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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2023-06-26
10:10
広島 広島大学 ナノデバイス研究所 [記念講演]表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく 極薄膜nMOSFETのチャネル材料と面方位の最適設計
隅田 圭姜 旼秀陳 家驄トープラサートポン カシディット竹中 充高木信一東大SDM2023-27
FinFETの次世代チャネルとしてCMOSに採用され始めているナノシートチャネルは, チャネルの極薄膜化により短チャネル... [more] SDM2023-27
pp.1-4
SDM 2022-11-10
11:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく極薄膜nMOSFETチャネル材料と面方位の最適設計
隅田 圭姜 旼秀陳 家驄トープラサートポン カシディット竹中 充高木信一東大SDM2022-65
将来のCMOSチャネルには極薄膜(ETB)のナノシート構造が最も有望視されている. また別の応用として, 量子コンピュー... [more] SDM2022-65
pp.7-12
SDM 2022-01-31
15:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]表面ラフネス散乱の新モデルに基づく極薄膜nMOSFETの最適なチャネル材料と面方位の設計
隅田 圭陳 家驄トープラサートポン カシディット竹中 充高木信一東大SDM2021-71
極薄膜(ETB)ナノシートチャネルは, 優れたスケーラビリティを理由に将来のテクノロジーノードにおけるチャネル構造として... [more] SDM2021-71
pp.12-15
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