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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2016-01-28 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］極薄膜Ge-On-Insulator(GOI) p-MOSFETのキャリア輸送特性 ○ユウ シャオ・亢 健・竹中 充・高木信一（東大）  SDM2015-120 |
[more] | SDM2015-120 pp.1-4 |
| SDM | 2016-01-28 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Si上異種半導体集積によるCMOSフォトニクス ○竹中 充・金 栄現・韓 在勲・亢 健・一宮佑希・程 勇鵬・朴 珍權・金 相賢・高木信一（東大） SDM2015-124 |
本論文では，Siプラットフォーム上にSiGeやGe，III-V族半導体を集積することで光電子集積回路を実現するCMOSフ... [more] | SDM2015-124 pp.17-20 |
| SDM | 2015-01-27 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］ゲルマニウムソース薄膜ひずみSOIトンネルFETの実現とその電気特性に与えるひずみ、MOS界面、バックバイアスの効果 ○金 閔洙・若林勇希・中根了昌・横山正史・竹中 充・高木信一（東大） SDM2014-137 |
本論文では、ゲルマニウムソース/ひずみシリコンチャネルヘテロ接合トンネルFETの高性能動作の実証結果を示す。シリコンチャ... [more] | SDM2014-137 pp.9-12 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-12-19 14:50 |
東京 | 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) | III-V-OI基板の耐熱性向上技術および低抵抗横型PIN接合形成技術 ○一宮佑希・竹中 充・高木信一（東大） OPE2014-146 LQE2014-133 |
III-V CMOSフォトニクスは、III-V-on-Insulator (III-V-OI)基板を用いることで化合物半... [more] | OPE2014-146 LQE2014-133 pp.37-40 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-06-20 16:40 |
東京 | 機械振興会館 | III-V CMOSフォトニクスを用いた小型低クロストーク光スイッチ ○一宮佑希・横山正史・竹中 充・高木信一（東大） OPE2014-21 LQE2014-26 |
III-V CMOSフォトニクスは、基板貼り合わせによって作製したIII-V on insulator (III-V-O... [more] | OPE2014-21 LQE2014-26 pp.39-42 |
| SDM | 2014-01-29 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強い短チャネル効果耐性と閾値変調性を持つ極薄膜InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFET ○金 相賢・横山正史・中根了昌（東大）・市川 磨・長田剛規・秦 雅彦（住友化学）・竹中 充・高木信一（東大） SDM2013-144 |
[more] | SDM2013-144 pp.39-42 |
| SDM | 2013-06-18 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | InGaAs MOSゲートスタック電気特性に与えるメタルゲート電極の影響 ○張 志宇・横山正史・金 相賢（東大）・市川 磨・長田剛規・秦 雅彦（住友化学）・竹中 充・高木信一（東大） SDM2013-50 |
メタルゲート電極がInGaAs MOSゲートスタックの電気特性に与える影響を評価するために、Al2O3/InGaAsとH... [more] | SDM2013-50 pp.33-37 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 09:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］III-V/Ge integration on Si platform for electronic-photonic integrated circuits ○Mitsuru Takenaka・Shinichi Takagi（Univ. Tokyo） |
[more] | |
| OPE, EMT, LQE, PN (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2011-01-28 09:50 |
大阪 | 大阪大学 | Monolithically Integrated 1x100 Photonic Switch Based on Reconfigurable Phased Arrays and SOAs Ibrahim Murat Soganci・Takuo Tanemura・Koji Takeda・Masaru Zaitsu・Mitsuru Takenaka・○Yoshiaki Nakano（Univ. of Tokyo） PN2010-42 OPE2010-155 LQE2010-140 |
[more] | PN2010-42 OPE2010-155 LQE2010-140 pp.93-97 |
| EMD, OPE, LQE, CPM (共催) |
2010-08-26 15:00 |
北海道 | 千歳アルカディアプラザ | 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術 ○竹中 充・横山正史・杉山正和・中野義昭・高木信一（東大） EMD2010-35 CPM2010-51 OPE2010-60 LQE2010-33 |
[more] | EMD2010-35 CPM2010-51 OPE2010-60 LQE2010-33 pp.45-48 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-01 10:45 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積 ○高木信一・竹中 充（東大） ED2010-78 SDM2010-79 |
