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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, IEE-BMS, IEE-MSS
(連催)
2023-08-18
14:00
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
ガス種により異なるMEMS半導体ガスセンサの過渡特性に及ぼす湿度の影響
東 国広吉河武文大倉裕貴岩田達哉富山県立大ED2023-10
本研究では,温度変調を半導体ガスセンサに与えた場合における湿度を考慮したにおい識別精度向上に向け,過渡特性に及ぼす湿度の... [more] ED2023-10
pp.1-5
ED, IEE-BMS, IEE-MSS
(連催)
2022-08-18
16:10
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
TaOx/TiOy積層型メモリスタにおけるアナログセット特性に素子構造が及ぼす影響
森田 俊山本健太廣田丈裕吉河武文岩田達哉富山県立大ED2022-23
本研究では,酸素保持層であるTiOy層の組成が異なるTaOx / TiOy積層メモリスタにおける電流–電圧特性の評価を通... [more] ED2022-23
pp.25-28
ED, IEE-BMS, IEE-MSS
(連催)
2021-08-06
14:35
ONLINE オンライン開催 環境モニタリング向け集積化マルチモーダルセンサの作製と評価
岩田達哉富山県立大)・大野 賢高橋一浩澤田和明豊橋技科大ED2021-12
 [more] ED2021-12
pp.5-8
ED, IEE-BMS, IEE-MSS
(連催)
2021-08-06
15:25
ONLINE オンライン開催 金属酸化物メモリスタによる特徴量パターン取得のためのセンサ抵抗-電圧変換回路の設計とガス識別
廣田丈裕吉河武文岩田達哉富山県立大ED2021-13
本研究では、ガス識別に向けた単一素子として金属酸化物メモリスタを利用したガスセンサ過渡特性の特徴量パターンの取得を試みた... [more] ED2021-13
pp.9-12
ED 2021-02-22
13:00
ONLINE オンライン開催 半導体ガスセンサにおける新規温度変調を用いた単一素子でのにおい識別方法の提案
岩田達哉大倉裕貴佐伯真彬吉河武文富山県立大ED2020-38
 [more] ED2020-38
pp.1-4
ED 2019-08-06
16:40
東京 機械振興会館 La2O3/SnO2積層型CO2センサにおけるLa2O3の微細構造とCO2応答への影響
大野 賢豊橋技科大)・岩田達哉富山県立大)・高橋一浩澤田和明豊橋技科大ED2019-31
本研究では La2O3/SnO2積層型のCO2センサにおいて, La2O3の成膜状態が CO2応答に 与える影響および湿... [more] ED2019-31
pp.25-28
ED 2019-08-06
18:10
東京 機械振興会館 金属酸化物メモリスタのパルスリセット特性とガスセンサ過渡特性取得への応用
岩田達哉富山県立大)・大野 賢澤田和明豊橋技科大ED2019-32
 [more] ED2019-32
pp.37-40
SDM 2018-11-08
15:40
東京 機械振興会館 [招待講演]高精細CMOSイオンイメージセンサと生命科学への展開
澤田和明李 宥奈木村安行岩田達哉髙橋一浩服部敏明豊橋技科大SDM2018-69
 [more] SDM2018-69
pp.27-28
ED 2018-08-08
13:30
海外 機械振興会館 センシング応用に向けた金属酸化物メモリスタのキャップ層組成による特性制御
岩田達哉澤田和明豊橋技科大/エレクトロニクス先端融合研ED2018-21
 [more] ED2018-21
pp.1-4
ED 2017-08-09
17:20
東京 機械振興会館 低消費電力集積化CO2センサに向けたLa2O3/SnO2センサ感度向上の検討とそのMEMSホットプレート上への作製と評価
岩田達哉松田恭輔高橋一浩澤田和明豊橋技科大ED2017-32
 [more] ED2017-32
pp.29-32
ED 2017-08-10
09:15
東京 機械振興会館 ATP, ACh、水素イオンが同時に観察できるバイオイメージセンサの開発 ~ 拡散防止膜を用いた選択的検出能力強化 ~
