| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, IEE-MAG (連催) |
2018-11-02 10:50 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | リン酸塩蛍光体材料に添加したEuの化学的および光学的な還元特性 ○蔦 将哉・吉荒就斗・加藤有行（長岡技科大）・中村 奨（長岡高専）  CPM2018-49 |
蛍光体材料に添加される希土類イオンのEuはその価数（Eu3+，Eu2+）により発光色が変化する特徴をもつ．通常，酸化物中... [more] | CPM2018-49 pp.65-68 |
| CPM | 2017-07-22 09:48 |
北海道 | 北見工業大学第一総合研究棟２F多目的講義室 | SOI基板上へのフォトニック結晶共振器の形成と量子ドットの発光特性 ○松冨俊貴・林 武司・渡邊航大・玉山泰宏・加藤有行・安井寛治（長岡技科大） CPM2017-33 |
[more] | CPM2017-33 pp.61-66 |
| CPM | 2016-11-19 11:35 |
石川 | 金沢工大 扇が丘キャンパス | 触媒反応支援CVD法により成長した非極性ZnO結晶膜の光学特性 ○池田宗謙・田島諒一・安達雄大・玉山泰宏・加藤有行・安井寛治（長岡技科大） CPM2016-73 |
触媒反応により生成した高エネルギーH_2Oを用いたCVD法により，r面サファイア基板上に非極性ZnO膜の成長を行い，得ら... [more] | CPM2016-73 pp.59-63 |
| CPM | 2015-11-07 10:55 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | YVO4:Bi,Ln(Ln=Sm,Er)蛍光体の発光の濃度依存性 ○五十嵐拓真・グェン ドゥック ビン・阿部泰雅（長岡技科大）・山崎 誠（長岡高専）・加藤有行（長岡技科大） CPM2015-98 |
YVO_4:Bi,Ln(Ln=Sm,Eu,Dy,Er)蛍光体をクエン酸錯体重合法で作製し，PLスペクトルの比較を行った．... [more] | CPM2015-98 pp.67-70 |
| CPM | 2015-08-11 10:00 |
青森 | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 | SOI基板上への高密度Geナノドットの形成 ～ フォトニック結晶による発光効率改善を目指して ～ 森岡 真・渡辺航大・富田雅隆・豊田英之・加藤有行・○玉山泰宏・上林利生・安井寛治（長岡技科大） CPM2015-41 |
フォトニック結晶の共振効果による発光強度の増大を目指して，ガスソースMBE法を用いてSOI基板上にゲルマニウム(Ge)ナ... [more] | CPM2015-41 pp.51-55 |
| CPM | 2012-10-27 10:25 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | YVO4:Bi黄色蛍光体のエネルギー移動過程 ○阿部泰雅・谷口浩太・八木純平・加藤有行（長岡技科大） CPM2012-107 |
黄色蛍光体YVO_4:BiのPLおよびPLEの温度依存性を測定した．その結果，450 nm付近の母体発光の強度が温度上昇... [more] | CPM2012-107 pp.77-80 |
| CPM | 2012-10-27 12:15 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性 ○姉崎 豊・佐藤 魁・加藤孝弘・加藤有行・豊田英之（長岡技科大）・末光真希（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・成田 克（山形大）・安井寛治（長岡技科大） CPM2012-111 |
パルス制御核発生法を用いたガスソースMBE法によりSi(001) -2˚off基板上にGeナノドットを形成し，... [more] | CPM2012-111 pp.97-100 |
| CPM | 2012-08-08 13:50 |
山形 | 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 | ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性 ○姉崎 豊・佐藤 魁・加藤孝弘・加藤有行（長岡技科大）・末光真希（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・成田 克（山形大）・安井寛治（長岡技科大） CPM2012-35 |
[more] | CPM2012-35 pp.11-15 |
| CPM | 2011-08-10 14:15 |
青森 | 弘前大学 文京町キャンパス | SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性 大谷孝史・姉崎 豊・浅野 翔・加藤有行（長岡技科大）・成田 克（山形大）・中澤日出樹（弘前大）・加藤孝弘・○安井寛治（長岡技科大） CPM2011-59 |
Si基板上へガスソースMBE法によりモノメチルゲルマン(MMGe)を用いてSi c(4×4)構造形成後， Ge, SiC... [more] | CPM2011-59 pp.15-20 |
| CPM | 2009-10-30 09:00 |
富山 | 富山県立大学 | Si上に形成したGe・SiCドットに対する半球状モデルを用いた構造評価 ○黒田朋義・大谷孝史・加藤有行・高田雅介・赤羽正志・安井寛治（長岡技科大） CPM2009-96 |
Si基板上へモノメチルゲルマン(MMGe: GeH3CH3)を用いてGe・SiCナノドットの高密度形成を行い，形成したド... [more] | CPM2009-96 pp.31-36 |
| CPM | 2008-10-30 13:50 |
新潟 | 新潟大学 | ワイドギャップ半導体でキャッピングされたGeナノドットの光学特性 ○須藤晴紀・黒田朋義・加藤有行・西山 洋・井上泰宣・赤羽正志・高田雅介・安井寛治（長岡技科大） CPM2008-77 |
モノメチルゲルマンを用いてSi(001)基板上に形成したGe，SiCナノドットに対して，構造，表面組成を調べると共に，S... [more] | CPM2008-77 pp.13-18 |
| CPM | 2005-11-11 14:45 |
福井 | 福井大学 | Si(001)表面とモノメチルゲルマンの反応過程における表面構造変化 ～ Ge埋め込み3C-SiC構造形成へ向けて ～ ○原島正幸・金丸哲史・加藤有行・荻原智明・安井寛治・赤羽正志・高田雅介（長岡技科大） |
Si(001)表面とモノメチルゲルマン（MMGe: GeH$_3$CH$_3$）との初期反応過程 について反射高速電子... [more] |
CPM2005-155 pp.19-24 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]