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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ED
(共催)
2013-02-27
16:05
北海道 北海道大学(百年記念会館) フレキシブルデバイス応用を目指したセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性
孫 屹木村祐太前元利彦佐々誠彦阪工大)・葛西誠也北大ED2012-133 SDM2012-162
酸化物半導体のデバイス応用として,セルフスイッチング型ナノダイオード(Self Switching nano-Diode... [more] ED2012-133 SDM2012-162
pp.31-34
SDM, ED
(共催)
2013-02-27
16:30
北海道 北海道大学(百年記念会館) グラフェン3分岐接合デバイスの試作と論理回路応用の検討
殷 翔葛西誠也北大ED2012-134 SDM2012-163
グラフェン3分岐接合デバイス(TBJ)は特異な非線形伝達特性を示し,電界効果による伝導型制御との組合せによりANDゲート... [more] ED2012-134 SDM2012-163
pp.35-38
ED 2012-07-27
11:00
福井 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部3F研修室 GaAs系エッチングナノワイヤCCDにおける同期電荷転送と効率に関する検討
中野雄紀田中貴之・○葛西誠也北大ED2012-51
化合物半導体ナノワイヤネットワークを母体構造とした省面積・低消費電力論理回路の実現を進めているが,その集積システム化にお... [more] ED2012-51
pp.55-59
NLP 2012-07-06
13:00
鹿児島 鹿児島県産業会館 確率共鳴を応用した経路長変調ネットワーク系の有色雑音環境での考察
田所幸浩豊田中研)・葛西誠也北大)・一木輝久豊田中研NLP2012-55
 [more] NLP2012-55
pp.97-102
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-27
15:45
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]Nonlinear Three Branch Nano-Junction Devices and Their Application to Logic Circuits
Seiya KasaiHokkaido Univ.)・Shaharin Fadzli Abd RahmanUTM/Hokkaido Univ.)・Masaki SatoXiang YinHokkaido Univ.)・Toshihiko MaemotoOsaka Inst. Tech.
A nanometer-scale semiconductor three-branch junction (TBJ) ... [more]
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
11:15
沖縄 沖縄県青年会館 Fabrication and Characterization of Asymmetric-Gate GaAs Nanowire Transistors for Electrical Brownian Ratchet
Takayuki TanakaYuki NakanoToru MuramatsuSeiya KasaiHokkaido Univ.
 [more]
ED, SDM
(共催)
2012-02-08
13:50
北海道 北海道大学 百年記念会館 SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析
村松 徹・○葛西誠也谷田部然治北大ED2011-157 SDM2011-174
FETの微細化がすすむと素子自身が発する雑音が増加するといわれており,系統的評価や理解が必要である.本研究では次世代集積... [more] ED2011-157 SDM2011-174
pp.89-93
ED, SDM
(共催)
2012-02-08
14:15
北海道 北海道大学 百年記念会館 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討
佐藤将来村松 徹葛西誠也北大ED2011-158 SDM2011-175
半導体ナノワイヤ3分岐接合(TBJ)デバイスは,単純な構造ながら室温において特異な非線形特性を示し,アナログ回路やディジ... [more] ED2011-158 SDM2011-175
pp.95-99
ED 2011-07-29
16:10
新潟 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター SiNx絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価
村松 徹三浦健輔白鳥悠太葛西誠也北大ED2011-43
半導体電界効果トランジスタ(FET)の微細化に伴い素子自身が発する雑音が増大しており,雑音特性の理解と制御が重要になって... [more] ED2011-43
pp.31-34
SDM, ED
(共催)
2011-02-24
09:30
北海道 北海道大学 百年記念会館 ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤCCDの試作と電荷転送動作の検討
中野雄紀三浦健輔白鳥悠太北大)・葛西誠也北大/JSTED2010-200 SDM2010-235
同期型ナノワイヤ集積回路の構成要素として,GaAs系ナノワイヤをショットキーラップゲートで制御した電荷結合素子(Char... [more] ED2010-200 SDM2010-235
