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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, OME
(共催)
2012-04-28
10:50
沖縄 沖縄県青年会館 マイクロ熱プラズマジェット結晶化におけるアモルファスシリコン細線及びスリットマスクを用いた結晶成長制御
藤田悠二林 将平東 清一郎広島大SDM2012-15 OME2012-15
アモルファスシリコン(a-Si)膜上にシリコンウェハにより作製したスリットマスクを配置し、マイクロ熱プラズマジェット(μ... [more] SDM2012-15 OME2012-15
pp.67-70
SDM 2011-07-04
12:00
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Ge(100)表面の極薄TiOxキャッピングによるHfO2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御
村上秀樹藤岡知宏大田晃生三嶋健斗東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大SDM2011-58
High-k/Ge界面制御手法として、極薄TiO2層の挿入に着目し、塩酸処理したGe(100)表面上へのTiO2の原子層... [more] SDM2011-58
pp.47-50
SDM 2011-07-04
14:00
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 金属/GeO2界面における化学結合状態の光電子分光分析
松井真史藤岡知宏大田晃生村上秀樹東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大SDM2011-61
熱酸化により形成したGeO2/Ge(100)界面および金属(Al, AuおよびPt)薄膜形成後のGeO2との界面化学結合... [more] SDM2011-61
pp.63-68
SDM 2011-07-04
16:20
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性
大田晃生後藤優太西垣慎吾Guobin Wei村上秀樹東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大SDM2011-67
RFスパッタにより形成したSiOx (厚さ:8~40nm)をPt電極で挟んだMIMキャパシタにおいて、電圧掃引による電流... [more] SDM2011-67
pp.97-102
ED, SDM
(共催)
2010-06-30
14:55
東京 東工大 大岡山キャンパス The Impact of H2 Anneal on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure
Guobin WeiYuta GotoAkio OhtaKatsunori MakiharaHideki MurakamiSeiichiro HigashiSeiichi MiyazakiHiroshima Univ.ED2010-57 SDM2010-58
 [more] ED2010-57 SDM2010-58
pp.31-36
ED, SDM
(共催)
2010-07-02
12:30
東京 東工大 大岡山キャンパス Characterization of Mg Diffusion into HfO2/SiO2/Si(100) Stacked Structures and Its Impact on Detect State Densities
Akio OhtaDaisuke KanmeHideki MurakamiSeiichiro HigashiSeiichi MiyazakiHiroshima Univ.ED2010-94 SDM2010-95
 [more] ED2010-94 SDM2010-95
pp.189-194
SDM 2010-06-22
11:45
東京 東京大学(生産研An棟) Ge MISおよびGe/Metal接合の化学結合状態および電気的特性評価
藤岡知宏板東竜也大田晃生村上秀樹東 清一郎宮崎誠一広島大SDM2010-38
 [more] SDM2010-38
pp.27-32
SDM 2010-06-22
16:50
東京 東京大学(生産研An棟) TiO2へのY添加が電子状態および抵抗変化特性に与える影響
大田晃生後藤優太モハマド ファイルズ カマルザン尉 国浜村上秀樹東 清一郎宮崎誠一広島大SDM2010-47
 [more] SDM2010-47
pp.79-84
SDM, OME
(共催)
2010-04-23
14:10
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]大気圧熱プラズマジェットを用いたシリコン膜のマイクロ秒溶融結晶化と高性能TFT作製応用
東 清一郎広島大SDM2010-9 OME2010-9
 [more] SDM2010-9 OME2010-9
pp.39-44
ED, SDM
(共催)
2010-02-22
15:15
沖縄 沖縄県青年会館 SiOx薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用
岡田竜弥琉球大)・東 清一郎牧原克典広重康夫宮崎誠一広島大ED2009-201 SDM2009-198
プラズマCVDにより成膜したSiOx膜(1.0 < x < 1.9)に熱プラズマジェット(TPJ)を照射しミリ秒熱処理を... [more] ED2009-201 SDM2009-198
pp.29-33
SDM 2009-12-04
15:50
奈良 奈良先端大 物質創成科学研究科 熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO2膜及びSiO2/Si界面の形成
