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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MW
(共催)
2020-01-31
11:20
東京 機械振興会館 地下3階6号室 表面活性化常温接合法によるGaN-on-Diamond HEMTの作製
檜座秀一藤川正洋滝口雄貴西村邦彦柳生栄治三菱電機)・松前貴司倉島優一高木秀樹産総研)・山向幹雄三菱電機ED2019-97 MW2019-131
 [more] ED2019-97 MW2019-131
pp.21-24
MW, ED
(共催)
2019-01-17
15:25
東京 日立中研 ノーマリオフ型GaN MOS-HFETにおけるバイアスアニールの効果
南條拓真小山英寿今井章文綿引達郎山向幹雄三菱電機ED2018-78 MW2018-145
GaN系半導体は、高周波デバイスだけではなく、高出力スイッチングデバイスに用いる半導体材料として近年注目を集めており、ノ... [more] ED2018-78 MW2018-145
pp.55-58
MW, ED
(共催)
2019-01-17
15:50
東京 日立中研 GaN-on-GaN構造の採用による転位密度低減に伴う高電界ストレスに対する電流コラプス特性の改善効果
今井章文吉嗣晃治南條拓真綿引達郎山向幹雄三菱電機ED2018-79 MW2018-146
 [more] ED2018-79 MW2018-146
pp.59-62
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
15:45
京都 京大桂キャンパス プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作
南條拓真林田哲郎小山英寿今井章文古川彰彦山向幹雄三菱電機ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79
GaNは高周波素子だけではなく,高出力スイッチング素子に用いる半導体材料として近年注目を集めている.高出力スイッチング素... [more] ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79
pp.31-34
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