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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 16:20 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 自在な電気的スペクトル変調に向けたInGaN系広帯域発光構造の設計と作製 ○宮脇啓嘉・松田祥伸・船戸 充・川上養一（京大）  ED2023-21 CPM2023-63 LQE2023-61 |
蛍光体フリーな多波長発光構造としてInGaN系三次元構造がある．最近当研究室では，レジストパターン転写による基板加工技術... [more] | ED2023-21 CPM2023-63 LQE2023-61 pp.36-39 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 16:45 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 半極性面GaNマイクロレンズ構造上InGaN量子井戸における広帯域発光へのアプローチ ○福重翔吾・松田祥伸・船戸 充・川上養一（京大） ED2023-22 CPM2023-64 LQE2023-62 |
InGaN系三次元構造は，単一材料系で可視光全域をカバーする多波長発光素子として有望である．最近我々は，傾斜角が連続的に... [more] | ED2023-22 CPM2023-64 LQE2023-62 pp.40-43 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-25 13:00 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
サーマルリフロー法を用いたInGaN系多波長発光構造の作製とLEDデバイス動作 ○松田祥伸・船戸 充・川上養一（京大） ED2022-43 CPM2022-68 LQE2022-76 |
蛍光体フリーな多波長発光構造としてInGaN系マイクロ構造がある．本研究では，テンプレート上になだらかなマイクロ構造をあ... [more] | ED2022-43 CPM2022-68 LQE2022-76 pp.85-88 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 11:55 |
ONLINE | オンライン開催 | エレクトロルミネッセンス・フォトルミネッセンス法によるAlN基板上265nm帯AlGaN LEDの評価 ○石井良太（京大）・吉川 陽・永瀬和宏（旭化成）・船戸 充・川上養一（京大） ED2020-6 CPM2020-27 LQE2020-57 |
[more] | ED2020-6 CPM2020-27 LQE2020-57 pp.21-24 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 15:40 |
ONLINE | オンライン開催 | プラズモニックナノ共振器による高効率発光と量子デバイスへの応用 ○岡本晃一・垣内晴也・島ノ江考平・村尾文弥・松山哲也・和田健司（阪府大）・船戸 充・川上養一（京大） ED2020-25 CPM2020-46 LQE2020-76 |
金属ナノ構造によるプラズモニックナノ共振器と共鳴することで，励起子の自然放出速度が増加し高効率発光が得られる．表面プラズ... [more] | ED2020-25 CPM2020-46 LQE2020-76 pp.95-98 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-22 13:05 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | 微傾斜AlN(0001)面上へのGaN極薄膜量子井戸の作製と光学特性 ○船戸 充・小林敬嗣・川上養一（京大） ED2019-54 CPM2019-73 LQE2019-97 |
有機金属気相成長法により，[1bar{mathrm{1}}00]方向に3傾斜したAlN(0001)基板上に，分子層(M... [more] | ED2019-54 CPM2019-73 LQE2019-97 pp.89-92 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-29 13:00 |
愛知 | 名古屋工業大学 | GaN/AlN極薄膜量子井戸の作製と偏光特性 ○船戸 充・市川修平・川上養一（京大） ED2018-32 CPM2018-66 LQE2018-86 |
[more] | ED2018-32 CPM2018-66 LQE2018-86 pp.1-4 |
| LQE | 2017-12-15 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | ［奨励講演］Polar-plane-free faceted InGaN microstructures for highly efficient polychromatic emitters ○Yoshinobu Matsuda・Mitsuru Funato・Yoichi Kawakami（Kyoto Univ.） LQE2017-86 |
InGaNマルチファセット量子井戸構造は，蛍光体フリーな高効率白色合成が期待できることから，近年注目を集めている．しかし... [more] | LQE2017-86 pp.5-8 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 14:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | マクロステップ上AlGaN量子細線の光学特性 ○早川峰洋・林 佑樹・長瀬勇樹・市川修平・熊本恭介・柴岡真美・船戸 充・川上養一（京大） ED2017-52 CPM2017-95 LQE2017-65 |
近年，AlGaN/Al(Ga)N量子井戸を用いた深紫外LEDの研究が進展をみせており，メーカーによる市販化も始まった．し... [more] | ED2017-52 CPM2017-95 LQE2017-65 pp.15-18 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 10:05 |
京都 | 京大桂キャンパス | 極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多波長発光の実現 ○松田祥伸・船戸 充・川上養一（京大） ED2016-70 CPM2016-103 LQE2016-86 |
三次元GaN上に作製したInGaN量子井戸は，蛍光体フリーな新規白色LEDとして有望である．しかし，これまで報告されてき... [more] | ED2016-70 CPM2016-103 LQE2016-86 pp.67-70 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 10:30 |
京都 | 京大桂キャンパス | クリーンプロセスによるAlNバルク結晶の成長 ○岸元克浩・呉 珮岑・船戸 充・川上養一（京大） ED2016-71 CPM2016-104 LQE2016-87 |
