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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-12-01
16:40
静岡 アクトシティ浜松 230nm帯far-UVCLEDの短波長化の検討と高出力LEDパネルの実現
牟田実広大神裕之毛利健吾河島宏和日本タングステン)・前田哲利アジマル カーン鹿嶋行雄松浦恵里子中村勇稀住司 光桐原大河理研)・藤川紗千恵矢口裕之埼玉大)・祝迫 恭日本タングステン)・平山秀樹理研ED2023-37 CPM2023-79 LQE2023-77
本研究では、人体無害波長230nm帯遠紫外線LEDの短波長化と高出力化の開発を行った。AlGaNバッファー層の高Al組成... [more] ED2023-37 CPM2023-79 LQE2023-77
pp.102-105
ED, THz
(共催)
2017-12-19
09:00
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]アンチモン系トランジスタの開発
藤代博記磯野恭佑高橋択斗原田義彬岡 直希竹内 淳藤澤由衣東京理科大)・藤川紗千恵東京電機大)・町田龍人東京理科大)・渡邊一世山下良美遠藤 聡原 紳介笠松章史NICTED2017-81
量子補正モンテカルロ法を用いた解析により,InSb HEMTは電子有効質量m*が小さいために電子移動度μと電子速度vdが... [more] ED2017-81
pp.33-36
ED 2015-07-25
11:05
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性
竹鶴達哉藤川紗千恵原田義彬鈴木浩基磯野恭佑加藤三四郎辻 大介藤代博記東京理科大ED2015-45
MBE法を用いて成長させたGaAs (100) 基板上InSb量子井戸構造の電子輸送特性向上のため、新たなAlInSbバ... [more] ED2015-45
pp.45-49
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
14:05
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 窒化物LED高効率化のためのナノインプリントとドライエッチングによる微細加工制御技術
鹿嶋行雄松浦恵里子丸文)・嶋谷 聡東京応化)・小久保光典田代貴晴大川貴史東芝機械)・上村隆一郎長田大和アルバック)・藤川紗千恵平山秀樹理研ED2014-79 CPM2014-136 LQE2014-107
フォトニック結晶を窒化物LEDに形成し、光取出し効率を向上した結果を示す。また、シミュレーションによるフォトニック結晶の... [more] ED2014-79 CPM2014-136 LQE2014-107
pp.27-32
ED 2014-08-01
11:45
東京 機械振興会館B3-1室 貫通転位がInSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析
初芝正太長井彰平藤川紗千恵東京理科大)・原 紳介遠藤 聡渡邊一世笠松章史NICT)・藤代博記東京理科大ED2014-55
転位散乱がInSb HEMTのデバイス特性に与える影響を解析するため,量子補正モンテカ
ルロ(QC-MC)シミュレータ... [more]
ED2014-55
pp.13-18
ED 2014-08-01
14:20
東京 機械振興会館B3-1室 III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析
矢島悠貴大濱諒子藤川紗千恵藤代博記東京理科大ED2014-57
Si MOSFETの微細化限界が近づきつつある現在,微細化に依らない性能向上の実現のため,III-V族化合物半導体をチャ... [more] ED2014-57
pp.25-28
ED 2013-08-09
09:25
富山 富山大学工学部 大会議室 真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響
後藤高寛藤川紗千恵藤代博記東京理科大)・小倉睦郎安田哲二前田辰郎産総研ED2013-45
あらまし MOCVD法を用いてGaAs基板上に低温GaSbバッファー層を挟みGaSb層を成長させた.GaSb/GaAs界... [more] ED2013-45
pp.37-42
ED 2013-08-09
09:50
富山 富山大学工学部 大会議室 Ga/Si(111)表面再構成構造を用いたSi(111)基板上GaSbナノ構造の形成
町田龍人戸田隆介吉木圭祐藤川紗千恵東京理科大)・原 紳介NICT)・色川勝己三木裕文東京理科大)・河津 璋東京電機大)・藤代博記東京理科大ED2013-46
Si基板上のGaSbナノ構造は近赤外の発光素子への応用が期待されており,エピタキシャル成長法による形成の制御技術を確立す... [more] ED2013-46
pp.43-48
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-30
13:40
大阪 大阪市立大学 AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み
富田優志埼玉大)・平山秀樹藤川紗千恵理研)・水澤克哉豊田史朗鎌田憲彦埼玉大ED2012-84 CPM2012-141 LQE2012-112
AlGaN系深紫外LEDのAlNバッファーを結合ピラー構造とすることで、貫通転位密度低減による内部量子効率(IQE)の向... [more] ED2012-84 CPM2012-141 LQE2012-112
pp.87-92
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-18
13:10
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製
前田哲利平山秀樹藤川紗千恵理研ED2011-94 CPM2011-143 LQE2011-117
m軸およびa軸オフ角0.15°のc面(0001)サファイア基板上の、MOCVDによるAlN結晶成長の特徴を比較調査した。... [more] ED2011-94 CPM2011-143 LQE2011-117
pp.107-112
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-27
17:40
愛知 名古屋工業大学 ELO-AINテンプレート上に作製した270nm帯ALGaN紫外LED
乗松 潤平山秀樹藤川紗千恵野口憲路理研/埼玉大/JST)・高野隆好理研/パナソニック電工)・椿 健治理研/埼玉大/JST)・鎌田憲彦埼玉大/JSTED2008-168 CPM2008-117 LQE2008-112
波長250-280nm帯の紫外LED・LDは今後殺菌用途応用への展開が予測され、その高効率・高出力化が大変期待されている... [more] ED2008-168 CPM2008-117 LQE2008-112
pp.77-82
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-28
09:00
愛知 名古屋工業大学 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED
平山秀樹藤川紗千恵理研/埼玉大/JST)・高野隆好椿 健治松下電工ED2008-169 CPM2008-118 LQE2008-113
波長250-280nm帯の紫外LED・LDは殺菌用途への展開が予測され、高効率・高出力化が期待されている。Inを数%程度... [more] ED2008-169 CPM2008-118 LQE2008-113
pp.83-88
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-11
15:45
福井 福井大学 p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED
藤川紗千恵理研)・高野隆好近藤行廣松下電工)・平山秀樹理研ED2007-161 CPM2007-87 LQE2007-62
 [more] ED2007-161 CPM2007-87 LQE2007-62
pp.29-34
LQE, ED, CPM
(共催)
2005-10-14
15:10
滋賀 立命館大学 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測
平山秀樹高野隆好理研)・大橋智昭理研/埼玉大)・藤川紗千恵理研)・鎌田憲彦埼玉大)・近藤行廣理研
 [more] ED2005-153 CPM2005-140 LQE2005-80
pp.67-72
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