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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2023-11-09
10:30
東京 機械振興会館 5階 5S-2 会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]SISPAD 2023 レビュー
田中 一阪大SDM2023-62
デバイス・プロセスシミュレーションを中心とした,半導体分野におけるモデリング・シミュレーション技術を扱う国際会議である2... [more] SDM2023-62
pp.1-6
SDM 2023-11-09
14:00
東京 機械振興会館 5階 5S-2 会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱の量子論に基づく数値解析
岡田 丈田中 一森 伸也阪大SDM2023-65
単一モード半導体ナノシートにおいて,表面ラフネス散乱で決まる平均自由行程を数値計算により求める手法を提案する.平均自由行... [more] SDM2023-65
pp.10-15
PN 2022-11-07
14:35
高知 高知城歴史博物館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]異方性エッチングを用いた二段導波路型スポットサイズ変換器
田中 肇住友電工)・山日竜二住友電工デバイス・イノベーション)・北村崇光住友電工デバイス・イノベーション/住友電工)・堀野和彦住友電工デバイス・イノベーション)・石川 務住友電工)・江川 満住友電工デバイス・イノベーション/住友電工PN2022-25
年々増加する通信量に対応するため,コヒーレント通信は従来の遠距離通信から都市間・都市内やデータセンターなどの中~近距離に... [more] PN2022-25
pp.22-27
SDM 2020-11-20
15:40
ONLINE オンライン開催 [招待講演]ファンデルワールスヘテロ構造におけるバンド間トンネルのNEGFシミュレーション
森 伸也橋本風渡三島嵩也田中 一阪大SDM2020-33
層間トンネルを非平衡グリーン関数(NEGF)法を用いて調べた.はじめに,層間トンネルの特徴について単純化したモデルの範囲... [more] SDM2020-33
pp.52-57
SDM 2018-11-09
10:20
東京 機械振興会館 [招待講演]4H-SiC MOS反転層における電子輸送のモデリング
田中 一森 伸也阪大SDM2018-71
4H-SiC MOS界面における電子散乱過程を定式化し,モンテカルロシミュレーションにより電子移動度の計算を行った.フォ... [more] SDM2018-71
pp.35-40
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
10:00
京都 京都大学 長方形断面Geナノワイヤの正孔移動度の断面形状およびサイズ依存性
田中 一森 誠悟森岡直也須田 淳木本恒暢京大EID2014-13 SDM2014-108
原子論的な手法である強束縛(Tight Binding)近似法と原子価力場(Valence Force Field)モデ... [more] EID2014-13 SDM2014-108
pp.1-6
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
10:15
京都 京都大学 pチャネルSiナノワイヤMOSFETの移動度の結晶方位および断面形状依存性
藤原寛朗森岡直也田中 一須田 淳木本恒暢京大EID2014-14 SDM2014-109
幅の異なる長方形断面を持つ $langle$100$rangle$,$langle$110$rangle$,$langl... [more] EID2014-14 SDM2014-109
pp.7-11
SDM 2013-12-13
16:40
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 長方形断面Geナノワイヤの電子移動度の断面形状およびサイズ依存性
田中 一森 誠悟森岡直也須田 淳木本恒暢京大SDM2013-131
強束縛(Tight Binding)近似法と原子価力場(Valence Force Field)モデルを用いて,長方形断... [more] SDM2013-131
pp.91-96
EID, SID-JC
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2013-07-25
13:00
東京 機械振興会館 [依頼講演]超大画面シームレスディスプレイ用プラズマチューブ技術を用いたLuminous Array Film技術の進展
小迫照和郭 濱剛田中 肇平川 仁粟本健司篠田 傳篠田プラズマ
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