIS構造に用いる絶縁膜として, ALDで成膜したAl2O3が多く用いられており, 成膜後熱処理... [more] | ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77 pp.73-76 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 09:05 |
京都 | 京大桂キャンパス | MOCVD法による凸凹表面p-GaN層の形成とInGaN/GaN MQW構造太陽電池への応用 ○森 拓磨・三好実人・江川孝志（名工大） ED2016-68 CPM2016-101 LQE2016-84 |
InGaN混晶を吸収層に用いた窒化物系太陽電池は、原理的に太陽光の大半のスペクトルを吸収することが可能であるため、有毒元... [more] | ED2016-68 CPM2016-101 LQE2016-84 pp.55-59 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-27 11:15 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | ALDにより成膜したHfO2を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの界面準位とデバイス特性 ○西野剛介・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2015-82 CPM2015-117 LQE2015-114 |
AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク電流を抑えるためには、ゲート部分を金属/絶縁膜/半導体(MIS)とした構造が有... [more] | ED2015-82 CPM2015-117 LQE2015-114 pp.73-76 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-27 11:40 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流の初期AlN層依存性 ○山岡優哉（大陽日酸）・伊藤和宏（名工大）・生方映徳・田渕俊也・松本 功（大陽日酸）・江川孝志（名工大） ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115 |
本調査では、成長条件が異なる２種類のSi基板上AlNを製作し、scanning electron microscope(... [more] | ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115 pp.77-80 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-27 14:35 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 表面保護膜形成によるInGaN系太陽電池の特性改善 ○加畑智基・堤 達哉・三好実人・江川孝志（名工大） ED2015-87 CPM2015-122 LQE2015-119 |
InGaN混晶半導体は、そのバンドギャップ制御により太陽光スペクトルの広範囲をカバーできることから、新たな太陽電池用材料... [more] | ED2015-87 CPM2015-122 LQE2015-119 pp.95-99 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 14:30 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | 格子整合系InAlN/AlGaN 2DEGヘテロ構造のMOCVD成長と特性評価 ○藤田 周・三好実人・江川孝志（名工大） ED2014-93 CPM2014-150 LQE2014-121 |
InAlN/AlGaNヘテロ構造は、高耐圧特性と高濃度の二次元電子ガス(2DEG)生成という二つの特長を併せ持つことが期... [more] | ED2014-93 CPM2014-150 LQE2014-121 pp.97-102 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 14:20 |
大阪 | 大阪市立大学 | Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価 ○常家卓也・分島彰男・江川孝志（名工大） ED2012-72 CPM2012-129 LQE2012-100 |
Si基板上にAlGaN/GaN HEMTを作製し、電流コラプスを調査するために光照射時においてドレイン電流(Id(t))... [more] | ED2012-72 CPM2012-129 LQE2012-100 pp.29-32 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 14:45 |
大阪 | 大阪市立大学 | GaN上にALD成膜したAl2O3を用いたMISダイオードの電気的特性 ○岩田康宏・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2012-73 CPM2012-130 LQE2012-101 |
MIS構造に用いる絶縁体としてAl2O3に着目し、GaN上にALDで成膜したAl2O3を用いたMISダイオードを作製して... [more] | ED2012-73 CPM2012-130 LQE2012-101 pp.33-36 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 13:15 |
東京 | 機械振興会館 | Step-stress Reliability Studies on AlGaN/GaN HEMTs on Silicon with Buffer Thickness Dependence ○Amalraj Frank Wilson・Akio Wakejima・Takashi Egawa（Nagoya Inst. of Tech.） ED2011-134 MW2011-157 |
[more] | ED2011-134 MW2011-157 pp.87-90 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 14:10 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価 ○岩田康宏・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2011-80 CPM2011-129 LQE2011-103 |
[more] | ED2011-80 CPM2011-129 LQE2011-103 pp.35-38 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 17:10 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ ○成田知隆・分島彰男・江川孝志（名工大） ED2011-86 CPM2011-135 LQE2011-109 |
シリコン基板上に透明ゲートAlGaN/GaN HEMT(High Electron Mobility Transisto... [more] | ED2011-86 CPM2011-135 LQE2011-109 pp.67-70 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 15:45 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子 ○酒井佑輔・市川淳規・江川孝志（名工大） ED2010-151 CPM2010-117 LQE2010-107 |
AlNテンプレート上にMOCVD成長させたAlInN/GaN構造の評価を行い、ショットキー型紫外線受光素子を試作した。A... [more] | ED2010-151 CPM2010-117 LQE2010-107 pp.41-45 |
| CQ | 2010-07-08 17:15 |
北海道 | 宗谷ふれあい公園 | ［招待講演］ITU-T FG-FNにおける新世代ネットワークの標準化 ○江川尚志（NEC） CQ2010-30 |
世界各国での新世代ネットワークの研究活発化を受け、ITU-Tは将来網の動向をテレコムの視点で調査し、将来網のビジョンを策... [more] | CQ2010-30 pp.77-80 |
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