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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OME 2011-02-07
15:40
東京 機械振興会館 トリフェニルアミン構造を有するシロール誘導体を添加したフルオレンポリマー薄膜の過渡吸収評価
福田武司木村 翔本多善太郎鎌田憲彦森 桂太幡野 健埼玉大)・古部昭広産総研OME2010-74
 [more] OME2010-74
pp.29-32
EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL
(連催)
2011-01-28
13:45
高知 高知工科大学 研究教育棟B Ba3Si6012N2:Eu2+蛍光体のフォト-及び熱ルミネッセンス評価
石岡 亮五十嵐航平福田武司埼玉大)・木島直人三菱化学)・鎌田憲彦埼玉大EID2010-28
白色LEDでの緑色発光源として有望なBa3Si6O12N2:Eu2+蛍光体に対して,内部量子効率,フォトルミネッセンス(... [more] EID2010-28
pp.25-28
EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL
(連催)
2011-01-28
14:35
高知 高知工科大学 研究教育棟B 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価
五十嵐航平石岡 亮埼玉大)・塚田悠介埼玉大/理研)・福田武司本多善太郎埼玉大)・平山秀樹埼玉大/理研)・鎌田憲彦埼玉大EID2010-31
波長200nm台の深紫外発光用AlGaN系結晶を高効率化するため,MOCVD成長温度880℃と920℃,Inフローの有無... [more] EID2010-31
pp.41-44
OME 2010-10-22
13:00
東京 NTT武蔵野研究開発センター 静電塗布法の噴射領域の制御技術
浅木裕隆福田武司埼玉大/理研)・雷 康斌王 盛加瀬 究理研)・本多善太郎鎌田憲彦埼玉大)・朱 正明山形 豊理研OME2010-46
 [more] OME2010-46
pp.1-4
OME 2010-10-22
13:50
東京 NTT武蔵野研究開発センター 静電塗布法を利用した太陽電池用有機材料の平坦化技術
浅野 俊高木健次福田武司埼玉大/理研)・朱 正明理研)・本多善太郎鎌田憲彦埼玉大)・田島右副青山哲也埼玉大/理研)・山形 豊理研OME2010-48
ウェットプロセスでバルクヘテロジャンクション型有機太陽電池を形成する為には、p型とn型の両材料を溶解する溶媒を選択する必... [more] OME2010-48
pp.11-14
OME, EID
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2010-07-12
14:55
東京 機械振興会館 フェムト秒ポンププローブ法を利用したシロール誘導体-フルオレンポリマー混合膜の過渡吸収特性
福田武司小林諒平鎌田憲彦幡野 健埼玉大)・古部昭広産総研EID2010-4 OME2010-39
フルオレンポリマー(F8BT)と1,1-dimethyl-2,5-bis(N,N-dimethylaminophenyl... [more] EID2010-4 OME2010-39
pp.15-18
ITE-IDY, EID, IEIJ-SSL, IEE-EDD
(共催)
2010-01-28
14:20
福岡 九州大学(筑紫地区) InGaN量子井戸中の非発光再結合準位の2波長励起フォトルミネッセンス評価
山口朋彦五十嵐航平福田武司本多善太郎鎌田憲彦埼玉大
非破壊・非接触で非発光再結合準位として作用する禁制帯内準位の評価が可能な2波長励起フォトルミネセンス法を用いて,障壁層と... [more] EID2009-55
pp.33-36
OME 2010-01-12
14:15
東京 機械振興会館 可溶性金属フタロシアニンを用いた波長選択型有機光電変換素子
金 海峰福田武司鎌田憲彦石丸雄大埼玉大OME2009-73
 [more] OME2009-73
pp.37-40
OME 2010-01-12
14:40
東京 機械振興会館 有機光電変換素子におけるシロール誘導体の添加効果
小林諒平福田武司鎌田憲彦埼玉大)・相原 聡瀬尾北斗NHK)・幡野 健照沼大陽埼玉大OME2009-74
 [more] OME2009-74
pp.41-44
EID, ITE-IDY
(共催)
2009-07-23
13:45
東京 機械振興会館 ゾルゲルガラスで封止したナノ粒子Eu錯体の劣化特性
加藤さやか福田武司本多善太郎鎌田憲彦埼玉大EID2009-13
 [more] EID2009-13
pp.5-8
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-27
17:15
愛知 名古屋工業大学 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化
野口憲路理研/埼玉大/JST)・平山秀樹理研/JST)・乗松 潤理研/埼玉大/JST)・鎌田憲彦埼玉大/JSTED2008-167 CPM2008-116 LQE2008-111
波長210nm~350nm帯の紫外LED・LDは様々な研究グループで開発が進められている。しかし発光効率は低く、特に25... [more] ED2008-167 CPM2008-116 LQE2008-111
pp.71-76
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-27
17:40
愛知 名古屋工業大学 ELO-AINテンプレート上に作製した270nm帯ALGaN紫外LED
乗松 潤平山秀樹藤川紗千恵野口憲路理研/埼玉大/JST)・高野隆好理研/パナソニック電工)・椿 健治理研/埼玉大/JST)・鎌田憲彦埼玉大/JSTED2008-168 CPM2008-117 LQE2008-112
波長250-280nm帯の紫外LED・LDは今後殺菌用途応用への展開が予測され、その高効率・高出力化が大変期待されている... [more] ED2008-168 CPM2008-117 LQE2008-112
pp.77-82
LQE, ED, CPM
(共催)
2005-10-14
15:10
滋賀 立命館大学 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測
平山秀樹高野隆好理研)・大橋智昭理研/埼玉大)・藤川紗千恵理研)・鎌田憲彦埼玉大)・近藤行廣理研
 [more] ED2005-153 CPM2005-140 LQE2005-80
pp.67-72
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