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 52件中 21~40件目 [前ページ]  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, THz
(共催)
2018-12-18
09:00
宮城 東北大・通研 [招待講演]InP系、Sb系及びGaN系HEMTの高速化
遠藤 聡渡邊一世山下良美笠松章史NICT)・藤代博記東京理科大)・三村高志NICTED2018-62
我々は,電子ビーム露光法を用いて微細ゲートを有するInP系,Sb系及びGaN系HEMTを作製し,これらのHEMTの特性を... [more] ED2018-62
pp.35-38
AP 2018-02-16
10:55
東京 構造計画研究所 [依頼講演]300 GHz帯透過損失測定
沢田浩和石津健太郎児島史秀稲垣惠三小川博世藤井勝巳笠松章史寶迫 巌NICTAP2017-181
 [more] AP2017-181
pp.31-35
ED, MW
(共催)
2018-01-25
15:45
東京 機械振興会館地下3階研修2号室 Si基板上に作製したInAlN-MIS-HEMTの遅延時間解析
吉田智洋住友電工)・山下良美NICT)・眞壁勇夫住友電工)・渡邊一世笠松章史NICT)・中田 健井上和孝住友電工ED2017-94 MW2017-163
 [more] ED2017-94 MW2017-163
pp.7-10
ED, THz
(共催)
2017-12-18
17:10
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 光誘起キャリヤによるテラヘルツ導波路内変調に関する基礎検討
島貫泰斗慶大)・渡邊一世笠松章史NICT)・田中敏幸門内靖明慶大ED2017-80
テラヘルツ帯で低損失な高抵抗シリコン結晶に励起光を照射し,導電率を変化させることによってテ ラヘルツ波を変調する方法につ... [more] ED2017-80
pp.29-32
ED, THz
(共催)
2017-12-19
09:00
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]アンチモン系トランジスタの開発
藤代博記磯野恭佑高橋択斗原田義彬岡 直希竹内 淳藤澤由衣東京理科大)・藤川紗千恵東京電機大)・町田龍人東京理科大)・渡邊一世山下良美遠藤 聡原 紳介笠松章史NICTED2017-81
量子補正モンテカルロ法を用いた解析により,InSb HEMTは電子有効質量m*が小さいために電子移動度μと電子速度vdが... [more] ED2017-81
pp.33-36
ED, THz
(共催)
2017-12-19
09:40
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTの低温DC・RF特性
遠藤 聡渡邊一世笠松章史NICT)・三村高志NICT/富士通研ED2017-82
In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMT及びIn0.7Ga0.3Asチャ... [more] ED2017-82
pp.37-40
ED 2017-10-26
14:45
宮城 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 テラヘルツ波帯における真空デバイスへの取組み(その3)
梶川恵広吉田 満宗廣孝継増田則夫NECネットワーク・センサ)・関根徳彦菅野敦史山本直克笠松章史寳迫 巌NICTED2017-39
“テラヘルツギャップ”と呼ばれる周波数帯における電力発生技術の開発が重要な課題の一つとなっており,真空デバイスは高出力の... [more] ED2017-39
pp.13-16
ASN 2017-05-26
09:30
東京 東大 生産技術研究所 Evaluation of Binary Sensing with Adaptive Thresholds in Spiking Wireless Sensor Networks
Ferdinand PeperKenji LeibnitzTetsuya ShimokawaNICT)・Junnosuke TeramaeOsaka Univ.)・Akifumi KasamatsuShukichi TanakaNICT)・Naoki WakamiyaOsaka Univ.ASN2017-5
 [more] ASN2017-5
pp.23-26
RCS, SR, SRW
(併催)
2017-03-03
11:15
東京 東京工業大学 サーバルーム環境における300GHz帯伝搬測定
沢田浩和藤井勝巳笠松章史小川博世石津健太郎児島史秀NICTSRW2016-100
 [more] SRW2016-100
pp.177-181
ED 2016-12-19
14:40
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響
遠藤 聡渡邊一世笠松章史NICT)・高橋 剛芝 祥一中舍安宏岩井大介富士通研)・三村高志富士通研/NICTED2016-81
InP系75-nmゲートIn0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTの温度300及び16 Kにお... [more] ED2016-81
pp.7-12
ED 2016-12-20
13:15
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]Input Power Optimization of a Tripler-Base 300-GHz CMOS Up-Conversion Mixer