pp.49-52
SDM, ED
(共催)
2011-02-24
12:00
北海道 北海道大学 百年記念会館 量子ドットと並列ネットワークにおける単電子確率共鳴
葛西誠也北大/JST)・白鳥悠太三浦健輔中野雄紀北大ED2010-206 SDM2010-241
熱ゆらぎによって駆動される量子ドット並列加算ネットワークにおける単電子確率共鳴に関し,ドットばらつきの効果についてシミュ... [more] ED2010-206 SDM2010-241
pp.79-82
ED 2010-09-13
14:30
福岡 九州工業大(若松キャンパス) GaAs系ナノワイヤFETを用いたTHzセンシングと確率共鳴による感度向上の検討
葛西誠也北大/JST)・三浦健輔白鳥悠太北大ED2010-125
GaAsエッチングナノワイヤFETによるTHz信号センシングについて述べる.デバイスを低温で動作させ量子化コンダクタンス... [more] ED2010-125
pp.13-17
ED, SDM
(共催)
2010-02-22
13:50
沖縄 沖縄県青年会館 カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共鳴素子
袴田靖文大野恭秀前橋兼三阪大)・葛西誠也北大)・井上恒一松本和彦阪大ED2009-198 SDM2009-195
微弱信号の応答を増幅することを目的として,カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ (CNT-FETs) を用いた確率共... [more] ED2009-198 SDM2009-195
pp.11-15
ED, SDM
(共催)
2010-02-22
14:15
沖縄 沖縄県青年会館 量子ドットにおける単電子確率共鳴の解析
葛西誠也北大/JST)・白鳥悠太三浦健輔北大ED2009-199 SDM2009-196
量子ドットの単電子充放電プロセスにおける確率共鳴的挙動を理論的に解析した.確率共鳴とはゆらぎによって系の応答が高まる現象... [more] ED2009-199 SDM2009-196
pp.17-21
ED, SDM
(共催)
2010-02-23
10:35
沖縄 沖縄県青年会館 ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた順序回路の試作
柴田 啓中田大輔白鳥悠太北大)・葛西誠也北大/JSTED2009-207 SDM2009-204
ゲート制御したナノワイヤ3分岐接合(TBJ)集積による新しい順序回路について述べる。TBJは3本のナノワイヤを接合しただ... [more] ED2009-207 SDM2009-204
pp.65-70
ED, SDM
(共催)
2010-02-23
11:00
沖縄 沖縄県青年会館 GaAsナノワイヤネットワークを主体としたコンパクトな再構成可能BDD論理回路の検討
白鳥悠太三浦健輔北大)・葛西誠也北大/JSTED2009-208 SDM2009-205
半導体ナノワイヤネットワークを主体とした,再構成可能な二分決定グラフ(BDD)論理回路について述べる.この回路では,シャ... [more] ED2009-208 SDM2009-205
pp.71-76
SDM, ED
(共催)
2009-06-25
12:00
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) Stochastic Resonance in GaAs-based Nanowire Field-Effect Transistors and Their Summing Network
Seiya KasaiHokkaido Univ./PRESTO JST)・Tetsuya AsaiYuta ShiratoriDaisuke NakataHokkaido Univ.ED2009-78 SDM2009-73
Stochastic resonance phenomenon in GaAs-based nanowire field... [more] ED2009-78 SDM2009-73
pp.125-128
SDM, ED
(共催)
2009-02-27
10:15
北海道 北海道大学 GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの動作特性評価と解析
中田大輔アブドゥール ラーマン シャハリン ファズリ白鳥悠太北大)・葛西誠也北大/JSTED2008-235 SDM2008-227
ナノワイヤ3分岐接合デバイスは,低温から室温までの広い温度領域において特異な非線形特性を示し,論理回路や高周波回路への応... [more] ED2008-235 SDM2008-227
pp.63-68
SDM, ED
(共催)
2009-02-27
11:20
北海道 北海道大学 GaAsナノワイヤネットワークを用いたナノデバイス集積系による確率共鳴の発現と解析
葛西誠也北大/JST)・浅井哲也白鳥悠太趙 洪泉北大ED2008-237 SDM2008-229
雑音により系の応答が向上する確率共鳴現象を,GaAsナノワイヤネットワーク上に形成したトランジスタを用いて観測することに... [more] ED2008-237 SDM2008-229
pp.75-79
ED, SDM
(共催)
2008-01-30
16:20
北海道 北海道大学 GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形特性制御と論理ゲートへの応用
アブドゥール ラーマン シャハリン ファズリ白鳥悠太葛西誠也北大ED2007-243 SDM2007-254
 [more] ED2007-243 SDM2007-254
pp.33-38
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