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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| IT, SIP, RCS (共催) |
2017-01-20 11:15 |
大阪 | 大阪市立大学（杉本キャンパス） | 情報規範を用いたL1正規化MMSEチャネル推定法の性能 ○高野泰洋（神戸大）  IT2016-85 SIP2016-123 RCS2016-275 |
多くの$ell1$正規化チャネル推定法は Degree of sparsity (DoS) が既知であることを仮定するが... [more] | IT2016-85 SIP2016-123 RCS2016-275 pp.227-230 |
| ICSS | 2016-11-25 16:10 |
神奈川 | 情報セキュリティ大学院大学 | リンクマイニングによる悪性Webサイトの検知性能 ○高野泰洋・伊藤大貴・永井達也（神戸大）・神薗雅紀（PwCサイバーサービス）・毛利公美（岐阜大）・白石善明（神戸大）・星澤裕二（PwCサイバーサービス）・森井昌克（神戸大） ICSS2016-44 |
従来より, ブラックリストを使いURL のキーワード照合等により悪性Web サイトへのアクセス回避が試みられている. し... [more] | ICSS2016-44 pp.31-35 |
| CPM | 2016-11-18 13:50 |
石川 | 金沢工大 扇が丘キャンパス | MicroWaveを用いた溶液成長法によるSnS薄膜の作製 ○早川 諒・高野 泰・石田明広（静岡大） CPM2016-62 |
溶液成長法によりスライドガラス上にSnSを堆積させた。溶液は、塩化スズ、アセトン、トリエタノールアミン(TEA)、チオア... [more] | CPM2016-62 pp.5-10 |
| CPM | 2016-11-18 14:10 |
石川 | 金沢工大 扇が丘キャンパス | 溶液成長法を用いたSnSによるSnS/ZnO構造太陽電池の作製 ○神田祐作・高野 泰・石田明広（静岡大） CPM2016-63 |
[more] | CPM2016-63 pp.11-15 |
| CPM | 2016-11-19 11:15 |
石川 | 金沢工大 扇が丘キャンパス | Microwaveを用いた溶液成長法によるZnO薄膜堆積 ○吉谷地優聴・高野 泰（静岡大） CPM2016-72 |
溶液成長法によりZnO薄膜を堆積させた。基板の処理や反応溶液の加熱にMicrowaveを用いて堆積させたZnO薄膜と、M... [more] | CPM2016-72 pp.55-58 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-20 09:30 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | EDTAを錯化剤に用いた溶液成長法によるSnS薄膜堆積 ○神田祐作・高野 泰・石田明広（静岡大） ED2016-21 CPM2016-9 SDM2016-26 |
溶液成長法によりスライドガラス上にSnS薄膜を堆積させた。溶液は、塩化スズ、アセトン、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)... [more] | ED2016-21 CPM2016-9 SDM2016-26 pp.39-42 |
| CPM | 2015-11-06 13:40 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | 溶液成長法によるSnS薄膜堆積における溶液温度の影響 神田祐作・○高野 泰・石田明広（静岡大） CPM2015-85 |
[more] | CPM2015-85 pp.9-13 |
| CPM | 2015-08-10 15:00 |
青森 | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 | フローセルを用いた溶液成長法によるSnS薄膜の作製 ○早川 諒・高野 泰・石田明広（静岡大） CPM2015-35 |
溶液成長法によりスライドガラス上にSnSを堆積させた。溶液は、塩化スズ、アセトン、トリエタノールアミン、チオアセトアミド... [more] | CPM2015-35 pp.19-22 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-29 10:55 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 溶液成長法によるSnS堆積量と撹拌の関係 鈴木大司・○高野 泰・石田明広（静岡大） ED2015-32 CPM2015-17 SDM2015-34 |
溶液成長法によりスライドガラス上にSnSを堆積させた。溶液は、塩化スズ、アセトン、トリエタノールアミン、チオアセトアミド... [more] | ED2015-32 CPM2015-17 SDM2015-34 pp.81-84 |
| CPM | 2014-10-24 16:20 |
長野 | 信州大学工学部 地域共同研究センター３階研修 キャンパスマップ17番 | 成長室を用いた溶液成長法によるSnS堆積 山中雄貴・兼森遥平・○高野 泰・石田明広（静岡大） CPM2014-110 |
