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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-13
08:40
京都 京大桂キャンパス 半極性面上InGaN量子井戸レーザにおける導波路モードの制御による光学利得の向上
松浦圭吾坂井繁太山口敦史金沢工大ED2016-67 CPM2016-100 LQE2016-83
我々は、低コスト高性能緑色半導体レーザの実現に向け、へき開面を共振器ミラーとして利用した半極性面上InGaN量子井戸構造... [more] ED2016-67 CPM2016-100 LQE2016-83
pp.51-54
SCE 2016-08-08
14:15
埼玉 埼玉大(大宮ソニックシティ) 原子核時計実現に向けたTESマイクロカロリメータの性能評価
前久景星林 佑村松はるか満田和久山崎典子JAXA)・山口敦史理研)・前畑京介九大SCE2016-19
我々は10 keV以下のX線帯域で高いエネルギー分解能を実現できるTES型マイクロカロリメータの開発を行ってきた。現在、... [more] SCE2016-19
pp.37-39
LQE 2015-12-18
09:50
東京 機械振興会館 窒化物半導体LEDの光取出し効率向上のための電磁界解析シミュレーション
尾崎 智山口敦史金沢工大)・後藤裕輝碓井 彰古河機械金属LQE2015-123
高出力用途の白色LED用の基板として、選択成長技術によって転位密度を低減したGaNテンプレート基板が注目されている。本報... [more] LQE2015-123
pp.1-4
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
15:30
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 光音響・発光同時計測法及び時間分解発光計測によるGaNの輻射・非輻射再結合寿命の測定
河上航平中納 隆山口敦史金沢工大ED2015-77 CPM2015-112 LQE2015-109
半導体の輻射・非輻射再結合寿命は、発光(PL)寿命とPL強度の温度変化から、極低温での内部量子効率(IQE)を100%と... [more] ED2015-77 CPM2015-112 LQE2015-109
pp.49-52
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
15:55
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 光音響・発光同時計測法を用いたGaNの内部量子効率の測定
中納 隆河上航平山口敦史金沢工大ED2015-78 CPM2015-113 LQE2015-110
窒化物半導体の内部量子効率は、発光 (PL)強度の温度依存性から、極低温における内部量子効率を100%と仮定して、求めら... [more] ED2015-78 CPM2015-113 LQE2015-110
pp.53-58
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
13:15
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 m面GaN基板上InGaN量子井戸の発光特性
栗原 香長尾 哲三菱化学)・山口敦史金沢工大ED2014-77 CPM2014-134 LQE2014-105
m面GaN基板上のInGaN量子井戸構造は,非極性の特徴を生かした高効率発光デバイスへの応用が期待されているが,従来紫波... [more] ED2014-77 CPM2014-134 LQE2014-105
pp.19-22
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
13:40
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 非極性InGaN量子井戸の偏光特性
坂井繁太山口敦史金沢工大)・栗原 香長尾 哲三菱化学ED2014-78 CPM2014-135 LQE2014-106
非極性InGaN量子井戸を活性層に利用した素子の設計において偏光特性は重要な要素とされている. 一般的に, この偏光特性... [more] ED2014-78 CPM2014-135 LQE2014-106
pp.23-26
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
14:30
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 ナノインプリントリソグラフィを用いたナノチャネルFIELO法により作製されたGaNテンプレートの2次元歪みマッピング
南部優賢山口敦史金沢工大)・後藤裕輝砂川晴夫松枝敏晴古河機械金属)・岡田愛姫子早大)・篠原秀敏後藤博史東芝機械)・水野 潤早大)・碓井 彰古河機械金属ED2014-80 CPM2014-137 LQE2014-108
白色LEDにおいて大電流領域で効率が低下する現象(Droop現象)を抑制する1つの手法として,下地のGaN膜(基板)の高... [more] ED2014-80 CPM2014-137 LQE2014-108
pp.33-38
US 2013-11-11
13:00
石川 金沢工業大学 レーザ光と物質との相互作用による超音波に関する基礎研究
得永嘉昭深田晴己山口敦史金沢工大)・南出章幸金沢高専US2013-53
レーザと物質との相互作用を利用して発生させた超音波について報告をする。正弦波変調されたHe-Neレーザ光を黒鉛に照射し、... [more] US2013-53
pp.1-4
ED 2013-04-18
15:55
宮城 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム [招待講演]UVナノインプリントによって形成したナノチャンネルFIELO法による低転位GaNテンプレート基板作製の研究
水野 潤岡田愛姫子庄子習一早大)・山口敦史金沢工大)・後藤裕輝砂川晴夫松枝敏晴古河機械金属)・篠原秀敏西原浩巳後藤博史東芝機械)・碓井 彰古河機械金属ED2013-8
UVナノインプリント技術によって形成するナノチャンネルFIELO法を提案し、サファイア基板上のGaN結晶において、膜厚2... [more] ED2013-8
pp.27-29
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-18
10:20
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール 顕微反射スペクトル測定によるGaN基板残留歪みの精密マッピング測定
山口敦史金沢工大)・耿 慧遠砂川晴夫石原裕次郎松枝敏晴碓井 彰古河機械金属ED2011-90 CPM2011-139 LQE2011-113
GaN基板に残留する微小歪み(0.01%程度)をミクロンオーダーの空間分解能で測定する新しい手法を開発した。これは、価電... [more] ED2011-90 CPM2011-139 LQE2011-113
pp.87-91
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-11
14:30
大阪 阪大 中ノ島センター 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈
山口敦史金沢工大)・小島一信京大ED2010-148 CPM2010-114 LQE2010-104
非極性InGaN量子井戸の偏光特性の実験データから材料パラメータを逆算的に求める解析手法を開発した。その手法に基づいてこ... [more] ED2010-148 CPM2010-114 LQE2010-104
pp.29-32
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-28
10:15
愛知 名古屋工業大学 非c面(Al)InGaN混晶基板上InGaN量子井戸の偏光特性の理論予測
山口敦史金沢工大ED2008-172 CPM2008-121 LQE2008-116
半極性・無極性面GaN基板上InGaN量子井戸では、c軸に垂直な方向の偏光が強く発光するため、端面出射型レーザを作製する... [more] ED2008-172 CPM2008-121 LQE2008-116
pp.97-102
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-11
13:05
福井 福井大学 窒化物半導体量子井戸の偏光特性の基板面方位依存性
山口敦史金沢工大ED2007-156 CPM2007-82 LQE2007-57
任意面方位の窒化物量子井戸の偏光特性について理論計算を行った。(In)GaN量子井戸においては、基板面方位に応じて面内光... [more] ED2007-156 CPM2007-82 LQE2007-57
pp.1-6
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