高移動度のIII-V族化合物半導体やGeをチャネルとするCMOSが、将来の高駆動力・低消費電力LSIのためのデバイス構造... [more] | ED2010-78 SDM2010-79 pp.119-124 |
| SDM | 2010-06-22 14:10 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | High-k/III‐V界面の組成・構造とMIS特性との関係 ○安田哲二・宮田典幸・卜部友二・石井裕之・板谷太郎・前田辰郎（産総研）・山田 永・福原 昇・秦 雅彦（住友化学）・大竹晃浩（物質・材料研究機構）・星井拓也・横山正史・竹中 充・高木信一（東大） SDM2010-42 |
ゲート長が10 nm以下となる技術世代において駆動力向上と低消費電力化を可能にする技術としてIII-V族半導体をチャネル... [more] | SDM2010-42 pp.49-54 |
| OPE, LQE, OCS (共催) |
2009-10-23 09:45 |
福岡 | 九州大学 | マッハ・ツェンダ干渉器型双安定レーザの全光フリップ・フロップ動作実証 ○武田浩司・竹中 充・種村拓夫・財津 優・中野義昭（東大） OCS2009-65 OPE2009-131 LQE2009-90 |
近年様々な光信号処理用の素子が開発されており，中でも全光フリップ・フロップはそのメモリ機能や信号再生への応用から実現が期... [more] | OCS2009-65 OPE2009-131 LQE2009-90 pp.121-124 |
| PN | 2008-08-08 14:50 |
北海道 | 朝里クラッセホテル（小樽市） | 分布ブラッグ反射鏡を用いた全光フリップ・フロップの波長可変特性 ○武田浩司・竹中 充・種村拓夫・中野義昭（東大） PN2008-24 |
我々はこれまで提案実証してきた全光フリップ・フロップは、分布ブラッグ反射鏡を用いることによりモノリシック集積化が可能であ... [more] | PN2008-24 pp.61-64 |
| PN | 2008-03-14 11:45 |
沖縄 | 大濱信泉記念館（沖縄、石垣島） | 伸張歪MQWを用いたMMI-BLDの偏波無依存フリップ・フロップ動作 ○金間泰樹・武田浩司・竹中 充・種村拓夫・中野義昭（東大） PN2007-88 |
将来のフォトニックネットワークにおいて、全光で動作する高速な光メモリー、および光バッファの実現が切望されている。筆者らは... [more] | PN2007-88 pp.81-85 |
| EMT, LQE, OPE, PN (共催) |
2008-01-29 15:05 |
大阪 | 大阪電気通信大学 | MMI双安定レーザー型全光フリップ・フロップの偏波無依存化に向けた実験的検証 ○武田浩司・金間泰樹・竹中 充・種村拓夫・中野義昭（東大） PN2007-66 OPE2007-174 LQE2007-152 |
将来のフォトニックネットワークにおいて、全光で動作する高速な光メモリー、および光バッファの実現が切望されている。筆者らは... [more] | PN2007-66 OPE2007-174 LQE2007-152 pp.163-167 |
| PN | 2007-03-07 09:40 |
鹿児島 | 屋久島環境文化村センター（屋久島） | 多波長光パケット交換と光回線交換を用いたハイブリッドネットワークに関する検討 ○今泉英明・渡部克弥（東大）・斉藤哲也（中大）・松本延孝・種村拓夫・アブドゥラー アルアミン・竹中 充・中野義昭・森川博之（東大） PN2006-97 |
将来のインターネットでは大容量転送能力のみならず，QoS保証機能が要求される． これらの達成を目的とする既存のハイブリ... [more] |
PN2006-97 pp.65-68 |
| PN | 2007-03-07 11:10 |
鹿児島 | 屋久島環境文化村センター（屋久島） | PLZT型光スイッチを用いた80Gb/s多波長光パケット転送実験 ○渡部克弥（東大）・斉藤哲也（中大）・松本延孝・種村拓夫・今泉英明・アブドゥラー アルアミン・竹中 充・中野義昭・森川博之（東大） PN2006-101 |
ネットワークの広帯域化に向け，多波長光パケット転送技術が注目されている．多波長光パケット転送技術は，単一ペイロードを多波... [more] | PN2006-101 pp.81-84 |
| OPE, EMT, LQE, PN (共催) |
2007-01-29 13:00 |
大阪 | 阪大コンベンションセンター | ［招待講演］MMI型光ラベル・メモリによる320Gb/s光パケット・スイッチング ○竹中 充（東大/光協会）・武田浩司・金間泰樹（東大）・レイバン モーラ（Infinera）・宮原利治（三菱電機）・上塚尚登（日立電線）・中野義昭（東大/JST-SORST） PN2006-53 OPE2006-135 LQE2006-124 |
従来の光パケットノードは、入力された光ラベルを最終的に電気信号へ変換し、ドライバ回路を通して光スイッチを駆動する構成とな... [more] | PN2006-53 OPE2006-135 LQE2006-124 pp.37-40 |
| OPE, EMT, LQE, PN (共催) |
2007-01-30 14:50 |
大阪 | 阪大コンベンションセンター | ［招待講演］光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbps ビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証 ○アルアミン アブドゥッラー（東大/光協会）・清水克宏（東大/三菱電機）・竹中 充（東大/光協会）・種村拓夫（東大）・猪原 涼・西村公佐・堀内幸夫・宇佐見正士・瀧田 裕（KDDI研/光協会）・甲斐雄高・青木泰彦・尾中 寛（富士通/光協会）・宮崎泰典・宮原利治・八田竜夫（三菱電機/光協会） PN2006-75 OPE2006-157 LQE2006-146 |
5x5高速PLZT光マトリックススイッチを用いた光バーストスイッチングルーターのプロトタイプのビットレート無依存動作を報... [more] | PN2006-75 OPE2006-157 LQE2006-146 pp.155-160 |
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