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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OME 2009-10-23
15:30
大阪 中央電気倶楽部 214号室 酸素雰囲気下におけるフラーレン及びポリチオフェンMISデバイスの電気特性
松本真弥宮入圭一伊東栄次信州大OME2009-50
 [more] OME2009-50
pp.53-58
OME 2009-07-23
15:10
長野 (財)加藤科学振興会軽井沢研修所 内部光電子放出法を用いたAlq3と陰極界面の電子注入障壁高さの評価
高石真也伊東栄次信州大OME2009-32
本研究ではITO/TiO2/IL/Alq3/陰極構造の“electron-only device”を作成して、内部光電子... [more] OME2009-32
pp.19-24
OME 2009-07-23
15:35
長野 (財)加藤科学振興会軽井沢研修所 正孔取り出しバッファー層を用いた積層型有機薄膜太陽電池の起電力向上
古畑大輔樋口裕二伊東栄次信州大OME2009-33
 [more] OME2009-33
pp.25-30
OME, EID
(共催)
2009-03-06
14:15
東京 機械振興会館 ポルフィリン/フラーレン積層型太陽電池の正孔取り出し層の挿入効果と表面電位特性
樋口裕二古畑大輔伊東栄次宮入圭一信州大EID2008-86 OME2008-97
本研究ではITO/正孔取り出し層/ポルフィリン/フラーレン/バソキュプロイン/Al構造の光電変換素子を作製した。銅フタロ... [more] EID2008-86 OME2008-97
pp.17-22
OME 2008-11-07
13:50
長野 セイコーエプソン(株) 表面処理した低温形成酸化チタンを積層したバルクへテロ接合型有機薄膜太陽電池
高見沢勇太伊東栄次宮入圭一信州大OME2008-60
 [more] OME2008-60
pp.11-16
OME 2008-11-07
14:15
長野 セイコーエプソン(株) 立体加工したS-D電極上に作製したボトムコンタクトペンタセン有機トランジスタの電気特性
藤森達也浦 裕亮伊東栄次宮入圭一信州大OME2008-61
 [more] OME2008-61
pp.17-22
OME 2008-05-29
15:20
東京 電気倶楽部第3会議室 内部光電子分光法による高分子半導体/陰極界面の電位障壁の評価
伊東栄次信州大)・山田晃史宮入圭一 OME2008-27
 [more] OME2008-27
pp.35-40
OME 2007-11-09
13:20
新潟 新潟大学 ポリチオフェン有機薄膜トランジスタとその電気光学特性
永井裕士伊東栄次宮入圭一信州大OME2007-50
本研究では絶縁層にポリイミドを用い作製したポリチオフェン(P3HT) FETについてCharge modulation ... [more] OME2007-50
pp.11-15
OME 2007-11-09
13:45
新潟 新潟大学 内部光電子放出法による高分子半導体/陰極界面の電位障壁の評価
山田晃史伊東栄次宮入圭一信州大OME2007-51
本研究では有機EL素子にしばしば用いられるポリパラフェニレンビニレン誘導体(MEH-PPV)やポリフルオレン誘導体(PF... [more] OME2007-51
pp.17-22
OME 2006-12-18
11:25
東京 機械振興会館 多孔質酸化チタン膜のナノ構造制御と有機薄膜太陽電池特性
横内崇史伊東栄次宮入圭一信州大
 [more] OME2006-111
pp.17-22
OME 2006-11-10
16:00
長野 信州大学 フッ素含有ポリイミドコートゲート絶縁層上に作製したポリチオフェンFET
松川典仁伊東栄次宮入圭一信州大
 [more] OME2006-97
pp.37-42
OME 2006-11-10
16:25
長野 信州大学 銅フタロシアニン/フラーレン積層膜の光起電力に与える界面電位の影響
中道博一伊東栄次宮入圭一信州大
 [more] OME2006-98
pp.43-48
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