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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-12-01 14:50 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 縦型AlGaN系UV-B LDの作製 ○西林到真・近藤涼輔・松原衣里・山田凌矢・井本圭紀・服部光希・岩山 章・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・三宅秀人（三重大）・三好晃平・難波江宏一（ウシオ電機）・山口顕宏（西進商事）  ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73 |
本研究では、大電流動作に有利で且つ高出力動作が可能な縦型UV-Bレーザーダイオードの作製方法およびその特性について報告す... [more] | ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73 pp.84-87 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-12-01 16:15 |
静岡 | アクトシティ浜松 | ウェットエッチングしたAlNナノピラー上のUV-Bレーザーダイオードの光学特性評価 ○井本圭紀・近藤涼輔・山田凌矢・服部光希・西林到真・松原衣里・岩山 章・上山 智・竹内哲也・岩谷素顕（名城大）・三宅秀人（三重大） ED2023-36 CPM2023-78 LQE2023-76 |
我々のグループでは、周期的な構造を持ったAlNナノピラー上に結晶を成長させることにより、格子緩和した高品質AlGaNが作... [more] | ED2023-36 CPM2023-78 LQE2023-76 pp.98-101 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-25 13:20 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
AlGaN 系 UV-B 半導体レーザーの作製とそのデバイス特性 ○薮谷歩武・長谷川亮太・近藤涼輔・松原衣里（名城大）・岩山 章（名城大/三重大）・神 好人・松本竜弥・寅丸雅光（日本製鋼所）・鳥居博典（JSW afty）・今井大地・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・三宅秀人（三重大） ED2022-44 CPM2022-69 LQE2022-77 |
[more] | ED2022-44 CPM2022-69 LQE2022-77 pp.89-92 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 10:45 |
ONLINE | オンライン開催 | AlGaN UVBレーザダイオードのキャリア注入効率の算出 ○佐藤恒輔（旭化成）・大森智也・山田和輝・田中隼也・石塚彩花・手良村昌平・岩山 章・岩谷素顕（名城大）・三宅秀人（三重大）・竹内哲也・上山 智・赤﨑 勇（名城大） ED2020-3 CPM2020-24 LQE2020-54 |
[more] | ED2020-3 CPM2020-24 LQE2020-54 pp.9-12 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 13:40 |
ONLINE | オンライン開催 | AlGaN系UV-B LDにおける導波路層の構造検討 ○田中隼也（名城大）・佐藤恒輔（旭化成）・安江信次・荻野雄矢・山田和輝・石塚彩花・大森智也・手良村昌平・岩山 章（名城大）・三宅秀人（三重大）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤﨑 勇（名城大） ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71 |
本グループでは昨年度、UV-B領域の電流注入型半導体レーザの実現を報告した。今後、低閾値電流密度化が最重要課題となってい... [more] | ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71 pp.75-78 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 14:30 |
ONLINE | オンライン開催 | スパッタ法AlNバッファ層を用いたサファイア基板上へのh-BNの堆積と高温アニールによる結晶性向上 ○形岡遼志・小泉晴比古・岩山 章・三宅秀人（三重大） ED2020-22 CPM2020-43 LQE2020-73 |
六方晶窒化ホウ素(h-BN)は，二次元層状物質で，歪み緩和層や剥離層としての機能が期待されている．従来，h-BNは有機金... [more] | ED2020-22 CPM2020-43 LQE2020-73 pp.83-86 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 14:35 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | AlGaNをを量子井戸に用いた電子線励起レーザ ○櫻木勇介・安江信次・手良村昌平・荻野雄矢・田中隼也・岩山 章・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也・赤崎 勇（名城大）・三宅秀人（三重大） ED2019-43 CPM2019-62 LQE2019-86 |
これまで活性層にAlGaNを用いた電子線励起レーザは報告されていないAlGaN井戸層を使用してレーザ構造を作製し、我々は... [more] | ED2019-43 CPM2019-62 LQE2019-86 pp.45-48 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 15:50 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | AlInN/GaN多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザーの偏波特性 ○小田 薫・飯田涼介・岩山 章・清原一樹・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大） ED2019-46 CPM2019-65 LQE2019-89 |
本研究では、GaN系面発光レーザー(VCSEL)における偏波方向について検討した。具体的には偏波方向に対する、基板オフ方... [more] | ED2019-46 CPM2019-65 LQE2019-89 pp.57-60 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-22 13:25 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | UV-B領域AlGaN発光層の光学利得と内部ロスの転位密度依存性 ○田中隼也・川瀬雄太（名城大）・佐藤恒輔（旭化成/名城大）・安江信次・手良村昌平・荻野雄矢（名城大）・岩山 章（名城大/三重大）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大）・三宅秀人（三重大） ED2019-55 CPM2019-74 LQE2019-98 |
AlGaN系UV-B光励起レーザの転位密度における閾値励起パワー密度と光学利得、内部ロスの依存性を調査した。転位密度の低... [more] | ED2019-55 CPM2019-74 LQE2019-98 pp.93-96 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 12:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | SiO2埋め込みによる光導波構造を有するIII族窒化物面発光レーザ ○飯田涼介（名城大）・林 菜摘，村永 亘・岩山 章・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大） ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101 |
窒化物半導体面発光レーザのしきい値電流低減に向けて、SiO2埋め込みによる光導波構造を検討した。本論文では、まず、SiO... [more] | ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101 pp.71-74 |
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