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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2012-11-16
14:15
東京 機械振興会館 Tunnel FETの非局所モデリング ~ デバイスモデルと回路モデル ~
福田浩一森 貴洋水林 亘森田行則田邊顕人昌原明植安田哲二右田真司太田裕之産総研SDM2012-111
非局所バンド間トンネルモデルに基づき、トンネルFETのデバイス及び回路モデルの基礎を開発した。デバイスでモデルでは非局所... [more] SDM2012-111
pp.63-68
SDM 2012-06-21
15:30
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) エピタキシャルNiSi2ソース/ドレインにおける原子層オーダーの接合位置制御及びドーパント偏析によるショットキーバリアハイトの低減
水林 亘右田真司森田行則太田裕之産総研SDM2012-57
 [more] SDM2012-57
pp.75-80
SDM 2010-06-22
09:55
東京 東京大学(生産研An棟) 原子スケールの構造制御技術でアプローチするシリコンナノワイヤトランジスタの開発
右田真司森田行則太田裕之産総研SDM2010-34
平面型トランジスタの微細化限界を打破するデバイス構造として,シリコンナノワイヤ トランジスタが注目を集めている.このトラ... [more] SDM2010-34
pp.5-10
EE 2009-11-27
13:30
東京 機械振興会館 複合発振型電流共振DC-DCコンバータの損失低減
佐藤忠彦富士電機システムズ/長崎大)・松尾博文長崎大)・太田裕之富士電機システムズEE2009-34
コンピュータ電源,通信機器,フラットパネルディスプレイなどに使用されているスイッチング電源の性能には小型化,低ノイズ化,... [more] EE2009-34
pp.31-35
SDM 2009-06-19
11:20
東京 東京大学(生産研An棟) GeMIS界面欠陥の電気的性質
田岡紀之水林 亘森田行則右田真司太田裕之半導体MIRAIプロジェクト)・高木信一半導体MIRAIプロジェクト/東大SDM2009-30
Ge MIS界面の電気的特性の理解は、少数キャリアの複雑な応答のため非常に困難である。そこで、本報告では、少数キャリアと... [more] SDM2009-30
pp.21-26
SDM 2008-06-10
10:55
東京 東京大学(生産研 An棟) High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO2界面の役割
岩本邦彦上牟田雄一半導体MIRAI-ASET)・布重 裕芝浦工大/半導体MIRAI-産総研ASRC)・平野晃人小川有人渡邉幸宗半導体MIRAI-ASET)・右田慎二水林 亘森田行則半導体MIRAI-産総研ASRC)・高橋正志半導体MIRAI-ASET)・太田裕之半導体MIRAI-産総研ASRC)・生田目俊秀半導体MIRAI-ASET)・鳥海 明半導体MIRAI-産総研ASRC/東大SDM2008-51
 [more] SDM2008-51
pp.53-58
MVE 2008-03-23
11:25
福岡 北九州学術研究都市 産学連携センター Strinoインタフェース化技術の無線化と安定化
天野 翔飯田 誠苗村 健東大)・太田裕之日立MVE2007-92
筆者らは,ひずみ計測技術に基づき身の回りの実物体をユーザインタフェースに転用する技術Strinoについて研究を行っている... [more] MVE2007-92
pp.67-72
EE 2008-01-21
15:40
福岡 九州大学 西新プラザ 複合発振型電流共振DC-DCコンバータの動作解析
東 展弘長崎大)・荒木 龍佐藤忠彦太田裕之富士電機デバイステクノロジー)・石塚洋一松尾博文長崎大EE2007-50
 [more] EE2007-50
pp.35-40
EE 2006-11-10
11:30
東京 機械振興会館 複合発振型電流共振回路の動作解析
荒木 龍松尾 攻長崎大)・太田裕之富士電機デバイステクノロジー)・石塚洋一辻 峰男松尾博文長崎大EE2006-31
 [more] EE2006-31
pp.13-18
EE, CPM
(共催)
2006-01-20
16:35
東京 機械振興会館 4巻線リアクトル方式AC-DCコンバータのソフトスイッチング回路について
荒木 龍松尾 攻長崎大)・太田裕之長崎大/富士日立パワーセミコンダクタ)・松尾博文長崎大
高効率であり、IEC規格のクラスDを満足する回路として4巻線リアクトル方式AC-DCコンバータが提案されている。本論文で... [more] EE2005-59 CPM2005-183
pp.73-79
ICD, SDM
(共催)
2005-08-19
11:10
北海道 函館国際ホテル Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善
門島 勝小川有人高橋正志MIRAI-ASET)・太田裕之MIRAI-ASRC)・三瀬信行岩本邦彦MIRAI-ASET)・右田真司MIRAI-ASRC)・藤原英明佐竹秀喜生田目俊秀MIRAI-ASET)・鳥海 明MIRAI-ASRC/東大
Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のCMOSFETへ適用が期待されているが、n-及びp-MOSFETの閾値が非対称になることが問... [more] SDM2005-148 ICD2005-87
pp.31-36
EE 2005-05-13
14:00
東京 機械振興会館 直列共振形DC-DCコンバータの出力電圧昇圧特性について
桑原厚二太田裕之富士日立パワーセミコンダクタ
コンデンサ・インダクタと負荷抵抗の直列回路で構成される直列共振形DC-DCコンバータの出力電圧は,スイッチング周波数が共... [more] EE2005-7
pp.35-40
EE, IEE-IEA
(共催)
2004-07-23
13:00
北海道 北海道大学 4巻線リアクトル方式ソフトスイッチングAC-DCコンバータの入力高調波電流抑制回路の動作モード解析
太田裕之長崎大/富士日立パワーセミコンダクタ)・○上新原 崇長崎大)・松尾 攻エネルギーアンドエレクトロ二クス研)・松尾博文長崎大
広範囲な入力電圧でIEC規格のクラスDを満足する回路として4巻線リアクトル方式ソフトスイッチングAC-DCコンバータが提... [more] EE2004-25
pp.37-44
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