お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (検索条件: すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 3件中 1~3件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2021-08-18
11:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]低電圧動作・低温プロセス・高エンデュランスの極薄膜HfO2系強誘電体の実証 ~ 微細技術ノードの混載メモリへの展開 ~
トープラサートポン カシディット田原建人東大)・彦坂幸信中村 亘齋藤 仁富士通セミコンダクターメモリソリューション)・竹中 充高木信一東大SDM2021-38 ICD2021-9
本研究は、厚さ2.8~9.5 nmをもつHf0.5Zr0.5O2の強誘電体キャパシタの作製プロセス、強誘電特性、およびメ... [more] SDM2021-38 ICD2021-9
pp.42-47
ICD 2016-04-14
14:50
東京 機械振興会館 [依頼講演]A Triple-Protection Structured COB FRAM with 1.2-V Operation and 1E17-Cycle Endurance
齋藤 仁中村 亘小澤聡一郎佐次田直也三原 智彦坂幸信王 文生堀 智之高井一章中澤光晴小杉 騰濱田 誠川嶋将一郎恵下 隆松宮正人FSLICD2016-9
我々は低電圧1.2 V動作, 書き換え回数1E17 サイクルの強誘電体RAM(FRAM)を開発した。我々が新たに開発した... [more] ICD2016-9
pp.45-49
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
10:15
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター [招待講演]実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発
前田展秀金 永ソク東大)・彦坂幸信恵下 隆富士通セミコンダクター)・北田秀樹藤本興治東大)・水島賢子富士通研)・鈴木浩助大日本印刷)・中村友二富士通研)・川合章仁荒井一尚ディスコ)・大場隆之東大SDM2010-141 ICD2010-56
200mmおよび300mmのデバイスウェハーを10μm以下のレベルまで薄化した.裏面研削後にできる200nmの非結晶層は... [more] SDM2010-141 ICD2010-56
pp.95-97
 3件中 1~3件目  /   
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会