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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM (共催) |
2012-02-08 11:00 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数 ○ファイズ サレ（静岡大/学振）・三輪一聡・池田浩也（静岡大）  ED2011-153 SDM2011-170 |
ナノ構造化によりゼーベック係数を増加するためには、フェルミエネルギーを不純物バンドの影響無しに制御する必要があることがわ... [more] | ED2011-153 SDM2011-170 pp.65-69 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-23 14:10 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 単電子ポンプ動作を利用した半導体冷却デバイスの研究 ○池田浩也・ファイズ サレ（静岡大） ED2010-193 SDM2010-228 |
単電子箱と単電子ポンプを組み合わせた構造を持つ,新しい単電子冷却デハ&#... [more] | ED2010-193 SDM2010-228 pp.7-12 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-23 14:35 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | Pドープ極薄Siにおけるゼーベック係数の理論的評価 ファイズ サレ・○池田浩也（静岡大） ED2010-194 SDM2010-229 |
[more] | ED2010-194 SDM2010-229 pp.13-17 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-13 14:45 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究 ○池田浩也・ファイズ サレ（静岡大） ED2010-20 CPM2010-10 SDM2010-20 |
シリコン基板上に作製可能な単電子冷却デバイスを提案し，その単電子トンネル動作について理論的評価を行った．その構造は，単電... [more] | ED2010-20 CPM2010-10 SDM2010-20 pp.17-21 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 13:25 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数 ○池田浩也・ファイズ サレ（静岡大） ED2009-197 SDM2009-194 |
シリコンナノ構造の熱電特性について調べている．リンをドープしたn 型の極薄SOI（silicon-on-insulato... [more] | ED2009-197 SDM2009-194 pp.5-9 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-27 11:45 |
北海道 | 北海道大学 | 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性 ○池田浩也・ファイズ サレ・浅井清涼・石田明広（静岡大） ED2008-238 SDM2008-230 |
実用化に対して十分な変換効率を持つ熱電変換デバイスのための材料として，シリコンナノ構造に注目し ている．我々は，電子の閉... [more] | ED2008-238 SDM2008-230 pp.81-85 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-31 09:00 |
北海道 | 北海道大学 | シリコンナノ構造による熱電変換デバイスの特性向上 ○池田浩也・山下尚見（静岡大） ED2007-244 SDM2007-255 |
実用化に対して十分な熱電変換効率を得るために，熱電変換素子にナノ構造を導入することにより特性の向上を目指している．本報告... [more] | ED2007-244 SDM2007-255 pp.39-42 |
| SDM, ED (共催) |
2007-02-02 13:20 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 不規則系多重トンネル接合による単電子転送の時間制御 ○モラル ダニエル（静岡大）・小野行徳（NTT）・猪川 洋・横井清人・ラトノ ヌルヤディ・池田浩也・田部道晴（静岡大） |
[more] | ED2006-255 SDM2006-243 pp.83-88 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2006-05-19 15:00 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ＶＢＬ | Tunneling current oscillations in Si/SiO2/Si structures ○Daniel Moraru・Daisuke Nagata（Shizuoka Univ.）・Seiji Horiguchi（Akita Univ.）・Ratno Nuryadi・Hiroya Ikeda・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） |
[more] | ED2006-40 CPM2006-27 SDM2006-40 pp.113-117 |
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