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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2015-10-29 16:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | 原子オーダー平坦なゲート絶縁膜/シリコン界面を導入したMOSFETの電気的特性 ○後藤哲也・黒田理人・諏訪智之・寺本章伸・小原俊樹・木本大幾・須川成利（東北大）・鎌田 浩・熊谷勇喜・渋沢勝彦（ラピスセミコンダクタ宮城）  SDM2015-74 |
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を，テクノロジーノード0.22umのshallow trench isolation ... [more] | SDM2015-74 pp.17-22 |
| SDM | 2015-10-30 10:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | トンネル電流・拡散電流併用MOSFETのデバイスシミュレーション検討 ○古川貴一・寺本章伸・黒田理人・諏訪智之・橋本圭市・小尻尚志・須川成利（東北大） SDM2015-77 |
[more] | SDM2015-77 pp.35-40 |
| SDM | 2015-10-30 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | 酸素ラジカル処理を用いた強誘電体BiFeO3薄膜の形成技術 ○今泉文伸・後藤哲也・寺本章伸・須川成利（東北大） SDM2015-78 |
将来の強誘電体メモリ、センサー、太陽電池に有効であるBiFeO3 (BFO)薄膜を、スパッタリングと酸素ラジカル処理を組... [more] | SDM2015-78 pp.41-44 |
| SDM | 2015-10-30 14:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | 窒素添加LaB6ターゲットによる低仕事関数LaB6スパッタ薄膜の形成 ○石井秀和（東北大）・高橋健太郎（住友大阪セメント）・後藤哲也・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2015-81 |
LaB6薄膜をマグネトロンスパッタ法で形成し，その仕事関数を評価した．LaB6薄膜の仕事関数は，LaB6ターゲット中の窒... [more] | SDM2015-81 pp.53-56 |
| SDM | 2015-10-30 15:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | 高精度ガス制御器を用いたAl2O3のALD成膜におけるプロセス温度の検討 ○杉田久哉・幸田安真・諏訪智之・黒田理人・後藤哲也・石井秀和（東北大）・山下 哲（フジキン）・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2015-83 |
[more] | SDM2015-83 pp.63-68 |
| SDM | 2014-10-16 14:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | シリコン表面原子オーダー平坦化技術のSTIプロセス工程への導入 ○後藤哲也・黒田理人・赤川直矢・諏訪智之・寺本章伸・李 翔・小原俊樹・木本大幾・須川成利・大見忠弘（東北大）・熊谷勇喜・鎌田 浩・渋沢勝彦（ラピスセミコンダクタ宮城） SDM2014-85 |
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を，テクノロジーノード0.22mのshallow trench iso... [more] | SDM2014-85 pp.7-12 |
| SDM | 2014-10-17 10:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | ラジカル窒化法により形成したSi3N4/Si界面に形成される組成遷移層に関する研究 ○諏訪智之・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2014-89 |
ラジカル窒化により形成したSi3N4/Si界面におけるSi基板側に形成される遷移層の構造を明らかにすることを目的とし、高... [more] | SDM2014-89 pp.31-34 |
| SDM | 2014-10-17 13:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | MOSFETにおけるランダムテレグラフノイズを引き起こすトラップ密度の解析に関する研究 ○小原俊樹・寺本章伸・黒田理人・米澤彰浩・後藤哲也・諏訪智之・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2014-93 |
アレイテスト回路を使用することで多数のサンプルにおいて,2準位以上のRandom Telegraph Noise(RTN... [more] | SDM2014-93 pp.55-59 |
| SDM | 2013-10-17 16:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | 原子レベル平坦化Si表面のキャリアモビリティ特性に基づくマルチゲートMOSFETの構造設計 ○黒田理人・中尾幸久・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2013-91 |
[more] | SDM2013-91 pp.15-20 |
| SDM | 2013-10-18 09:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | 内部量子効率100%のPD技術とオンチップ高透過積層膜を組み合わせた紫外光高感度・高信頼性Siフォトダイオード ○幸田安真・黒田理人・中尾幸久・須川成利（東北大） SDM2013-92 |
[more] | SDM2013-92 pp.21-25 |
| SDM | 2013-10-18 14:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | MOSFETのサブスレショルド領域におけるRandom Telegraph Noiseの時定数解析 ○米澤彰浩・寺本章伸・小原俊樹・黒田理人・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2013-98 |
MOSFETのサブスレッショルド領域におけるRandom Telegraph Noise(RTN)の捕獲・放出時定数を多... [more] | SDM2013-98 pp.51-56 |
| SDM | 2012-10-25 15:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | SiO2/Si(100)界面における組成遷移層の化学構造に関する研究 ○諏訪智之・寺本章伸（東北大）・室 隆桂之・木下豊彦（高輝度光科学研究センター）・須川成利・服部健雄・大見忠弘（東北大） SDM2012-89 |
[more] | SDM2012-89 pp.1-4 |
| SDM | 2012-10-26 09:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | Accumulation MOSFETsにおけるノイズ特性の評価 ○ゴベール フィリップ・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2012-92 |
[more] | SDM2012-92 pp.15-20 |
| SDM | 2012-10-26 09:55 |
宮城 | 東北大学未来研 | PECVD法を用いたゲートスペーサー用高品質シリコン窒化膜の低温形成プロセス ○中尾幸久・寺本章伸・黒田理人・諏訪智之・田中宏明・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2012-93 |
[more] | SDM2012-93 pp.21-26 |
| SDM | 2012-10-26 10:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［特別講演］シリコンLSI:微細化に替る高性能化の道 ○大見忠弘・中尾幸久・黒田理人・諏訪智之・田中宏明・須川成利（東北大） SDM2012-94 |
[more] | SDM2012-94 pp.27-32 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 14:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 100nm-gate-length Normally-off Accumulation-Mode FD-SOI MOSFETs for Low Noise Analog/RF Circuits ○Hidetoshi Utsumi・Ryohei Kasahara・Yukihisa Nakao・Rihito Kuroda・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） |
[more] | |
| SDM | 2011-10-20 14:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | 埋め込み構造によるMOSFETにおけるランダム・テレグラフ・ノイズの低減 ○鈴木裕彌・黒田理人・寺本章伸・米澤彰浩・松岡弘章・中澤泰希・阿部健一・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2011-98 |
ブロードチャネル構造によって，劇的なランダム・テレグラフ・ノイズ（RTN）の低減効果を得た．形成されるチャネルの位置をト... [more] | SDM2011-98 pp.5-9 |
| SDM | 2011-10-20 14:45 |
宮城 | 東北大学未来研 | 異常Stress Induced Leakage Currentの発生・回復特性の統計的評価 ○稲塚卓也・熊谷勇喜・黒田理人・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2011-99 |
[more] | SDM2011-99 pp.11-16 |
| SDM | 2011-10-20 15:45 |
宮城 | 東北大学未来研 | ラジカル反応ベース絶縁膜形成プロセスにおける界面平坦化効果と絶縁膜破壊特性との関係 ○黒田理人・寺本章伸・李 翔・諏訪智之・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2011-101 |
[more] | SDM2011-101 pp.21-26 |
| SDM | 2011-10-21 15:25 |
宮城 | 東北大学未来研 | 高純度有機金属ガス供給システムに関する研究 ○山下 哲・石井秀和・志波良信・北野真史・白井泰雪・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2011-112 |
半導体製造プロセスにおいてプロセスガスの流量制御は基板表面におけるガス組成やチャンバ圧力を決定する重要なファクターである... [more] | SDM2011-112 pp.85-90 |
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