広重康夫東 清一郎宮崎祐介松本和也宮崎誠一広島大SDM2009-166
リモートプラズマCVD (RPECVD) により300 ℃で堆積したSiO2膜に熱プラズマジェット (TPJ) 照射ミリ... [more] SDM2009-166
pp.79-82
SDM, ED
(共催)
2009-06-25
12:15
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) Electrical Detection of Silicon Binding Protein-Protein A Using a p-MOSFET Sensor
Hideki MurakamiSyed MahboobKiyotaka KatayamaKatsunori MakiharaMitsuhisa IkedaYumehiro HataAkio KurodaSeiichiro HigashiSeiichi MiyazakiHiroshima Univ.ED2009-87 SDM2009-82
We have focused on silica binding protein(SBP)-tagged protei... [more] ED2009-87 SDM2009-82
pp.161-164
SDM 2009-06-19
14:30
東京 東京大学(生産研An棟) 熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析
村上秀樹小埜芳和大田晃生東 清一郎宮崎誠一広島大SDM2009-36
熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO2/Geの化学結合状態および熱脱離による化学構造変化をX線光電子分光法によ... [more] SDM2009-36
pp.57-60
SDM 2009-06-19
16:50
東京 東京大学(生産研An棟) 極薄LaOxからHfO2/SiO2層へのLa原子の拡散
大田晃生貫目大介東 清一郎宮崎誠一広島大SDM2009-42
800&ordm;C O2雰囲気中熱処理したHfO2(~4.0nm)/SiO2(~3.8nm)/Si上にMOCVDにより... [more] SDM2009-42
pp.87-92
SDM 2009-06-19
17:00
東京 東京大学(生産研An棟) TiO2/Pt界面の化学結合および電子状態評価
後藤優太貫目大介大田晃生尉 国浜村上秀樹東 清一郎宮崎誠一広島大SDM2009-44
TiO2を用いた抵抗変化型メモリの動作原理機構解明に向けた取り組みとして、TiO2/Pt界面の酸化・還元反応に着目し、T... [more] SDM2009-44
pp.99-103
SDM, ED
(共催)
2008-07-10
10:55
北海道 かでる2・7(札幌) Electrical Detection of Si-Tagged Proteins on HF-last Si(100) and Thermally Grown SiO2 Surfaces
S. MahboobKatsunori MakiharaHirotaka KakuMitsuhisa IkedaSeiichiro HigashiSeiichi MiyazakiAkio KurodaHiroshima Univ.ED2008-69 SDM2008-88
We successfully detected silicon-binding proteins such as Si... [more] ED2008-69 SDM2008-88
pp.155-158
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
13:35
北海道 かでる2・7(札幌) Electrical Properties of Highly Crystallized Ge:H Thin Films Grown from VHF Inductively-Coupled Plasma of H2-diluted GeH4
Hirotaka KakuKatsunori MakiharaMitsuhisa IkedaSeiichiro HigashiSeiichi MiyazakiHiroshima Univ.ED2008-90 SDM2008-109
 [more] ED2008-90 SDM2008-109
pp.271-274
SDM 2007-12-14
13:30
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測
古川弘和東 清一郎岡田竜弥加久博隆村上秀樹宮崎誠一広島大SDM2007-228
ミリ秒超急速熱処理(URTA)中のSiウェハ内温度変化を測定する技術を開発した。URTA中のSiウェハに赤外レーザーをプ... [more] SDM2007-228
pp.27-29
SDM 2007-06-07
14:45
広島 広島大学(学士会館) プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測
三浦真嗣大田晃生村上秀樹東 清一郎宮崎誠一広島大)・鴻野真之西田辰夫中西敏雄東京エレクトロンSDM2007-34
Si2H6+NH3およびSi2H6+N2混合ガスのマイクロ波励起プラズマCVDにより、膜中内部応力の異なるシリコン窒化膜... [more] SDM2007-34
pp.17-22
SDM 2007-06-08
14:15
広島 広島大学(学士会館) 光電子分光法によるHfO2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価
大田晃生中川 博村上秀樹東 清一郎宮崎誠一広島大SDM2007-48
化学溶液洗浄したp-Ge(100)基板上に、電子ビーム(EB) 蒸着により極薄Si 層を堆積しNH3熱窒化(600°C)... [more] SDM2007-48
pp.91-96
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