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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
14:25
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 1.6kV大電流GaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオードの開発
梶谷 亮半田浩之宇治田信二柴田大輔小川雅弘田中健一郎石田秀俊田村聡之石田昌宏上田哲三パナソニックED2015-75 CPM2015-110 LQE2015-107
低立ち上がり電圧・大電流を有するGaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオード(THD: Trench Hybri... [more] ED2015-75 CPM2015-110 LQE2015-107
pp.39-42
SDM 2015-11-06
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]Si基板上GaNパワーデバイスと電力変換機器への応用
石田秀俊石田昌宏上田哲三パナソニックSDM2015-90
従来のSiパワーデバイスと比較して低損失化と高速化が可能となり、DC/DCコンバータをはじめとする電力変換機器の高効率化... [more] SDM2015-90
pp.35-38
OFT 2013-05-23
15:55
沖縄 まりんぴあ宮古 インターコネクションMMF用オールプラスチックフェルール
大村真樹住友電工)・石田英敏前岨宏芳オートネットワーク技研)・蔀 龍彦日本通信電材)・大塚健一郎佐野知巳服部知之住友電工OFT2013-5
単心光ファイバ接続の低コスト化を目的として、オールプラスチックフェルール
を検討した。フェルールの寸法精度を確保するた... [more]
OFT2013-5
pp.19-22
ED, MW
(共催)
2012-01-12
14:30
東京 機械振興会館 P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード
柴田大輔海原一裕村田智洋山田康博森田竜夫按田義治石田昌宏石田秀俊上田哲三田中 毅上田大助パナソニックED2011-137 MW2011-160
 [more] ED2011-137 MW2011-160
pp.101-105
MW, ED
(共催)
2009-01-14
15:25
東京 機械振興会館 GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード
石田秀俊柴田大輔松尾尚慶柳原 学上本康裕上田哲三田中 毅上田大助パナソニックED2008-202 MW2008-167
GaNをはじめとする分極を有する窒化物系半導体材料により、高耐圧特性と低オン抵抗特性を両立できる新しい半導体接合を実現で... [more] ED2008-202 MW2008-167
pp.23-27
MW 2008-08-28
14:20
大阪 大阪大学(豊中) サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
村田智洋黒田正行松下電器)・永井秀一Panasonic Boston Lab.)・西嶋将明石田秀俊柳原 学上田哲三酒井啓之田中 毅松下電器)・Ming LiPanasonic Boston Lab.MW2008-85
サファイア基板上にAlGaN/GaN HFETとマイクロストリップ線路からなる整合回路を集積化した準ミリ波帯増幅器MMI... [more] MW2008-85
pp.37-40
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
10:50
北海道 かでる2・7(札幌) AlNパッシベーションを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
柴田大輔松尾尚慶松下電器)・永井秀一Ming LiPanasonic Boston Lab)・鶴見直大石田秀俊柳原 学上本康裕上田哲三田中 毅上田大助松下電器ED2008-73 SDM2008-92
 [more] ED2008-73 SDM2008-92
pp.177-181
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
14:20
北海道 かでる2・7(札幌) AlGaN/GaN-based Millimeter Wave Monolithic ICs with Laser-Drilled Via-holes Through Sapphire
Tomohiro MurataMasayuki KurodaMatsushita Electric Industrial)・Shuichi NagaiPanasonic Boston Lab.)・Masaaki NishijimaHidetoshi IshidaManabu YanagiharaTetsuzo UedaHiroyuki SakaiTsuyoshi TanakaMatsushita Electric Industrial)・Ming LiPanasonic Boston Lab.ED2008-103 SDM2008-122
We present K-band AlGaN/GaN HFET MMIC amplifiers on sapphire... [more] ED2008-103 SDM2008-122
pp.331-335
ED, MW
(共催)
2008-01-16
16:15
東京 機械振興会館 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
柴田大輔上本康裕柳原 学石田秀俊松下電器)・永井秀一Panasonic Boston Lab.)・松尾尚慶松下電器)・Ming LiPanasonic Boston Lab.)・上田哲三田中 毅上田大助松下電器ED2007-213 MW2007-144
我々は、サファイア基板に形成したビアホールと厚膜多結晶AlNパッシベーションにより、従来の限界を超えた高耐圧でかつ低抵抗... [more] ED2007-213 MW2007-144
pp.39-43
ED, SDM
(共催)
2007-06-25
13:00
海外 Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州, 韓国 [招待講演]AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications
Yasuhiro UemotoMasahiro HikitaHiroaki UenoTomohiro MurataHisayoshi MatsuoHidetoshi IshidaManabu YanagiharaTetsuzo UedaTsuyoshi TanakaDaisuke UedaMatsushita
従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化を両立させる為に、ホール注入による伝導度変調を用いた新しい原理... [more]
MW, ED
(共催)
2007-01-19
14:50
東京 機械振興会館 ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ
上本康裕引田正洋上野弘明松尾尚慶石田秀俊柳原 学上田哲三田中 毅上田大助松下電器
我々は今回、従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化の両立を実現する為に、ホール注入による伝導度変調を... [more] ED2006-235 MW2006-188
pp.193-197
ED, SDM, R
(共催)
2006-11-24
16:30
大阪 中央電気倶楽部 AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果
上野弘明村田智洋石田秀俊上田哲三上本康裕田中 毅井上 薫松下電器
 [more] R2006-38 ED2006-183 SDM2006-201
pp.39-42
ED, MW
(共催)
2006-01-19
14:10
東京 機械振興会館 無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNへテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作
黒田正行石田秀俊上田哲三田中 毅松下電器
GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有し、低オン抵抗と高耐圧を必要とする将来のパワーデバイスに向け非... [more] ED2005-205 MW2005-159
pp.35-39
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