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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2008-12-19 15:30 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | 60GHz帯高アイソレーションSPDT MMICスイッチ ○塚原良洋・天清宗山・後藤清毅・奥 友希・石川高英（三菱電機）  ED2008-188 |
60GHｚ帯高アイソレーションSPDT（Single Pole Double Throw）MMICについて報告する。アイ... [more] | ED2008-188 pp.21-25 |
| MW | 2008-08-29 14:00 |
大阪 | 大阪大学（豊中） | 高調波負荷を最適化したW帯2倍波高出力発振器 ○松塚隆之・渡辺伸介・天清宗山・後藤清毅・奥 友希・石川高英・中山正敏・吉田直人（三菱電機） MW2008-98 |
高調波負荷を最適化することで高出力化を図ったW帯2倍波発振器を報告する。エミッタサイズ160μm2のInGaP HBTを... [more] | MW2008-98 pp.107-112 |
| ED | 2007-11-27 16:05 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | 高調波負荷を最適化したKa帯2倍波発振器 ○渡辺伸介・松塚隆之・天清宗山・井上 晃・奥 友希・石川高英（三菱電機） ED2007-192 |
高調波負荷を最適化したKa 帯2 倍波発振器を報告する。 エミッタサイズ80um2 のInGaP HBT を使用した2... [more] |
ED2007-192 pp.29-32 |
| ED | 2007-06-15 13:25 |
富山 | 富山大学 | ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT ～ 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立 ～ ○天清宗山・井上 晃・後藤清毅・國井徹郎・山本佳嗣・奥 友希・石川高英（三菱電機） ED2007-32 |
ミリ波帯増幅器の出力低下の要因である非線形ドレイン抵抗を低減するため、新たに「ステップリセス構造」を採用したGaAs p... [more] | ED2007-32 pp.7-11 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET ○後藤清毅・國井徹郎・井上 晃（三菱電機）・大植利和（Wave Technology）・河野正基・奥 友希・石川高英（三菱電機） |
ブロードバンド無線通信基地局に用いる高出力増幅器を低歪化することを目的として、GaAs 基板上に高調波処理回路を一体化し... [more] | ED2006-228 MW2006-181 pp.155-160 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 11:10 |
東京 | 機械振興会館 | 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル ○井上 晃・天清宗山・後藤清毅・國井徹郎・奥 友希・石川高英（三菱電機） |
非線形ドレイン抵抗を考慮したミリ波帯高出力PHEMTモデルを提案する．高出力ミリ波帯HEMTでは動作電圧を高くするために... [more] | ED2006-229 MW2006-182 pp.161-166 |
| MW, ED (共催) |
2005-11-17 14:00 |
佐賀 | 佐賀大学 | Ka帯用 高耐湿・高出力 TaN/AuゲートpHEMT ○天清宗山・後藤清毅・志賀俊彦・戸塚正裕・佐々木 肇・國井徹郎・山本佳嗣・井上 晃・奥 友希・石川高英（三菱電機） |
ミリ波帯HPAの低コスト化に有効な非気密パッケージを実現するためには、チップの高耐湿化が必須である。今回我々はミリ波帯p... [more] | ED2005-166 MW2005-121 pp.45-49 |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 11:10 |
東京 | 機械振興会館 | Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT ○國井徹郎・戸塚正裕・加茂宣卓・山本佳嗣・竹内日出雄・島田好治・志賀俊彦・巳浪裕之・北野俊明・宮国晋一・中塚茂典・井上 晃・奥 友希・南條拓真・大石敏之（三菱電機） |
[more] | ED2004-216 MW2004-223 pp.25-30 |
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