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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 09:30 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ゼロバイアスGaAsSbバックワードダイオード検波器の雑音特性改善 ○高橋 剛・佐藤 優・芝 祥一・中舍安宏・原 直紀・岩井大介・岡本直哉・渡部慶二（富士通研）  ED2016-102 MW2016-178 |
ミリ波およびテラヘルツ波の高感度検波器として、p+-GaAsSb/i-InAlAs/n-InGaAsヘテロ接合バックワー... [more] | ED2016-102 MW2016-178 pp.29-33 |
| ED | 2016-12-19 14:40 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響 ○遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・高橋 剛・芝 祥一・中舍安宏・岩井大介（富士通研）・三村高志（富士通研/NICT） ED2016-81 |
InP系75-nmゲートIn0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTの温度300及び16 Kにお... [more] | ED2016-81 pp.7-12 |
| ED | 2015-12-21 13:45 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・高橋 剛・芝 祥一・中舍安宏・岩井大介（富士通研）・三村高志（富士通研/NICT） ED2015-92 |
75 nmゲートInP系In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTのDC・RF特性を，温度30... [more] | ED2015-92 pp.7-11 |
| ED | 2014-12-23 09:40 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 | GaAsSbトンネルダイオードのドーピング制御による170GHzミリ波感度の向上 ○高橋 剛・佐藤 優・中舎安宏・芝 祥一・原 直紀・岩井大介（富士通研） ED2014-108 |
高感度のミリ波受信用デバイスとして、GaAsSbを用いたヘテロ接合型トンネルダイオードの一種であるバックワードダイオード... [more] | ED2014-108 pp.57-61 |
| ED | 2014-08-01 10:30 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | ［招待講演］高感度ミリ波受信用GaAsSbバックワードダイオード技術 ○高橋 剛・佐藤 優・中舍安宏・芝 祥一・原 直紀・岩井大介（富士通研） ED2014-53 |
従来のショットキーダイオードに代わる高感度のミリ波受信用デバイスとして、ゼロバイアスで動作するバックワードダイオードを開... [more] | ED2014-53 pp.1-6 |
| ED, MW (共催) |
2006-01-19 15:35 |
東京 | 機械振興会館 | 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT ○金村雅仁・吉川俊英・岩井大介・今西健治・久保徳郎・常信和清（富士通研） |
[more] | ED2005-208 MW2005-162 pp.51-55 |
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