李 宥奈堀尾智子奥村弘一岩田達哉高橋一浩澤田和明豊橋技科大ED2017-33
我々の研究室ではニューロン間の信号伝達メカニズムを理解するため、アデノシン三リン酸(ATP)、アセチルコリン(ACh)、... [more] ED2017-33
pp.33-36
ED 2016-08-09
17:45
東京 機械振興会館 マルチモーダルセンサに向けたSU-8支持層を有する半導体ガスセンサ用マイクロホットプレート
岩田達哉Carine Wei Soo Ping松田恭輔高橋一浩澤田和明豊橋技科大ED2016-38
 [more] ED2016-38
pp.41-45
ED 2016-08-10
09:55
東京 機械振興会館 神経伝達物質のイメージングを目指したH2O2センサの開発
奥村悠基奥村弘一岩田達哉高橋一浩村上裕二澤田和明豊橋技科大ED2016-40
 [more] ED2016-40
pp.51-54
ED 2015-08-03
13:30
東京 機械振興会館 PMMA濃厚ブラシを用いたpH不感応デバイスの開発
清水一輝豊橋技科大)・Baek Sungchul京大)・太齋文博・○岩田達哉石田 誠豊橋技科大)・辻井敬亘京大)・澤田和明豊橋技科大ED2015-47
本紙では、pH計測システムにおいて溶液電位を固定する為の参照電極に変わる、PMMA濃厚ブラシを用いた溶液電位のみを計測で... [more] ED2015-47
pp.1-4
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-29
08:40
愛知 豊橋技科大VBL棟 ピクセル間感度差に基づく溶液電位の算出によるガラス管参照電極を不要とするpHイメージセンサ
渡邊 愼太齋文博岩田達哉石田 誠服部敏明澤田和明豊橋技科大ED2015-27 CPM2015-12 SDM2015-29
電気化学測定を行う際に,検体の電位を固定するために参照電極が用いられる.一般的な参照電極はガラス管を用いて構成されており... [more] ED2015-27 CPM2015-12 SDM2015-29
pp.57-61
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
17:30
京都 京都大学 NiOを用いたReRAMのセミフォーミング後における抵抗スイッチング特性
篠倉弘樹西 佑介岩田達哉木本恒暢京大EID2014-38 SDM2014-133
我々はこれまで,NiOを用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)において,NiO堆積時の酸素流量を適切に調節することでフォー... [more] EID2014-38 SDM2014-133
pp.129-134
SDM 2012-12-07
16:45
京都 京都大学(桂) 金属/TiO2/金属積層構造の抵抗スイッチング特性に対する電極材料の影響
沖元直樹岩田達哉西 佑介木本恒暢京大SDM2012-137
上部電極/TiO$_2$/Pt積層構造において、上部電極材料が抵抗スイッチング現象に与える影響について調べた。上部電極と... [more] SDM2012-137
pp.129-132
SDM 2011-12-16
17:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 抵抗変化型メモリ用Pt/NiO/Pt素子におけるフィラメント形成領域の特定とその評価
岩田達哉西 佑介木本恒暢京大SDM2011-148
 [more] SDM2011-148
pp.87-92
SDM 2010-12-17
13:50
京都 京都大学(桂) 真空中での熱処理によるPt/NiO/Pt抵抗変化素子の電気的特性変化
岩田達哉西 佑介木本恒暢京大SDM2010-193
 [more] SDM2010-193
pp.45-49
SDM 2009-12-04
16:30
奈良 奈良先端大 物質創成科学研究科 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気的特性の組成依存性
岩田達哉西 佑介木本恒暢京大SDM2009-168
酸化ニッケル(NiO) は不定比酸化物として知られており,また,抵抗スイッチング特性を示すことから,抵抗変化型不揮発性メ... [more] SDM2009-168
pp.89-92
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