溶液成長法によりスライドガラス上にSnSを堆積させている。溶液は、塩化スズ、アセン、トリ エタノールアミン、チオアセトア... [more] | CPM2014-110 pp.29-32 |
| CPM | 2014-09-04 14:45 |
山形 | 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 | 溶液成長法によるSnSの堆積条件 山中雄貴・兼森遥平・○高野 泰（静岡大） CPM2014-78 |
溶液成長法によりスライドガラス上にSnSを堆積させた。溶液は、塩化スズ、アセトン、トリエタ ノールアミン、チオアセトアミ... [more] | CPM2014-78 pp.17-20 |
| OME, EMD, CPM (共催) |
2014-06-20 16:40 |
東京 | 機械振興会館 | 溶液成長法によって作製したPbS薄膜の移動度及びキャリア濃度の成長時間依存性 ○摩須大輝・高野 泰・石田明広（静岡大） EMD2014-22 CPM2014-42 OME2014-30 |
[more] | EMD2014-22 CPM2014-42 OME2014-30 pp.79-82 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 15:15 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 溶液成長法によるSnS薄膜堆積 山中雄貴・○高野 泰（静岡大） ED2014-43 CPM2014-26 SDM2014-41 |
溶液成長法によりスライドガラス上にSnSを堆積させた。溶液は、塩化スズ、アセトン、トリエタ ノールアミン、チオアセトアミ... [more] | ED2014-43 CPM2014-26 SDM2014-41 pp.125-128 |
| CPM | 2013-10-24 15:00 |
新潟 | 新潟大ときめいと | 溶液成長法により作製したPbS薄膜の膜質の成長時間依存性 ○摩須大輝・高野 泰・石田明広（静岡大） CPM2013-96 |
[more] | CPM2013-96 pp.19-22 |
| CPM | 2013-10-24 15:25 |
新潟 | 新潟大ときめいと | 溶液成長法を用いたSnS膜の作製 ○山中雄貴・高野 泰（静岡大） CPM2013-97 |
[more] | CPM2013-97 pp.23-26 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2013-06-21 11:40 |
東京 | 機械振興会館 | 溶液成長法により作製したPbS薄膜の成長速度と光導電効果 ○摩須大輝・高野 泰（静岡大） EMD2013-14 CPM2013-29 OME2013-37 |
[more] | EMD2013-14 CPM2013-29 OME2013-37 pp.37-42 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2013-05-16 14:20 |
静岡 | 静大（浜松）創造科学技術大学院 | カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス ○藤田陽平・高野 泰・井上 翼・中野貴之（静岡大） ED2013-18 CPM2013-3 SDM2013-25 |
[more] | ED2013-18 CPM2013-3 SDM2013-25 pp.13-17 |
| CPM | 2012-10-26 17:05 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | MOVPE法により作製したSi基板上GaPの界面形状 高木達也・宮原 亮・○高野 泰（静岡大） CPM2012-101 |
有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板に2,4°オフ基板を使用した。成長温度を830℃とし... [more] | CPM2012-101 pp.45-48 |
| CPM | 2012-08-08 14:15 |
山形 | 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 | MOVPE法によるSi基板上GaPとSi表面処理の関係 高木達也・宮原 亮・堀江陽介・○高野 泰（静岡大） CPM2012-36 |
有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板上に作製したGaPにはアンチフェーズドメイン(APD... [more] | CPM2012-36 pp.17-20 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 14:55 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | MOVPE法によるSi基板上GaPの成長速度依存性 高木達也・華 俊辰・宮原 亮・○高野 泰（静岡大） ED2012-21 CPM2012-5 SDM2012-23 |
有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板に4°オフ基板を使用した。成長温度を770-830℃... [more] | ED2012-21 CPM2012-5 SDM2012-23 pp.19-23 |
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