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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 11:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | HfO2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション ～ HfO2/AlGaN界面の影響 ～ ○林 慶寿・杉浦 俊・岸本 茂・水谷 孝（名大）  ED2008-175 CPM2008-124 LQE2008-119 |
HfO2/AlGaN/GaN MOSFETのシミュレーションを行い、デバイスの動作機構の解明及び界面トラップのデバイス特... [more] | ED2008-175 CPM2008-124 LQE2008-119 pp.115-120 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 13:05 |
愛知 | 名古屋工業大学 | ALD成膜HfO2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価 ○合田祐司・林 慶寿・大野雄高・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2008-176 CPM2008-125 LQE2008-120 |
ALDで成膜したHfO2をゲート酸化膜とするAlGaN/GaN MOSFETを作製し、特性評価を行った。HfO2の成膜温... [more] | ED2008-176 CPM2008-125 LQE2008-120 pp.121-124 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 13:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs ○李 旭・黒内正仁・岸本 茂・水谷 孝（名大）・中村文彦（パウデック） ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 |
p-InGaN cap層を用いたAlGaN/GaN HEMTsを作製しデバイスの特性評価を行った。p-InGaN cap... [more] | ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 pp.125-130 |
| ED | 2008-06-14 09:50 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | Fluidic Self-AssemblyのためのInGaAs系共鳴トンネルデバイスブロック作製技術 ○前澤宏一（富山大）・亀谷直樹・岸本 茂・水谷 孝（名大）・赤松和弘（日鉱金属） ED2008-34 |
Fluidic Self-Assembly(FSA)は数十ミクロン程度の大きさのデバイスブロックを溶液中で散布し，任意の... [more] | ED2008-34 pp.67-72 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-31 10:15 |
北海道 | 北海道大学 | 共鳴トンネル素子を用いた極短パルス生成器とそのAlNセラミック基板上アンテナとの集積化 ○前澤宏一（富山大）・亀谷直樹・岸本 茂・水谷 孝（名大）・安藤浩哉（豊田高専）・赤松和弘・中田弘章（日鉱金属） ED2007-247 SDM2007-258 |
共鳴トンネル素子を用いたシンプルなパルス生成器をInP基板上に試作した． 出力を100GHz帯域のオシロスコープによ... [more] |
ED2007-247 SDM2007-258 pp.51-56 |
| SDM, ED (共催) |
2007-02-01 14:10 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 高出力化に適した共鳴トンネルペア発振器 ○前澤宏一（富山大）・大川洋平・岸本 茂・水谷 孝（名大） |
共鳴トンネル素子を用いた発振器においてこれまで問題となっていたスプリアス発振やバイアス不安定性を抑制できる新しい構成の発... [more] | ED2006-242 SDM2006-230 pp.13-16 |
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