本研究では，新たなAlNバルク成長法として，AlとN2を原料としたシンプルかつクリーンな方法であるElementary ... [more] | ED2016-71 CPM2016-104 LQE2016-87 pp.71-74 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 16:30 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 多波長励起発光分離法を用いたInGaN薄膜のラマン散乱分光 ○石戸亮祐・石井良太・船戸 充・川上養一（京大） ED2015-79 CPM2015-114 LQE2015-111 |
共鳴ラマン散乱分光法は，発光素子の活性層の評価法として高いポテンシャルを有している．しかし，ラマン信号に発光スペクトルが... [more] | ED2015-79 CPM2015-114 LQE2015-111 pp.59-62 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 16:55 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | アルミニウムを用いたプラズモニクスの発光増強応用 ○岡本晃一・立石和隆・川元 駿・西田知句・玉田 薫（九大）・船戸 充・川上養一（京大） ED2015-80 CPM2015-115 LQE2015-112 |
プラズモニクスの利用は，高効率発光ダイオード（LED）の発光効率を改善する有効な方法のひとつである．我々は2004年に，... [more] | ED2015-80 CPM2015-115 LQE2015-112 pp.63-68 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-27 11:00 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | 格子整合系ScAlMgO4基板上でのGaN系窒化物半導体の結晶成長 ○尾崎拓也・船戸 充・川上養一（京大） ED2014-74 CPM2014-131 LQE2014-102 |
ScAlMgO4 (SCAM)基板上のGaN系窒化物半導体の有機金属気相成長に関して述べる．SCAMは斜方晶の結晶で，六... [more] | ED2014-74 CPM2014-131 LQE2014-102 pp.5-8 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 16:40 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | A novel method for crystallizations of aluminum nitride ○PeiTsen Wu・Mitsuru Funato・Yoichi Kawakami（Kyoto Univ.） ED2013-75 CPM2013-134 LQE2013-110 |
In this work, a new method of AlN crystal growth is proposed... [more] | ED2013-75 CPM2013-134 LQE2013-110 pp.51-55 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 11:25 |
大阪 | 大阪市立大学 | Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates ○Yoon Seok Kim（Kyout Univ.）・Akio Kaneta・Mitsuru Funato・Yoichi Kawakami（Kyoto Univ.）・Takashi Miyoshi・Shin-ichi Nagahama（Nichia） ED2012-81 CPM2012-138 LQE2012-109 |
緑色領域でのレーザの開発がInGaNをベースとした材料系で進められている．とくに，従来用いられている(0001)極性面と... [more] | ED2012-81 CPM2012-138 LQE2012-109 pp.71-74 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 09:30 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果 ○石井良太・金田昭男・ライアン バナル・船戸 充・川上養一（京大） ED2011-88 CPM2011-137 LQE2011-111 |
sp3 価電子軌道を構成しているウルツ鉱構造の半導体の価電子帯頂上は，結晶場相互作用によって既約 表現がΓ1 とΓ5 ... [more] |
ED2011-88 CPM2011-137 LQE2011-111 pp.77-80 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 11:10 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | Optical gain spectra in semipolar {20-21} oriented green InGaN LDs in comparison with (0001) LDs ○Yoon Seok Kim・Akio Kaneta・Mitsuru Funato・Yoichi Kawakami（Kyoto Univ.）・Takashi Kyono・Masaki Ueno・Takao Nakamura（Sumitomo Electric） ED2011-92 CPM2011-141 LQE2011-115 |
[more] | ED2011-92 CPM2011-141 LQE2011-115 pp.99-102 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 14:55 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 ～ SNOMによるEfficiency droop機構の解明 ～ ○橋谷 享・金田昭男・船戸 充・川上養一（京大） ED2010-149 CPM2010-115 LQE2010-105 |
InGaN 単一量子井戸構造(SQW)のefficiency droop 現象を解明するために, 本研究では, 内部量子... [more] | ED2010-149 CPM2010-115 LQE2010-105 pp.33-36 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 15:20 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100 mW深紫外発光 ○大音隆男・Ryan G. Banal（京大）・片岡 研（ウシオ電機）・船戸 充・川上養一（京大） ED2010-150 CPM2010-116 LQE2010-106 |
AlGaNを用いた深紫外発光ダイオードの外部量子効率は5%以下と非常に低いのが現状である．その物理的原因として，p型のホ... [more] | ED2010-150 CPM2010-116 LQE2010-106 pp.37-40 |
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