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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
RCS, NS
(併催)
2011-07-22
13:45
北海道 旭川市民文化会館 ハンドオーバ成功率を考慮したネットワークパラメタ設計手法の検討
川崎 健奥田將人富士通研NS2011-59
無線ネットワークに設定される各種運用パラメタ値は,ネットワークのサービス品質に影響を及ぼす。本稿では,ハンドオーバ成功率... [more] NS2011-59
pp.57-62
MW 2010-11-25
16:50
沖縄 沖縄県男女共同参画センター「てぃるる」 [特別講演]2010年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告
楢橋祥一河合邦浩NTTドコモ)・大久保賢祐岡山県立大)・堀部雅弘産総研)・加保貴奈NTT)・山内和久三菱電機)・川崎健吾佐賀大MW2010-113
2010年5月23日から28日まで,米国・アナハイム市で開催されたIEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム(IMS... [more] MW2010-113
pp.45-54
MW 2010-06-24
15:20
静岡 静岡大学(浜松キャンパス) マイクロストリップ共振結合回路を用いたPush-Push発振器アレー
川崎健吾・○田中高行相川正義佐賀大MW2010-33
近年,ITSなどに用いるレーダー技術として,簡易な構成でビームステアリングを行うことができる発振器アレーの研究が行われて... [more] MW2010-33
pp.37-41
CAS 2010-01-28
15:25
京都 京大会館 パワーゲーティング技術を搭載したシステムLSIの電源ノイズ抑制
川崎健一中山耕一田辺 聡藤澤久典富士通研CAS2009-69
低消費電力SoC向けに面積オーバーヘッドが小さいパワーゲーティング手法を開発した。
本手法の特徴は、回路への電源供給に... [more]
CAS2009-69
pp.31-36
MW 2009-06-30
15:50
愛知 名工大 K帯第2次高調波低雑音Gunn diode発振器
川崎健吾田中高行相川正義佐賀大MW2009-28
本論文では,ガンダイオード高調波発振器の低雑音化技術についてを報告する.本発振器の出力は第 2 次
高調波であり,スロ... [more]
MW2009-28
pp.51-55
MW, ED
(共催)
2009-01-14
14:50
東京 機械振興会館 V帯第8次高調波Push-Push発振器の基礎検討
川崎健吾田中高行相川正義佐賀大ED2008-201 MW2008-166
本研究では,Push-Push原理によるV帯第8次高調波出力ミリ波発振回路についての基礎検討を行った.ここに提案するPu... [more] ED2008-201 MW2008-166
pp.17-22
ICD, SDM
(共催)
2008-07-18
09:50
東京 機械振興会館 突入電流バイパス電源配線を用いて1μs以内で電源復帰できるパワーゲーティング技術
中山耕一川崎健一塩田哲義井上淳樹富士通研SDM2008-141 ICD2008-51
低消費電力SoC向けに1μs以内で電源復帰可能なパワーゲーティング技術を開発した。本技術の特徴は、電源復帰時に発生する電... [more] SDM2008-141 ICD2008-51
pp.77-82
SIP, EA
(共催)
2008-05-30
10:50
大阪 関西大学 ボタン押し音評価に関する検討
石光俊介阪本浩二広島市大)・大西 厳広島国際大)・荒井貴行兵庫県立大)・好美敏和藤本裕一川崎健一パイオニアEA2008-20 SIP2008-29
 [more] EA2008-20 SIP2008-29
pp.13-18
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-12
09:50
福井 福井大学 ITOショットキ電極を用いたAlGaN/GaN HEMTのリーク電流低減
松田慶太川崎 健中田 健五十嵐武司八重樫誠司ユーディナデバイスED2007-167 CPM2007-93 LQE2007-68
AlGaN/GaN HEMTはキャリア密度・移動度が大きく絶縁破壊耐圧が高いという優れた特徴をもつため、低オン抵抗・高耐... [more] ED2007-167 CPM2007-93 LQE2007-68
pp.57-61
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-05
13:25
京都 京都大学 AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化
中田 健川崎 健松田慶太五十嵐武司八重樫誠司ユーディナデバイス
AlGaN/GaN HEMTは電子濃度・移動度が大きく絶縁破壊電界が高い為ために、低オン抵抗・高耐圧特性を実現するパワー... [more] ED2006-153 CPM2006-90 LQE2006-57
pp.7-12
IN, NS
(併催)
2006-03-03
11:20
沖縄 リザンシーパークホテル谷茶ベイ(沖縄) 中継処理/制御処理分離構成ノードにおける性能スケーラビリティ実現方式の検証
児玉武司小口直樹川崎 健須藤俊之鶴岡哲明富士通
インターネットの大規模/高速化や提供サービスの高度化への対応手段として、中継処理を実施するネットワークノードに汎用PC/... [more] IN2005-231
pp.443-446
LQE, ED, CPM
(共催)
2005-10-13
14:30
滋賀 立命館大学 リセスゲートを用いたノーマリーオフAlGaN/GaN HEMT
中田 健川崎 健八重樫誠司ユーディナデバイス
AlGaN/GaN HEMTは電子濃度・移動度が大きく絶縁破壊電界が高いために、低オン抵抗・高耐圧特性を実現するパワース... [more] ED2005-129 CPM2005-116 LQE2005-56
pp.51-56
CS, IN, NS
(併催)
2005-09-15
09:50
宮城 東北大学電気通信研究所 中継処理/制御処理分離構成ノードでのハードウェアパケット転送機能の活用
須藤俊之川崎 健小口直樹児玉武司鶴岡哲明富士通
ネットワークにおけるパケット中継ノードの効果的な性能/機能の向上手段として、中継処理/制御処理分離ノード構成を提案してい... [more] CS2005-18
pp.13-18
ICD 2005-05-26
10:30
兵庫 神戸大学 CMOS 90nm製造プロセスにおける組み込み型シングルチップマルチプロセッサの実現
川崎健一塩田哲義川辺幸仁柴本 亘佐藤厚志橋本鉄太郎松村宗明岡野 廣早川文彦多湖真一郎中村泰基富士通研)・三宅英雄富士通LSIテクノロジ)・須賀敦浩高橋宏政井上淳樹富士通研
最高演算性能が 51.2GOPS、1GB/sのデータ転送を行えるシングルチップマルチプロセッサの製造に成功した。製品実測... [more] ICD2005-21
pp.7-12
NS, IN
(共催)
2005-03-03
10:30
沖縄 残波岬ロイヤルホテル(沖縄) レイヤ3処理/レイヤ4処理を考慮した中継処理/制御処理分離構成ノード
小口直樹児玉武司須藤俊之川崎 健鶴岡哲明富士通
 [more] NS2004-236 IN2004-236
pp.197-200
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