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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2008-04-18
13:05
東京 機械振興会館 [招待講演]二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子
大場竜二三谷祐一郎杉山直治藤田 忍東芝ICD2008-11
ナノメートルスケールのSi微小結晶を、薄いトンネル酸化膜で挟んだ二重接合構造を、浮遊ゲート型メモリ素子のトンネル膜に応用... [more] ICD2008-11
pp.57-62
SDM 2008-03-14
13:05
東京 機械振興会館 二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子
大場竜二三谷祐一郎杉山直治藤田 忍東芝SDM2007-273
ナノメートルスケールのSi微小結晶を、薄いトンネル酸化膜で挟んだ二重接合構造を、浮遊ゲート型メモリ素子のトンネル膜に応用... [more] SDM2007-273
pp.1-6
ICD 2007-04-13
14:20
大分 大分県・湯布院・七色の風 二重接合を用いた25nmSONOS型メモリ素子
大場竜二三谷祐一郎杉山直治藤田 忍東芝ICD2007-16
ナノメートルスケールの導電性微小粒子を、薄いトンネル抵抗で挟んだ構造を、単電子トンネルを扱う分野では「二重接合」と言いま... [more] ICD2007-16
pp.89-93
ICD 2006-04-14
14:20
大分 大分大学 Floating Gate Type Planar MOSFET Memory with 35 nm Gate Length using Double Junction Tunneling
Ryuji OhbaYuichiro MitaniNaoharu SugiyamaShinobu FujitaToshiba
 [more] ICD2006-19
pp.103-107
ICD 2005-12-16
09:00
高知 高知工科大 情報セキュリティ向け超小型物理乱数生成回路
安田心一棚本哲史大場竜二安部恵子野崎華恵藤田 忍東芝
大きなノイズ信号を発生するシリコンナノデバイスをノイズ源として、これを利用することで小型の物理乱数生成回路を実現した。こ... [more] ICD2005-192
pp.1-6
ISEC 2005-09-16
10:45
東京 機械振興会館 DPAマスク対策における乱数の影響について
野崎華恵安田心一藤崎浩一新保 淳藤田 忍東芝
セキュリティ応用における乱数評価を目的として,電力解析攻撃DPAのデータマスク対策で用いる乱数のDPA耐性に対する影響を... [more] ISEC2005-77
pp.7-13
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