Ruibing DongNICT)・Kosuke KatayamaHiroshima Univ.)・Shinsuke HaraNICT)・Kyoya TakanoHiroshima Univ.)・Issei WatanabeNorihiko SekineAkifumi KasamatsuNICT)・Takeshi YoshidaShuhei AmakawaMinoru FujishimaHiroshima Univ.ED2016-93
 [more] ED2016-93
pp.71-74
MWP 2016-11-14
11:00
東京 機械振興会館 1THz帯多値信号伝送へ向けた光信号発生手法の検討
菅野敦史関根徳彦笠松章史山本直克NICTMWP2016-45
光フィルタバンク装荷型周回型周波数シフト方式による広帯域光周波数コム信号源を構築し,搬送波周波数1 THzの信号生成に成... [more] MWP2016-45
pp.13-16
LQE, OPE, OCS
(共催)
2016-10-28
14:25
宮崎 宮崎市民プラザ(宮崎) 集積型半導体 光-テラヘルツ信号変換素子 ~ 光通信とテラヘルツ無線通信のシームレスな接続に向けて ~
山﨑理司安井章雄雨宮智宏東工大)・古澤健太郎原 紳介渡邊一世菅野敦史関根徳彦NICT)・Zhichen Gu西山伸彦東工大)・笠松章史NICT)・荒井滋久東工大OCS2016-54 OPE2016-95 LQE2016-70
(事前公開アブストラクト) 近年、THz帯を利用した無線通信システムの研究が盛んに行われている。そのため、現在有線通信に... [more] OCS2016-54 OPE2016-95 LQE2016-70
pp.109-114
ED 2016-10-25
14:15
三重 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) テラヘルツ波帯における真空デバイスへの取組み(その2)
吉田 満小林潤一藤下祐亮増田則夫NECネットワーク・センサ)・関根徳彦菅野敦史山本直克笠松章史寳迫 巌NICTED2016-45
真空デバイスと光デバイスの狭間付近には、テラヘルツギャップと呼ばれる有益なデバイスのない領域が存在している。現在、真空デ... [more] ED2016-45
pp.9-12
SR, SRW
(併催)
2016-05-17
12:00
海外 Hotel Lasaretti, Oulu, Finland [依頼講演]QAM変調信号を送出可能な300 GHz CMOS送信機
天川修平片山光亮高野恭弥広島大)・原 紳介笠松章史NICT)・水野紘一高橋和晃パナソニック)・吉田 毅藤島 実広島大SR2016-12
300 GHz CMOS送信機について報告する.試作に利用した40 nm CMOSプロセスのNMOSトランジスタの$f_... [more] SR2016-12
pp.39-46
MWP 2016-04-21
14:15
東京 機械振興会館 マッハツェンダ変調器型光コム発生器を用いた3THz帯信号発生
諸橋 功入交芳久熊谷基弘川上 彰坂本高秀関根徳彦笠松章史寳迫 巌NICTMWP2016-3
 [more] MWP2016-3
pp.9-12
MWP 2016-04-21
14:55
東京 機械振興会館 PPLNからの広帯域マルチサイクル周波数チャープTHz波パルス発生
浜崎淳一小川 洋関根徳彦笠松章史菅野敦史山本直克寶迫 巌NICTMWP2016-4
高周波(テラヘルツ波, THz波)広帯域のFM-CWレーダー光源開発に向け, 反転周期の間隔を徐々に変化させた周期的分極... [more] MWP2016-4
pp.13-17
LQE, EST, OPE, EMT, PN, MWP
(共催)
IEE-EMT, PEM
(連催) ※学会内は併催 [詳細]
2016-01-28
12:55
兵庫 神戸市産業振興センター MZMベース超平坦光コム発生器を用いたテラヘルツ帯周波数計測法の性能評価
桐ヶ谷茉夕横浜国大)・諸橋 功NICT)・金子優太片山郁文横浜国大)・入交芳久坂本高秀関根徳彦笠松章史寶迫 巌NICTPN2015-40 EMT2015-91 OPE2015-153 LQE2015-140 EST2015-97 MWP2015-66
 [more] PN2015-40 EMT2015-91 OPE2015-153 LQE2015-140 EST2015-97 MWP2015-66
pp.33-38
ED 2015-12-21
13:05
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]小面積D帯CMOS差動増幅器の設計
原 紳介NICT)・片山光亮高野恭弥広島大)・渡邊一世関根徳彦笠松章史NICT)・吉田 毅天川修平藤島 実広島大ED2015-91
最新CMOSプロセス利用によるコスト向上を抑制するため、要素回路の小型化技術が求められる。本発表では、D帯(110 ~ ... [more] ED2015-91
pp.1-6
ED 2015-12-21
13:45
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世笠松章史NICT)・高橋 剛芝 祥一中舍安宏岩井大介富士通研)・三村高志富士通研/NICTED2015-92
75 nmゲートInP系In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTのDC・RF特性を,温度30... [more] ED2015-92
pp.7-11
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