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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2012-03-05 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係 ○北田秀樹（東大/富士通研）・前田展秀・藤本興冶・児玉祥一・金 永束（東大）・水島賢子（東大/富士通研）・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大）  SDM2011-183 |
[more] | SDM2011-183 pp.41-46 |
| SDM | 2011-02-07 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | 3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス ○北田秀樹・前田展秀（東大）・藤本興治（大日本印刷）・水島賢子・中田義弘・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大） SDM2010-224 |
低温プラズマCVDを用いたCu貫通ビア(TSV)製造のCu拡散の挙動を評価した。成膜温度が150℃の低温-PECVD法で... [more] | SDM2010-224 pp.49-53 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 10:15 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | ［招待講演］実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発 ○前田展秀・金 永ソク（東大）・彦坂幸信・恵下 隆（富士通セミコンダクター）・北田秀樹・藤本興治（東大）・水島賢子（富士通研）・鈴木浩助（大日本印刷）・中村友二（富士通研）・川合章仁・荒井一尚（ディスコ）・大場隆之（東大） SDM2010-141 ICD2010-56 |
200mmおよび300mmのデバイスウェハーを10μm以下のレベルまで薄化した．裏面研削後にできる200nmの非結晶層は... [more] | SDM2010-141 ICD2010-56 pp.95-97 |
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