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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2013-04-19 11:35 |
宮城 | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム | Ar雰囲気下高温アニールによる6H-SiC(0001)面上高品質エピタキシャルグラフェン形成 ○舩窪一智・猪俣州哉・佐藤 良・朴 君昊（東北大）・小嗣真人（高輝度光科学研究センター）・吹留博一・末光真希（東北大）  ED2013-15 |
Si代替FETチャネル材料として高移動度の新素材グラフェンが近年注目されている。しかし、現在報告されているグラフェンFE... [more] | ED2013-15 pp.59-62 |
| CPM | 2012-10-27 12:15 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性 ○姉崎 豊・佐藤 魁・加藤孝弘・加藤有行・豊田英之（長岡技科大）・末光真希（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・成田 克（山形大）・安井寛治（長岡技科大） CPM2012-111 |
パルス制御核発生法を用いたガスソースMBE法によりSi(001) -2˚off基板上にGeナノドットを形成し，... [more] | CPM2012-111 pp.97-100 |
| CPM | 2012-08-08 13:50 |
山形 | 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 | ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性 ○姉崎 豊・佐藤 魁・加藤孝弘・加藤有行（長岡技科大）・末光真希（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・成田 克（山形大）・安井寛治（長岡技科大） CPM2012-35 |
[more] | CPM2012-35 pp.11-15 |
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