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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ICD
(共催)
2019-03-15
13:30
沖縄 大濱信泉記念館(石垣島) 通信用アクティブフェーズドアレイ送信機の一括歪み補償の原理検証
能登一二三田島賢一三菱電機MW2018-175 ICD2018-119
 [more] MW2018-175 ICD2018-119
pp.103-108
EST, MW, OPE, MWP, EMT
(共催)
IEE-EMT, THz
(連催) ※学会内は併催 [詳細]
2018-07-19
14:35
北海道 洞爺観光ホテル ダイオードリニアライザと複素FIRフィルタを装荷したカルテシアンフィードバック回路の提案
能登一二三田島賢一三菱電機EMT2018-28 MW2018-43 OPE2018-31 EST2018-26 MWP2018-27
 [more] EMT2018-28 MW2018-43 OPE2018-31 EST2018-26 MWP2018-27
pp.115-118
MW, ICD
(共催)
2017-03-03
14:10
岡山 岡山県立大学 通信用アクティブフェーズドアレイ送信機の一括歪み補償
能登一二三田島賢一三菱電機MW2016-212 ICD2016-142
 [more] MW2016-212 ICD2016-142
pp.131-136
EMT, MW, OPE, MWP, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2015-07-17
13:25
北海道 釧路市生涯学習センター Tanh関数を用いたドハティアンプの動的AM/AM-AM/PM制御
小松崎優治大塚浩志能登一二三新庄真太郎山中宏治濱松美博福本 宏三菱電機EMT2015-47 MW2015-85 OPE2015-59 EST2015-51 MWP2015-50
PAPRの大きい信号を高効率で増幅する増幅器としてドハティアンプは有用であるが,動作級の異なる2つのアンプを並列接続して... [more] EMT2015-47 MW2015-85 OPE2015-59 EST2015-51 MWP2015-50
pp.227-232
MW, ICD
(共催)
2015-03-06
15:45
福井 福井大学 CCDFを用いて動作点を自動調整するオープンループ型ディジタルプリディストータ
安藤暢彦能登一二三檜枝護重三菱電機MW2014-226 ICD2014-139
 [more] MW2014-226 ICD2014-139
pp.133-136
MW 2014-11-21
15:45
長崎 長崎大 ポーラーループ歪み補償回路の広帯域化に関する検討
能登一二三藤原孝信安藤暢彦檜枝護重三菱電機MW2014-146
携帯端末の電池寿命の延伸化のためには,歪み補償回路の搭載が有効であるが,近年の無線方式であるLTEやLTE-Advanc... [more] MW2014-146
pp.123-128
MW 2013-03-08
10:40
広島 広島大学 ダイオードリニアライザの高周波化に関する検討
能登一二三山内和久安永吉徳川上憲司三菱電機MW2012-184
 [more] MW2012-184
pp.141-146
MWP, OPE, MW, EMT, EST, IEE-EMT
(共催) [詳細]
2012-07-26
09:30
北海道 北海道大学 S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 ~ 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化 ~
小坂尚希内田浩光能登一二三山中宏治中山正敏平野嘉仁井上 晃野上洋一金谷 康三菱電機MW2012-28 OPE2012-21 EST2012-10 MWP2012-9
 [more] MW2012-28 OPE2012-21 EST2012-10 MWP2012-9
pp.7-10
MW 2011-11-24
16:15
沖縄 与那国島(久部良多目的集会施設) [特別講演]2011年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告
上田哲也京都工繊大)・大平昌敬埼玉大)・岡崎浩司NTTドコモ)・加屋野博幸堤 由佳子東芝)・野坂秀之NTT)・能登一二三三菱電機)・ポカレル ラメシュ九大MW2011-116
米国ボルチモア市において開催された2011年IEEE MTT-S 国際マイクロ波シンポジウム(IMS2011)の出席報告... [more] MW2011-116
pp.15-24
MW 2008-06-27
14:50
愛知 豊橋技科大 高調波整合によるGaN HEMTの高効率動作の検討
山中宏治能登一二三木村実人山内和久加茂宣卓桑田英悟大塚浩志井上 晃三菱電機MW2008-44
高調波処理(高調波整合)によるGaN HEMTの高効率動作について報告する.GaN HEMT はGaAs FETの約10... [more] MW2008-44
pp.69-74
ED, MW
(共催)
2008-01-16
14:50
東京 機械振興会館 C帯高効率高出力GaN HEMT増幅器
山中宏治大塚浩志森 一富能登一二三三菱電機ED2007-210 MW2007-141
GaN HEMTを用いたC帯高出力増幅器について報告する.表面パッシベーション膜の形成にCat-CVD法を用いることでカ... [more] ED2007-210 MW2007-141
pp.23-28
SCE, MW
(共催)
2006-04-20
17:20
東京 超電導工学研究所 (東雲) アンチパラレル型直列ダイオードリニアライザによる電力増幅器の歪み補償
能登一二三山内和久石坂 哲濱松美博中山正敏三菱電機
通信の高度化に伴い増幅器の低歪化, 高効率化が求められている.両立する一つの方法としてダイオードを用いた簡易なプリディス... [more] SCE2006-11 MW2006-11
pp.57-62
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