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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EMT, IEE-EMT (連催) |
2022-11-17 10:25 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
東京都立大学ローカル5Gシステムにおける電磁環境及び人体ばく露の評価に関する予備検討 ○土屋修人・鈴木敬久（都立大）  EMT2022-45 |
５Ｇ無線通信システムの設置環境において，ミリ波帯の人体ばく露を推定するための手法についての報告例はほとんどない．本研究で... [more] | EMT2022-45 pp.6-11 |
| SDM, VLD (共催) |
2007-10-30 13:45 |
東京 | 機械振興会館 | 相変化メモリのリセット特性のモデリング ○酒井 敦・園田賢一郎・茂庭昌弘・石川清志・土屋 修・井上靖朗（ルネサステクノロジ） VLD2007-55 SDM2007-199 |
本研究では，3次元の電気・熱伝導を考慮した相変化メモリのコンパクトモデルを開発し，リセット動作の解析を行った． このモ... [more] |
VLD2007-55 SDM2007-199 pp.23-26 |
| SDM, VLD (共催) |
2007-10-30 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | <110>チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響 ○高篠裕行・岡垣 健・内田哲也・林 岳・谷沢元昭・佃 栄次・永久克己・若原祥史・石川清志・土屋 修・井上靖朗（ルネサステクノロジ） VLD2007-57 SDM2007-201 |
電子の有効ハミルトニアンから剪断歪みと量子閉じ込め現象を取り込んだモデルを提 案。曲げ実験から65nmノードのストレス... [more] |
VLD2007-57 SDM2007-201 pp.33-36 |
| SDM, VLD (共催) |
2007-10-30 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証 ○佃 栄次（ルネサステクノロジ）・鎌倉良成（阪大）・高篠裕行・岡垣 健・内田哲也・林 岳・谷沢元昭・永久克己・若原祥史・石川清志・土屋 修・井上靖朗（ルネサステクノロジ）・谷口研二（阪大） VLD2007-59 SDM2007-203 |
本研究では、フル3D プロセスシミュレーターによる応力計算と反転層のサブバンドを考慮したkp 法にもとづくバンド計算から... [more] | VLD2007-59 SDM2007-203 pp.43-46 |
| SDM, VLD (共催) |
2006-09-26 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | ばらつき因子の大域的な同定と統計的ワーストケースモデルの生成方法について ○永久克己・岡垣 健・谷沢元昭・石川清志・土屋 修（ルネサステクノロジ） |
コンパクトモデルパラメータ抽出を含む新しいワーストモデル生成手法を提案する。本手法によれば、開発早期段階においてコンカレ... [more] | VLD2006-41 SDM2006-162 pp.13-18 |
| SDM, VLD (共催) |
2006-09-26 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング ○園田賢一郎・石川清志・栄森貴尚・土屋 修（ルネサステクノロジ） |
離散不純物効果がランダム・テレグラフ・シグナル (RTS) による MOSFET のしきい値電圧変動量に与える影響を議論... [more] | VLD2006-42 SDM2006-163 pp.19-24 |
| ICD, SDM (共催) |
2006-08-18 15:25 |
北海道 | 北海道大学 | 多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響 ○倉田英明・大津賀一雄・小田部 晃・梶山新也・長部太郎・笹子佳孝（日立）・鳴海俊一・冨上健司・蒲原史朗・土屋 修（ルネサステクノロジ） |
フラッシュメモリにおいて、ランダム・テレグラフ・シグナル (RTS) による閾値変動を初めて確認した。 90nmプロセス... [more] | SDM2006-153 ICD2006-107 pp.161-166 |
| ICD | 2005-04-14 16:15 |
福岡 | 福岡システムLSI 総合開発センター | 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ ○倉田英明・笹子佳孝・大津賀一雄・有金 剛・河村哲史・小林 孝・久米 均（日立）・本間和樹・小堺健司・野田敏史・伊藤輝彦・清水雅裕・池田良広・土屋 修・古沢和則（ルネサステクノロジ） |
多値高速書込みを実現する4ギガビットAG-AND型フラッシュメモリを90nmプロセスを用いて開発した。反転層をビット線と... [more] | ICD2005-11 pp.53-58 |
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